期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
VLSI金属互连电迁移1／f^γ噪声特性研究 被引量：1
1
作者 薛丽君 杜磊 +1 位作者 庄奕琪 徐卓 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期70-74,共5页
通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损... 通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/fγ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/fγ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/fγ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量. 展开更多
关键词 VLSI 超大规模集成电路 金属互连 电迁移 1/f噪声
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部