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0.75PZT-x PZN-(0.25-x)PNN压电陶瓷的相结构和电性能 被引量：2
1
作者 冯晓颖 周黎阳 +5 位作者 许心 王挥 阎彬 许晓宇 许杰 高峰 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第4期531-536,共6页
采用传统固相法制备了0.75Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_(3)-xPb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-(0.25-x)Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)(0.75PZT-xPZN-(0.25-x)PNN,摩尔分数x=0.05,0.10,0.15,0.20)压电陶瓷,研究了x值对陶瓷晶体结构、烧结特性、微观组... 采用传统固相法制备了0.75Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_(3)-xPb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-(0.25-x)Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)(0.75PZT-xPZN-(0.25-x)PNN,摩尔分数x=0.05,0.10,0.15,0.20)压电陶瓷,研究了x值对陶瓷晶体结构、烧结特性、微观组织和介电、铁电、压电性能的影响规律。结果表明,陶瓷中三方相和四方相共存,当x=0.10~0.20时,陶瓷组分位于准同型相界(MPB)附近。随着PZN含量的增加,三方相含量减少,四方相含量增加,陶瓷的介电常数(ε_(T))、压电常数(d_(33))、机电耦合系数(k_(p))和能量转化因子(d_(33)×g_(33))均随之先增大后减小,当x=0.15时,0.75PZT-0.15PZN-0.10PNN陶瓷具有最佳电学性能,即ε_(T)=1850,公电损耗tanδ=0.029,居里温度T_(C)=280℃,d_(33)=370 pC/N,k_(p)=0.67。 展开更多
关键词 压电陶瓷 组分设计 准同型相界(MPB) 居里温度 压电性能
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