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a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究
1
作者
冯玉春
罗晋生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期29-33,共5页
本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重...
本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。
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关键词
a-Si:H材料
半导体薄膜
光学特性
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职称材料
大功率晶闸管直接浸入氟利昂的冷却技术
被引量：
1
2
作者
陈力才
吴济钧
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第5期10-14,共5页
叙述了大功率晶闸管直接浸入氟利昂冷却的结构原理,TF113氟利昂的性能和各种测量数据.介绍了能替代钼片和钙片的结构铜材料,列举了用结构铜制成而不用陶瓷外壳、可直接浸入氟利昂内冷却、热效率高的全焊接晶闸管管芯结构.得出了利用氟...
叙述了大功率晶闸管直接浸入氟利昂冷却的结构原理,TF113氟利昂的性能和各种测量数据.介绍了能替代钼片和钙片的结构铜材料,列举了用结构铜制成而不用陶瓷外壳、可直接浸入氟利昂内冷却、热效率高的全焊接晶闸管管芯结构.得出了利用氟利昂冷却可缩小晶闸管组件体积和减轻其重量的结论.
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关键词
大功率
晶闸管
氟利昂
冷却技术
全文增补中
a-Si:N FET的研制
3
作者
冯玉春
罗晋生
海国强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期35-37,共3页
用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.
关键词
α-Si:H
FET
非晶硅
场效应晶体管
全文增补中
MCZ硅单晶及其应用
4
作者
张秀澹
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期16-17,共2页
自1980年日本铃木等发表MCZ(加磁场直拉)硅单晶以来,经过6年多的努力,MCZ硅单晶用作半导体器件的基片已占有巩固的地位.
关键词
硅单晶
MCI
半导体材料
全文增补中
题名
a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究
1
作者
冯玉春
罗晋生
机构
西安整流器研究所
西安
交通大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期29-33,共5页
文摘
本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。
关键词
a-Si:H材料
半导体薄膜
光学特性
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率晶闸管直接浸入氟利昂的冷却技术
被引量：
1
2
作者
陈力才
吴济钧
机构
西安整流器研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第5期10-14,共5页
文摘
叙述了大功率晶闸管直接浸入氟利昂冷却的结构原理,TF113氟利昂的性能和各种测量数据.介绍了能替代钼片和钙片的结构铜材料,列举了用结构铜制成而不用陶瓷外壳、可直接浸入氟利昂内冷却、热效率高的全焊接晶闸管管芯结构.得出了利用氟利昂冷却可缩小晶闸管组件体积和减轻其重量的结论.
关键词
大功率
晶闸管
氟利昂
冷却技术
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
a-Si:N FET的研制
3
作者
冯玉春
罗晋生
海国强
机构
西安整流器研究所
西安
交通大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期35-37,共3页
文摘
用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.
关键词
α-Si:H
FET
非晶硅
场效应晶体管
分类号
TN386.05 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
MCZ硅单晶及其应用
4
作者
张秀澹
机构
西安整流器研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期16-17,共2页
文摘
自1980年日本铃木等发表MCZ(加磁场直拉)硅单晶以来,经过6年多的努力,MCZ硅单晶用作半导体器件的基片已占有巩固的地位.
关键词
硅单晶
MCI
半导体材料
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究
冯玉春
罗晋生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
大功率晶闸管直接浸入氟利昂的冷却技术
陈力才
吴济钧
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
1
全文增补中
3
a-Si:N FET的研制
冯玉春
罗晋生
海国强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
全文增补中
4
MCZ硅单晶及其应用
张秀澹
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
全文增补中
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