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低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究被引量：2: 1; 作者朱宇峰张太民 +1 位作者聂晶师宏立《应用光学》 CAS CSCD 2008年第3期360-363,共4页; 为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击，提高微光像增强器的工作寿命，开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺，获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压10... 展开更多; 关键词磁控溅射微通道板(MCP) 防离子反馈膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

双近贴聚焦微光像增强器分辨力理论极限问题研究被引量：15: 2; 作者向世明《应用光学》 CAS CSCD 2008年第3期351-353,共3页; 分辨力和MTF是微光像增强器的2个重要参数。根据线性系统傅里叶频谱理论,分析了微光像增强器的MTF和分辨力特性。计算出理想条件下,基于光阴极/M CP/荧光屏3部件结构以及带内电子增益机制的光阴极/荧光屏2部件结构的近贴聚焦像管的理论... 展开更多; 关键词微光像增强器像增强器微通道板(MCP) 近贴聚焦分辨力 MTF 傅里叶频谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

微光像增强器信噪比理论极限问题研究被引量：7: 3; 作者向世明《应用光学》 CAS CSCD 2008年第5期724-726,共3页; 信噪比是微光像增强器的重要参数之一,其值的高低决定着微光成像系统在低照度条件下的探测距离和图像清晰度。根据线性系统信噪比链理论,借助系统噪声因子关系式,分析了微光像增强器的理论极限信噪比(S/N)limit。在系统各级不附加任何噪... 展开更多; 关键词微光像增强器微通道板(MCP) 信噪比噪声因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

微光像增强器光阴极灵敏度理论极限问题研究被引量：4: 4; 作者向世明《应用光学》 CAS CSCD 2008年第1期48-51,共4页; 光阴极灵敏度（量子效率）是微光像增强器最重要和最基本的性能参数之一，它决定着微光成像系统在低照度下的视距和图像清晰度。根据半导体光电发射物理模型及普朗克黑体辐射理论，简介了光电发射5个环节（光子不完全吸收、GaAlAs／GaA... 展开更多; 关键词微光像增强器微通道板积分灵敏度量子效率光谱响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响被引量：4: 5; 作者冯刘刘晖 +4 位作者程宏昌石峰史鹏飞任兵张连东《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期654-658,共5页; 鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响,从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性。以固定铯源电流,改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比,激活同类GaAs光阴极,得到了3组实验数据。对数据进行分析,结果表... 展开更多; 关键词光阴极灵敏度光阴极稳定性 Cs—to-O电流比光电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析被引量：2: 6; 作者徐江涛《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期296-299,共4页; 为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题,运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析,获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明:组件150C为表面放气,450℃为材料体内放气,580℃为洁净... 展开更多; 关键词 GaAs组件玻璃粘接热辐射除气质谱分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究被引量：2: 1; 作者朱宇峰张太民聂晶师宏立; 机构西安应用光学研究所第二研究室微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2008年第3期360-363,共4页; 文摘为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击，提高微光像增强器的工作寿命，开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺，获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V，溅射气压（4～5）×10^-2Pa，沉积速率0．5nm／min等。研究结果表明：在此工艺条件下，能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件，制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续，且通孔不能满足要求。; 关键词磁控溅射微通道板(MCP) 防离子反馈膜; Keywords magnetron sputtering microchannel plate ion-feedback barrier film; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双近贴聚焦微光像增强器分辨力理论极限问题研究被引量：15: 2; 作者向世明; 机构西安应用光学研究所第二研究室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2008年第3期351-353,共3页; 文摘分辨力和MTF是微光像增强器的2个重要参数。根据线性系统傅里叶频谱理论,分析了微光像增强器的MTF和分辨力特性。计算出理想条件下,基于光阴极/M CP/荧光屏3部件结构以及带内电子增益机制的光阴极/荧光屏2部件结构的近贴聚焦像管的理论极限分辨力。它们分别是96.6 lp/mm和98.1 lp/mm。该结果可供人们改进像管MTF及分辨力特性时参考。; 关键词微光像增强器像增强器微通道板(MCP) 近贴聚焦分辨力 MTF 傅里叶频谱; Keywords image intensifier MCP proximity focusing resolution MTF Fourier spectrum; 分类号 TN144-34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微光像增强器信噪比理论极限问题研究被引量：7: 3; 作者向世明; 机构西安应用光学研究所第二研究室微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2008年第5期724-726,共3页; 文摘信噪比是微光像增强器的重要参数之一,其值的高低决定着微光成像系统在低照度条件下的探测距离和图像清晰度。根据线性系统信噪比链理论,借助系统噪声因子关系式,分析了微光像增强器的理论极限信噪比(S/N)limit。在系统各级不附加任何噪声(即NF=1),或仅受输入光子及光电子数涨落噪声限制的理想条件下,给出像管不同量子效率(η)之最大信噪比(S/N)limit的表达式;在η=1的极限情况下,求得该像管的理论极限信噪比(S/N)limit≤64。; 关键词微光像增强器微通道板(MCP) 信噪比噪声因子; Keywords image intensifier microchannel plate （MCP） signal-to-noise ratio （SNR） noisefactor; 分类号 TN144-34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微光像增强器光阴极灵敏度理论极限问题研究被引量：4: 4; 作者向世明; 机构西安应用光学研究所第二研究室微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2008年第1期48-51,共4页; 文摘光阴极灵敏度（量子效率）是微光像增强器最重要和最基本的性能参数之一，它决定着微光成像系统在低照度下的视距和图像清晰度。根据半导体光电发射物理模型及普朗克黑体辐射理论，简介了光电发射5个环节（光子不完全吸收、GaAlAs／GaAs后界面、GaAs光阴极激活层体特性缺陷、GaAs光阴极表面位垒和GaAs光阴极-MCP之间近贴电场电子隧道效应）对光阴极量子效率的影响，给出了相关数学表达式。在假定5个环节子量子效率均为100%的前提下，估算出蓝延伸GaAs光阴极在（0．41～0．93）μm波段内的极限积分灵敏度，其值为6569μA／lm。文末，对此结果的意义给予评价。; 关键词微光像增强器微通道板积分灵敏度量子效率光谱响应; Keywords image intensifier MCP luminous sensitivity quantum efficiency spectral response; 分类号 TN444-34 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响被引量：4: 5; 作者冯刘刘晖程宏昌石峰史鹏飞任兵张连东; 机构西安应用光学研究所第二研究室微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期654-658,共5页; 文摘鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响,从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性。以固定铯源电流,改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比,激活同类GaAs光阴极,得到了3组实验数据。对数据进行分析,结果表明:同类光阴极在相同条件下激活时,光电流出现的时间几乎一致,并且首个光电流峰值也非常接近;激活时ICs/IO=1.07是目前获得高灵敏度、高稳定性GaAs光阴极的最佳电流比,而ICs/IO=1.10时光阴极灵敏度低但稳定性好,ICs/IO=1.03时光阴极灵敏度高但稳定性差。双偶极层模型认为Cs、O激活后GaAs表面形成了稳定均匀的GaAs-O-Cs:Cs-O-Cs双偶极层,并达到了负电子亲和势,这一点与实验数据的分析结果相一致。该方法可用于提高GaAs光阴极灵敏度和稳定性。; 关键词光阴极灵敏度光阴极稳定性 Cs—to-O电流比光电流; Keywords photocathode sensitivity photocathode stability Cs-to-O current ratio photoeurrent; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析被引量：2: 6; 作者徐江涛; 机构西安应用光学研究所第二研究室微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期296-299,共4页; 文摘为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题,运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析,获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明:组件150C为表面放气,450℃为材料体内放气,580℃为洁净表面获得温度,大于650℃时GaAs发射层面有As蒸发。这说明严格控制发射层表面洁净温度,是保证制备高性能阴极灵敏度的关键。; 关键词 GaAs组件玻璃粘接热辐射除气质谱分析; Keywords GaAs module glass cementation heat radiation degas mass spectrometric analysis; 分类号 TN14 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究	朱宇峰张太民聂晶师宏立	《应用光学》 CAS CSCD	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	双近贴聚焦微光像增强器分辨力理论极限问题研究	向世明	《应用光学》 CAS CSCD	2008	15	在线阅读下载PDF 职称材料
3	微光像增强器信噪比理论极限问题研究	向世明	《应用光学》 CAS CSCD	2008	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	微光像增强器光阴极灵敏度理论极限问题研究	向世明	《应用光学》 CAS CSCD	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响	冯刘刘晖程宏昌石峰史鹏飞任兵张连东	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2009	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析	徐江涛	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料