介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS...介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×10~3 Gy(Si)、抗中子注量0.6×10^(14) n·cm^(-2)的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。展开更多
针对现有布鲁姆过滤器在流识别应用中对每个IP包进行相同的处理,未考虑IP包识别失效代价和硬件开销的问题,提出一种面向IP包识别的算法——CPBF(Classified and Pipelined Bloom Filter).该算法通过引入IP头中服务类型作为识别失效代价...针对现有布鲁姆过滤器在流识别应用中对每个IP包进行相同的处理,未考虑IP包识别失效代价和硬件开销的问题,提出一种面向IP包识别的算法——CPBF(Classified and Pipelined Bloom Filter).该算法通过引入IP头中服务类型作为识别失效代价的判断依据对IP包进行分类,根据分类结果采取不同数目的 Hash函数进行映射,降低高失效代价IP包的识别失效率;同时在Hash计算中采用流水机制加速识别速率;基于概率论、微分方程等相关知识对CPBF算法进行了描述和理论分析,最后在FPGA上对算法进行实现和实验.结果表明,与标准布鲁姆过滤器、多维布鲁姆过滤器相比,CPBF在具有较低的识别失效率和硬件开销的同时,也能保持较高的识别速率.展开更多
文摘介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×10~3 Gy(Si)、抗中子注量0.6×10^(14) n·cm^(-2)的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。
