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MCP参数对微光像增强器分辨力影响研究 被引量:7
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作者 程耀进 石峰 +2 位作者 郭晖 朱宇峰 袁晓曼 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期292-296,共5页
为了全面分析微通道板(MCP)参数对微光像增强器分辨力的影响,利用电子散射理论分析了MCP输出电子横向散射和MCP非开口面的电子散射情况,得到了MCP通道间距、输出电极结构和开口面积比等参数对微光像增强器分辨力的影响。分析结果指出:... 为了全面分析微通道板(MCP)参数对微光像增强器分辨力的影响,利用电子散射理论分析了MCP输出电子横向散射和MCP非开口面的电子散射情况,得到了MCP通道间距、输出电极结构和开口面积比等参数对微光像增强器分辨力的影响。分析结果指出:通过减小通道间距、采用MCP输出面镀多层电极或增加MCP输出端电极深度实现减小MCP输出电子横向扩散、增加开口面积比等,提高整个微光像增强器的分辨力。试验证明该方法有助于提高微光像增强器分辨力。 展开更多
关键词 微通道板 微光像增强器 分辨力
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微光像增强器近贴距离在线测试方法研究 被引量:2
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作者 程耀进 郭晖 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期477-481,共5页
鉴于近贴距离尤其第一近贴距离是影响分辨力最重要的因素,提出一种新的微光像增强器近贴距离在线测试方法。应用平行平板电容器原理,通过测量阴极面和微通道板输入面之间的电容值来测量第一近贴距离。利用多组电容值和第一近贴距拟合出... 鉴于近贴距离尤其第一近贴距离是影响分辨力最重要的因素,提出一种新的微光像增强器近贴距离在线测试方法。应用平行平板电容器原理,通过测量阴极面和微通道板输入面之间的电容值来测量第一近贴距离。利用多组电容值和第一近贴距拟合出二者的函数关系式,通过精度分析,对函数关系式进行了修订及验证,测量最大偏差11.9%,满足精度要求。借助在线监控测试第一近贴距离,使压封过程处于受控状态,以便实现近贴距离的精密调控,达到提高微光像增强器分辨力的目的。该方法可推广到其他小间距的在线监控测试。 展开更多
关键词 微光像增强器 近贴距离 在线测试
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Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究 被引量:2
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作者 郭晖 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第1期12-15,共4页
为了实现光阴极光谱响应向短波延伸,分析了G a1-xA lxA s/G aA s三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理,提出了准禁带宽度的概念,讨论了G a1-xA lxA s的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律,计算了不同铝组份下光阴极光谱... 为了实现光阴极光谱响应向短波延伸,分析了G a1-xA lxA s/G aA s三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理,提出了准禁带宽度的概念,讨论了G a1-xA lxA s的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律,计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份,做出了宽光谱响应像管,并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比,发现:所得光谱响应曲线不仅向短波方向得以延伸,而且理论设计与实验结果吻合很好。 展开更多
关键词 光谱延伸 Ga1-xAlxAs/GaAs 光阴极 光谱响应
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GaAs光电阴极智能激活研究 被引量:2
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作者 杨智 牛军 +6 位作者 钱芸生 常本康 石峰 张益军 乔建良 熊雅娟 高频 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期669-672,共4页
研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活系统,该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活,并可在线测量阴极的光谱响应曲线。利用该系统分别进行了智能激活和人工激活实验,采集了激活过程中的光电流... 研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活系统,该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活,并可在线测量阴极的光谱响应曲线。利用该系统分别进行了智能激活和人工激活实验,采集了激活过程中的光电流变化曲线,分析发现,和智能激活过程相比,由于人工激活过程出现了误操作,相邻光电流峰值间的差值下降很快,Cs、O交替的次数也较少。人工激活过程中Cs、O交替6次,光电流最大值为43μA,激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度为796μA/lm。智能激活过程中Cs、O交替9次,光电流最大值为65μA,激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度为1100μA/lm。 展开更多
关键词 GAAS光电阴极 智能激活 光电流 光谱响应
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防离子反馈Al_2O_3膜对三代夜视成像器件性能的影响 被引量:5
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作者 徐江涛 尹涛 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第2期129-132,共4页
为解决三代微光管寿命问题,采用电子显微镜和质谱仪对微通道板输入面溅射蒸镀的Al2O3膜质量进行了分析,研究了膜层对器件性能的影响,并就Al2O3给三代微光夜视成像器件带来的成像质量问题进行了讨论。研究结果表明:尽管Al2O3薄膜可以有... 为解决三代微光管寿命问题,采用电子显微镜和质谱仪对微通道板输入面溅射蒸镀的Al2O3膜质量进行了分析,研究了膜层对器件性能的影响,并就Al2O3给三代微光夜视成像器件带来的成像质量问题进行了讨论。研究结果表明:尽管Al2O3薄膜可以有效地防止离子反馈,但给管子成像质量带来了严重影响,使得图像模糊,信噪比降低等。提出了从本质上解决器件寿命问题的有效措施是将光电阴极与显示屏进行真空隔离,以实现光电阴极无离子反馈的轰击。 展开更多
关键词 Al2O3膜 微光夜视成像器件 MCP 器件寿命
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透射式GaAs光阴极的静电键合粘结 被引量:1
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作者 高斐 郭晖 +5 位作者 胡仓陆 向世明 石峰 彭岔霞 冯驰 徐晓兵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1549-1552,共4页
提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低(350℃),时间短(5min),在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8mA/w(峰值波长为830nm).以此制作的三代微光管的积分... 提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低(350℃),时间短(5min),在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8mA/w(峰值波长为830nm).以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1311uA/lm,优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度(~1200uA/lm). 展开更多
关键词 微光像增强器 GaAs光阴极 静电键合 灵敏度
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基于姿态测量的光电桅杆侦察方法 被引量:1
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作者 刘宇 谭鹏立 +2 位作者 郭城 梁庆仟 刘志东 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-6,共6页
描述了一种用于桅杆式光电系统的侦察定位方法,采用单一陀螺和双轴倾角传感器组合,替代三轴正交的陀螺仪,对光电设备进行姿态测量;结合惯性导航设备获得的大地北向、激光测距机获得的目标相对距离、卫星定位设备获得的本地坐标,通过坐... 描述了一种用于桅杆式光电系统的侦察定位方法,采用单一陀螺和双轴倾角传感器组合,替代三轴正交的陀螺仪,对光电设备进行姿态测量;结合惯性导航设备获得的大地北向、激光测距机获得的目标相对距离、卫星定位设备获得的本地坐标,通过坐标系转换,能够准确获得目标的大地坐标。试验结果表明:通过该方法获得的系统定向精度达到0.3mil,目标的定位精度优于10m(CEP)。 展开更多
关键词 惯性测量 姿态测量 光电桅杆 侦察精度
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三代像增强器的高速选通控制设计 被引量:1
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作者 刘宇 郭城 张保民 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期131-135,共5页
针对水下成像等主动探测应用的需要,设计了一种能够使三代微光像增强高速选通工作的控制电路。应用串联雪崩管电路原理,设计了一种适应三代光阴极的高速选通的控制装置,通过分析和试验,实现了选通控制电路的参数匹配,产生一个-800 V左... 针对水下成像等主动探测应用的需要,设计了一种能够使三代微光像增强高速选通工作的控制电路。应用串联雪崩管电路原理,设计了一种适应三代光阴极的高速选通的控制装置,通过分析和试验,实现了选通控制电路的参数匹配,产生一个-800 V左右、频率125 Hz的选通脉冲,使三代像增强器光阴极能够在3.3、4.9和15.2 ns宽度的脉冲下高速选通工作;测试该选通的三代像增强器极限分辨率,结果表明其极限分辨率在各选通脉冲宽度下基本一致,与不选通时的极限分辨率相差不超过3.8%。 展开更多
关键词 微光夜视 选通成像 三代像增强器 高速
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一种无损测量多层半导体材料厚度的新方法
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作者 成伟 胡仓陆 +1 位作者 周玉鉴 徐晓兵 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期260-262,共3页
通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该... 通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该方法得到的半导体层厚度误差<9%,满足测试精度要求。此方法可用于半导体外延片材料分析、工艺提高以及批量无损测量。 展开更多
关键词 多层半导体材料 激活层 分光光度计 砷化镓
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