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太赫兹时域光谱在物理电子实验教学中的应用探索
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作者 邱岩 龚立榕 +1 位作者 胡龙 李永东 《实验室研究与探索》 北大核心 2025年第4期129-133,166,共6页
基于太赫兹时域光谱开展了物理电子学的实验教学探索,设计了“太赫兹时域光谱-物质质量分数测量”教学实验。以典型绝缘材料乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)样品为例,针对太赫兹波传输的基本光学常数和其中抗氧剂质量分数开展了实验测量和分... 基于太赫兹时域光谱开展了物理电子学的实验教学探索,设计了“太赫兹时域光谱-物质质量分数测量”教学实验。以典型绝缘材料乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)样品为例,针对太赫兹波传输的基本光学常数和其中抗氧剂质量分数开展了实验测量和分析。实验教学促进了学生对物理电子学理论知识的深入理解,并显著增强了其在跨学科情境中综合运用知识解决复杂问题的创新能力。 展开更多
关键词 太赫兹时域光谱 物质质量分数测量 光学参数提取 定量分析
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异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展 被引量:2
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作者 陈根强 赵浠翔 +4 位作者 于众成 李政 魏强 林芳 王宏兴 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期931-944,共14页
相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料... 相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料。然而由于可获得单晶金刚石的尺寸较小,且价格昂贵,极大地阻碍了金刚石的发展。历经长时间的探索,异质外延生长技术成为了获得高质量、大面积单晶金刚石的有效手段。本综述从金刚石异质外延的衬底选择、生长机理以及质量改善等方面对近些年来异质外延单晶金刚石的发展进行详细介绍。进一步地,对基于异质外延单晶金刚石的场效应晶体管和二极管的研究进行了总结,说明了异质外延单晶金刚石在电子器件领域的巨大潜力。最后总结了异质外延单晶金刚石仍需面对的挑战,展望了其在未来的应用与发展前景。 展开更多
关键词 单晶金刚石 异质外延生长 宽禁带半导体 半导体器件 场效应晶体管 二极管
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MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展 被引量:12
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作者 王艳丰 王宏兴 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2139-2152,共14页
本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望。详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理。研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生... 本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望。详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理。研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导。分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积。在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展。通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展。最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景。 展开更多
关键词 金刚石 MPCVD 横向外延 拼接生长 掺杂 二极管 场效应晶体管 探测器
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表面传导电子发射显示器件制备工艺研究
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作者 刘婷 周子云 +1 位作者 吴胜利 胡文波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期408-412,共5页
介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵... 介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵列发光。最后,针对发光显示图像从三个方面分别进行了分析,为整个器件性能的改进提供了很好的参考价值。 展开更多
关键词 表面传导电子发射显示器 阴极基板 阳极基板真空封接
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大气压下均匀场氮气间隙纳秒脉冲放电过程的三维PIC/MCC仿真研究
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作者 王永亮 李俊娜 +3 位作者 史浩良 李好 蒋铭 邱爱慈 《高电压技术》 北大核心 2025年第4期2037-2048,I0025,共13页
为研究几十纳秒脉冲电压下放电参数对气体火花开关间隙放电过程的影响机理,基于场致发射假设,采用三维粒子仿真模型模拟了大气压下均匀场氮气间隙在不同条件下的纳秒脉冲放电通道的形成和发展过程。通过调整脉冲电压上升时间、种子电子... 为研究几十纳秒脉冲电压下放电参数对气体火花开关间隙放电过程的影响机理,基于场致发射假设,采用三维粒子仿真模型模拟了大气压下均匀场氮气间隙在不同条件下的纳秒脉冲放电通道的形成和发展过程。通过调整脉冲电压上升时间、种子电子数密度和场增强因子等参数,研究了放电参数对电子崩和流注形态结构的影响。模拟结果表明:电子崩向阳极发展,流注向阳极和阴极同时发展,流注通道存在明显分叉现象,放电参数不同时,流注通道传播速度和形态结构存在差异;种子电子数密度一定时,脉冲电压上升时间越大,流注通道传播速度越小,分叉现象越严重。脉冲电压上升时间一定时,高种子电子数密度可以促进流注的形成和发展,减弱流注通道的分叉现象;高场增强因子可实现显著的预电离效果,有效促进流注通道的形成和发展,最大程度地减弱流注通道的分叉现象。 展开更多
关键词 纳秒脉冲放电 三维粒子模拟 均匀场氮气间隙 气体火花开关 流注通道分叉
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高功率微波器件2.5维通用粒子模拟软件——尤普 被引量:18
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作者 李永东 王洪广 +3 位作者 刘纯亮 张殿辉 王建国 王玥 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1866-1870,共5页
利用体积加权宏粒子模型,考虑了阴极形状的爆炸电子发射模型、散度校正完全匹配层边界等新型和改进型电磁粒子模拟算法模型,提高了粒子模拟算法的计算精度,并有效降低数值噪声。在此基础上开发出2.5维全电磁通用粒子模拟软件——尤普,可... 利用体积加权宏粒子模型,考虑了阴极形状的爆炸电子发射模型、散度校正完全匹配层边界等新型和改进型电磁粒子模拟算法模型,提高了粒子模拟算法的计算精度,并有效降低数值噪声。在此基础上开发出2.5维全电磁通用粒子模拟软件——尤普,可在x-y,z-r和r-φ3种坐标系下应用于高功率微波器件的2.5维数值模拟研究和结构设计。对相对论磁控管、磁绝缘线振荡器和虚阴极振荡器等高功率微波器件的模拟结果表明:尤普软件得到了正确的物理图像和物理规律。 展开更多
关键词 高功率微波 粒子模拟 尤普软件 相对论磁控管 虚阴极振荡器
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高性能多功能超高真空金属二次电子发射特性测试平台 被引量:20
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作者 张娜 曹猛 +1 位作者 崔万照 张海波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期554-558,共5页
介绍了一套高性能多功能的超高真空金属二次电子发射特性测试平台。该平台包含了超高真空系统、测试系统、原位表面处理系统和控制与数据处理系统四个部分,实现了在10-8Pa的超高真空下准确测试金属材料的二次电子发射特性。该平台采用... 介绍了一套高性能多功能的超高真空金属二次电子发射特性测试平台。该平台包含了超高真空系统、测试系统、原位表面处理系统和控制与数据处理系统四个部分,实现了在10-8Pa的超高真空下准确测试金属材料的二次电子发射特性。该平台采用了偏压电流法和收集极法两种测试二次电子产额的方法,配置了全自动控制的双通道筒镜型电子能谱仪测试二次电子能谱,集成了氩离子清洗和热处理部件研究表面状况对二次电子发射特性的影响。在测试原理及功能介绍的基础上,展示了二次电子发射特性的典型测试结果。 展开更多
关键词 物理电子学 二次电子发射 测试平台 超高真空系统
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侧窗型打拿极光电倍增管的增益特性研究
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作者 贺峦轩 陈萍 +4 位作者 李洁 刘虎林 田进寿 胡文波 吴胜利 《光子学报》 北大核心 2025年第5期69-79,共11页
针对侧窗型打拿极光电倍增管增益低、增益一致性差的问题,通过三维动态仿真方法,系统分析了光阴极位置、打拿极形状、排布角度、间距及长度对增益的影响,通过可视化追踪电子轨迹,直观地展示了不同结构下的电子运动路径、对增益的影响方... 针对侧窗型打拿极光电倍增管增益低、增益一致性差的问题,通过三维动态仿真方法,系统分析了光阴极位置、打拿极形状、排布角度、间距及长度对增益的影响,通过可视化追踪电子轨迹,直观地展示了不同结构下的电子运动路径、对增益的影响方式,厘清了影响规律。并优化结构,在不改变打拿极材料和工作电压下,将增益由9.1×10^(6)提升至2.1×10^(7)。提供了一种仿真、设计打拿极光电倍增管的方法,可直接观察不同结构对电子运动轨迹和性能的影响,避免在研制光电倍增管时,盲目试结构,造成成本增加且达不到理想性能,能够为国内自主研制高性能打拿极光电倍增管及其他电子、离子探测器件提供指导。 展开更多
关键词 侧窗光电倍增管 增益优化 结构参数分析 二次电子发射 模拟仿真
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Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展 被引量:11
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作者 游检卫 张剑锋 +1 位作者 李韵 王洪广 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期3035-3039,共5页
当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模... 当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上,成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外,为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中,还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。 展开更多
关键词 二次电子发射模型 Vaughan模型 电磁粒子仿真 出射能量 出射角度
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高功率微波作用下介质窗表面电子运动2维仿真 被引量:7
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作者 郝西伟 张冠军 +3 位作者 黄文华 秋实 陈昌华 方进勇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期99-104,共6页
建立了真空中高功率微波作用下介质窗表面电子运动2维仿真模型,充分考虑了微波电磁场及介质表面静电场等影响因素。通过对不同电子出射初始角度和微波场参数(电场幅值、频率及电子出射时电场相位)对电子运动状态影响的仿真分析,得到了... 建立了真空中高功率微波作用下介质窗表面电子运动2维仿真模型,充分考虑了微波电磁场及介质表面静电场等影响因素。通过对不同电子出射初始角度和微波场参数(电场幅值、频率及电子出射时电场相位)对电子运动状态影响的仿真分析,得到了二次电子倍增过程中电子在复合场下的运动轨迹、电子重新返回介质表面的撞击能量及返回时间等状态参数,获得了电子运动状态参数随电子出射角度和微波场参数的变化规律。研究发现:电子出射角度对其运动状态有显著影响,电子存在运动轨迹最大的某一出射角度,该角度下电子拥有最大的撞击能量;微波电场幅值的增加将使电子撞击能量增加,返回时间减小,微波电场相位的变化使电子的撞击能量和返回时间呈周期振荡,这从本质上解释了电子数量在二次电子倍增过程中以微波频率两倍周期振荡的原因;随着微波频率的增加电子将由简单的类抛物线运动转变为复杂的振荡运动。 展开更多
关键词 高功率微波 介质窗 2维仿真 电子运动轨迹 撞击能量 返回时间
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电子轰击下MgO薄膜的二次电子效应的衰减机理 被引量:4
11
作者 魏强 吴胜利 +3 位作者 付马龙 李洁 胡文波 张劲涛 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期125-129,共5页
以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理... 以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 MgO薄膜 二次电子发射 介质薄膜 衰减机理
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微放电试验中种子电子加载方法比较 被引量:3
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作者 王新波 崔万照 +2 位作者 魏焕 何鋆 孙勤奋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期96-101,共6页
为改进微放电试验的有效性,针对微放电试验中种子电子的加载方法进行了研究,介绍了辐射源、紫外光源、电子枪三种加载方法,并说明和比较了上述方法的优缺点和适用范围。接着重点介绍了两种辐射源加载种子电子的方法:β衰变和γ跃迁,并... 为改进微放电试验的有效性,针对微放电试验中种子电子的加载方法进行了研究,介绍了辐射源、紫外光源、电子枪三种加载方法,并说明和比较了上述方法的优缺点和适用范围。接着重点介绍了两种辐射源加载种子电子的方法:β衰变和γ跃迁,并对两种方法加载种子电子的特性进行了定量分析。所得结果表明,基于β衰变的^(90)Sr及同时进行β衰变和γ跃迁的^(137)Cs均可产生能够穿透毫米量级铝质微波部件壁厚的不同数量的种子电子,适合用于微放电试验中的种子电子加载。 展开更多
关键词 微放电 试验 种子电子 辐射源 电子枪
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阴极透镜层流电子枪调制特性 被引量:5
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作者 王超 唐天同 康晓辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期661-665,共5页
通过求解第一类边界条件的拉普拉斯方程,获得了典型的三电极阴极透镜中轴上电位的解析表达式。以此为基础,分析了阴极透镜各几何参数及电位参数对其聚焦性能的影响,得知通过增大调制极电位或其孔径、增加调制极与加速极的间距或缩小调... 通过求解第一类边界条件的拉普拉斯方程,获得了典型的三电极阴极透镜中轴上电位的解析表达式。以此为基础,分析了阴极透镜各几何参数及电位参数对其聚焦性能的影响,得知通过增大调制极电位或其孔径、增加调制极与加速极的间距或缩小调制极与阴极的间距的方法,可以保证在改善初始粒子时间、空间弥散特性的基础上,相对减小轴向电场的非均匀性以减弱其会聚电场强度,从而使带电粒子束在阴极透镜区域中不能形成交叠点,达到构成其中电子运动具有层流性质的阴极透镜层流电子枪的工程应用目的。另外也获得了采用厚度较小的调制极有助于整个电子光学系统性能优化的结论。 展开更多
关键词 阴极透镜 电子枪 层流 边界条件 弥散
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阳极氧化电流密度和时间对多孔硅形貌和电子发射特性的影响 被引量:3
14
作者 张玉娟 张小宁 +1 位作者 王文江 刘纯亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期857-860,共4页
为了应用于场发射显示器,采用电化学阳极氧化,快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属/多孔硅/硅基底/金属结构的多孔硅电子发射体,并运用扫描电子显微镜观察了多孔硅的微观形貌,结果发现多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密... 为了应用于场发射显示器,采用电化学阳极氧化,快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属/多孔硅/硅基底/金属结构的多孔硅电子发射体,并运用扫描电子显微镜观察了多孔硅的微观形貌,结果发现多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密度的增加而增加,多孔硅层的厚度随着阳极氧化电流密度和时间乘积的增加而增加。在真空系统中测量了多孔硅的电子发射特性,电子发射的阈值电压Vth随着多孔硅层厚度的增加而增加;最大的发射效率η为7.5‰,此效率出现在孔径6—16nm,多孔硅层厚度为11.06μm的样品中,对应的器件电压Vps为30V。 展开更多
关键词 场发射显示器 电子发射特性 扫描电镜 多孔硅 阳极氧化
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强流微束斑电子束系统的研究和设计计算 被引量:3
15
作者 郭小立 唐天同 +1 位作者 康永锋 任岩 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期435-440,共6页
本文研究了强流微束斑电子束的形成问题。提出了一种采用新型磁透镜的电磁复合聚焦系统,这种新型电子束系统的轴上磁场在电子束束腰附近达到极大值,并且轴上磁场分布关于其极大值不对称。利用附加电极在磁场较强的区域构成具有拒斥电场... 本文研究了强流微束斑电子束的形成问题。提出了一种采用新型磁透镜的电磁复合聚焦系统,这种新型电子束系统的轴上磁场在电子束束腰附近达到极大值,并且轴上磁场分布关于其极大值不对称。利用附加电极在磁场较强的区域构成具有拒斥电场的电透镜,以充分抑制空间电荷推斥力的散焦作用。利用描述电流密度分布演化的变态伏拉索夫方程,研究了强流微束斑电子束系统,数值分析研究了透镜激励和电子束初始条件对于电流密度分布演化的影响。发现侧极靴透镜和相应电极形成的电磁复合聚焦场对于强电流电子束具有优秀的聚焦效果,设计出了利用侧极靴磁透镜的新型电子光学系统,这种系统可以形成电流达到1.96mA、束斑半径仅为4.2μm的强电流微束斑电子束。 展开更多
关键词 强流电子束 微束斑 电流密度分布的演化 侧极靴磁透镜 电磁复合聚焦
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有机电致发光器件稳定性测试系统的设计与实现 被引量:3
16
作者 张稳稳 吴朝新 +1 位作者 朱仁龙 侯洵 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期64-67,72,共5页
针对目前有机电致发光器件的稳定性测试系统电路复杂和成本较高等问题,设计了一种有机电致发光器件稳定性测试系统.该系统采用集成运放组建器件的驱动电源,用硅光电池俘获亮度值,并选用基于PCI总线的采集卡来采集亮度数据和电压数据.该... 针对目前有机电致发光器件的稳定性测试系统电路复杂和成本较高等问题,设计了一种有机电致发光器件稳定性测试系统.该系统采用集成运放组建器件的驱动电源,用硅光电池俘获亮度值,并选用基于PCI总线的采集卡来采集亮度数据和电压数据.该稳定性测试系统不仅能够提供常用的恒流驱动方式,而且可以提供一种电流-电压混合源(正向恒流反向恒压)驱动.由于采用硅光电池代替传统的辉度计,因此大幅度节约了成本;基于PCI总线的采集卡的选择,降低了开发设计的难杂程度,缩短了开发周期.测试结果表明,该系统能够测试不同样品的亮度衰减和电压上升情况,性能稳定,数据可靠. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 稳定性 电流-电压混合源
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电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究 被引量:1
17
作者 郭滨刚 刘纯亮 +2 位作者 刘柳 范玉峰 夏星 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-56,共4页
采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ... 采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ,并改变其结晶取向。当ZrO2 掺杂比为 0和 0 .10时 ,晶格畸变较小 ,容易获得 (111)结晶取向 ;当ZrO2 掺杂比为0 .0 5和 0 .2 0时 ,晶格畸变较大 ,容易获得 (2 2 0 )或 (2 0 0 )结晶取向。蒸镀工艺对 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )取向的影响不尽相同 :较高的蒸镀速率有利于获得较强的 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )衍射峰 ;较低的基板温度有利于获得 (111)和 (2 2 0 )结晶取向 ,而较高的基板温度则有利于获得 (2 0 0 )结晶取向。 展开更多
关键词 结晶取向 蒸镀 复合介质 掺杂 ZRO2 晶格畸变 衍射 保护膜 基板 电子束
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真空磁绝缘传输线损失电子模拟 被引量:1
18
作者 张鹏飞 李永东 +8 位作者 杨海亮 邱爱慈 刘纯亮 王洪广 郭帆 苏兆锋 孙剑锋 孙江 高屹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2239-2242,共4页
真空磁绝缘传输线建立磁绝缘状态的初始阶段,损失电子轰击阳极,发生轫致辐射。针对自限制流同轴圆筒模型,通过粒子模拟获得了损失前沿在能量传输方向的推进速度、电子到达阳极时的能谱和角分布情况,在此基础上采用蒙特卡罗方法模拟得到... 真空磁绝缘传输线建立磁绝缘状态的初始阶段,损失电子轰击阳极,发生轫致辐射。针对自限制流同轴圆筒模型,通过粒子模拟获得了损失前沿在能量传输方向的推进速度、电子到达阳极时的能谱和角分布情况,在此基础上采用蒙特卡罗方法模拟得到了轫致辐射所产生的X射线能谱。数值计算结果表明:电磁波损失前沿在能量传输方向的推进速度小于光速;损失前沿电子密度稳定。在自限制流磁绝缘传输线中,损失电子处在较宽的能量范围内,其电子偏移角度较小。建立了对应于同轴圆筒真空磁绝缘传输线的电子/光子输运模型,获得了损失电子轰击阳极产生的X射线能谱。 展开更多
关键词 真空磁绝缘传输线 粒子模拟 蒙特卡罗 损失电子
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强流电子束二极管绝缘子分析与设计 被引量:1
19
作者 赵亮 苏建仓 +2 位作者 彭建昌 潘亚峰 张喜波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期494-498,共5页
对应用在Tesla型强流加速器中的电子束二极管绝缘子进行了仿真,发现电场增强区域与实际发生击穿区域基本一致。从绝缘子沿面电场分布、电力线和绝缘子表面所成角度分布以及材料缺陷等方面分析了击穿发生的原因。认为材料中存在缺陷是导... 对应用在Tesla型强流加速器中的电子束二极管绝缘子进行了仿真,发现电场增强区域与实际发生击穿区域基本一致。从绝缘子沿面电场分布、电力线和绝缘子表面所成角度分布以及材料缺陷等方面分析了击穿发生的原因。认为材料中存在缺陷是导致绝缘子发生击穿的主要原因,局部场增强和非最优化结构设计促成了击穿的发生。对影响绝缘子沿面电场分布的同轴线关键位置进行了设计,得出了阳极倒角半径和阴极屏蔽环半径两个参量的最佳取值范围。 展开更多
关键词 电子束二极管 绝缘子 电场分布 击穿
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厚样品电子断层成像中的电子透过率非线性效应 被引量:1
20
作者 曹猛 李瀛台 +1 位作者 张海波 王芳 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期50-54,共5页
为提高透射电子显微术中厚样品电子断层成像的质量,研究了电子透过率与样品质量厚度之间的非线性关系对厚样品电子断层成像的影响.在微米量级厚样品电子透过率实测结果的基础上,通过计算机模拟生成系列投影像并进行了图像重构.模拟结果... 为提高透射电子显微术中厚样品电子断层成像的质量,研究了电子透过率与样品质量厚度之间的非线性关系对厚样品电子断层成像的影响.在微米量级厚样品电子透过率实测结果的基础上,通过计算机模拟生成系列投影像并进行了图像重构.模拟结果表明,电子透过率的非线性会在重构结果中产生伪结构,投影值偏离量随投影位置的变化率与伪结构相关.进一步评价了样品在不同倾斜角度范围时电子的非线性透过率对图像重构质量的影响,发现这种影响随样品倾斜角度增大而增强,并有可能降低图像重构的质量. 展开更多
关键词 断层成像 透射电子显微术 非线性效应 厚样品
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