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题名直流磁过滤电弧沉积氮化铝薄膜的研究
被引量：1
- 1
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作者
梁海锋
周扬
严一心
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机构
西安工业大学薄膜技术与光学检测重点实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第z2期206-210,共5页
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文摘
利用直流电弧技术在硅基片上制备氮化铝薄膜,研究了薄膜的折射率、消光系数、透过率和沉积速率。薄膜的光学折射率、消光系数、厚度通过椭偏法测试并拟合得到;薄膜的透过率谱通过傅里叶变换红外光谱仪测试,薄膜的沉积速率通过厚度的相应时间计算得到;利用柯希模型来拟合测试得到可见区光学常数,外推得到薄膜在整个近红外、中远红外的光学常数.结果表明:薄膜的折射率随工艺参数的不同有较大的变化范围,并且薄膜在较宽的光谱范围内消光系数为零;薄膜的沉积速率达到85 nm·min^(-1),单面镀制氮化铝薄膜的硅样片的峰值透过滤达到了69.2%.
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关键词
氮化铝
光学常数
沉积速率
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Keywords
AIN
Optical constant
Deposition rate
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分类号
O484.4+1
[理学—固体物理]
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题名磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺
被引量：1
- 2
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作者
朱昌
朱春燕
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机构
西安工业大学薄膜技术与光学检测重点实验室
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出处
《西安工业大学学报》
CAS
2008年第1期15-17,共3页
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基金
陕西省教育厅重点试验室专项基金(03JF13)
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文摘
采用反应磁控溅射的技术，利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜．通过正交实验，分析了工艺参数与沉积速率的关系．研究了氮气浓度对透过率的影响．实验结果表明：在各工艺参数中靶功率对沉积速率影响最大，靶功率为1．0kW，氮气浓度控制在25％～35％时薄膜的性能良好，沉积速率为39nm／min，薄膜在可见光区域平均透过率为90％．该薄膜可以广泛用于光学薄膜和压电薄膜材料．
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关键词
反应磁控溅射
ALN薄膜
沉积速率
透过率
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Keywords
reactive magnetron sputtering
AlN films
deposition rate
transmittance
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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题名铝基复合材料基底镀厚膜TiN的附着力研究
被引量：2
- 3
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作者
严一心
叶伟
王东祥
方小坤
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机构
西安工业大学薄膜技术与光学检测重点实验室
轻工业钟表研究所精密机电研究室
西安电子科技大学技术物理学院
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出处
《西安工业大学学报》
CAS
2007年第2期110-113,共4页
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基金
国防科工委基金项目(74)
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文摘
利用直流磁过滤多弧离子镀技术在铝基复合材料基片上镀制大于25μm的TiN厚膜.对厚膜TiN的附着力及其与各种工艺条件的关系.采用扫描电镜对厚膜TiN的微观结构及划痕形貌进行了分析.研究结果表明:基片的清洗、基片的温度、孤电流、脉冲偏压和镀层界面组织结构等都影响厚膜TiN的附着力;弧电流为70A、脉冲偏压为100V、占空比为70%、温度为200℃时,厚膜TiN的临界载荷达到4.5kg/mm^2,远大于指标要求4kg/mm^2;镀层界面的融合有利于提高厚膜TiN的附着力.
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关键词
厚膜TiN
附着力
脉冲偏压
弧电流
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Keywords
thick-film TiN
adhesive strength
pulsed bias
arc current
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分类号
TB43
[一般工业技术]
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