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题名一类新型的中红外可调谐激光晶体的研究进展
被引量：2
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作者
姜海青
姚熹
车峻
汪敏强
孔凡涛
张良莹
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机构
西安交通大学电子材料研究所教育部重点实验室
同济大学功能材料研究所
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期399-403,共5页
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基金
"九七三"计划资助项目 ( 2 0 0 0 2 CB613 3 0 5 )
中国 -以色列国际合作项目
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文摘
近年来 ,固体激光器取得了重要的进展及许多新的激光晶体材料 ,并且器件水平也不断提高。特别是出现了过渡金属离子掺杂的 - 族半导体材料的中红外激光晶体 ,在这类晶体材料中 ,Cr2 + 掺杂 - 族半导体材料表现出优良的室温荧光性能 ,且具有较宽的调谐范围及较高的量子效率 。
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关键词
激光晶体
中红外波段
Ⅱ-Ⅵ族半导体
Cr^2+
ZNSE
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Keywords
laser crystal
mid-infrared wavelength
Ⅱ-Ⅵ semiconductor
Cr^(2+):ZnSe
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分类号
TB32
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN2
[电子电信—物理电子学]
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题名ZnSe/SiO_2薄膜光学常数的椭偏光谱测量
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作者
姜海青
姚熹
车俊
汪敏强
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机构
西安交通大学电子材料研究所教育部重点实验室
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期353-356,共4页
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基金
"九七三"计划基金资助项目(20002CB613305)
中国-以色列国际合作基金资助项目
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文摘
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜。X-射线衍射(XRD)分析表明,ZnSe/SiO2复合薄膜中ZnSe晶体为闪锌矿(立方ZnS)。利用椭偏光谱仪测量了不同ZnSe含量的ZnSe/SiO2复合薄膜的椭偏参数Δ与波长λ的色散关系,采用Maxwell-Garnett(MG)有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了计算。结果表明,单层ZnSe/SiO2薄膜厚度在300 nm以上时,随着溶胶体系Zn2+、SeO42-浓度的增加而增大,气孔率在30%左右,ZnSe含量约为溶胶体系中Zn2+、SeO42-浓度的1/2;通过MG有效介质理论的计算表明,可以通过调整旋涂次数及Zn2+、SeO42-浓度来调整薄膜的厚度和ZnSe/SiO2的摩尔比率,可在工艺上控制ZnSe/SiO2复合薄膜光学参数。
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关键词
ZnSe/SiO2复合薄膜
椭偏光谱
光学常数
有效介质理论
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Keywords
ZnSe/SiO2 composite thin films
spectroscopic ellipsometry
optical constant
effective medium theory
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
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