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p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
被引量：
1
1
作者
吴文刚
张万荣
+1 位作者
江德生
罗晋生
《电子科学学刊》
CSCD
1996年第6期639-643,共5页
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变...
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
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关键词
锗硅合金
应变
重掺杂
能带结构
半导体
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职称材料
P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
2
作者
吴文刚
江德生
罗晋生
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期90-92,共3页
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一...
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降．与实验报道的对比证实了本模型的有效性．
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关键词
锗硅合金
应变
重掺杂
能带结构
半导体
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职称材料
题名
p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
被引量：
1
1
作者
吴文刚
张万荣
江德生
罗晋生
机构
半导体超晶格国家重点实验室 中国科学院半导体
研究
所
西安交通大学电子工程系微电子研究室
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1996年第6期639-643,共5页
文摘
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
关键词
锗硅合金
应变
重掺杂
能带结构
半导体
Keywords
SiGe alloy, Strain, Heavy doping, Band structure
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
TN302 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
2
作者
吴文刚
江德生
罗晋生
机构
半导体超晶格国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期90-92,共3页
文摘
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降．与实验报道的对比证实了本模型的有效性．
关键词
锗硅合金
应变
重掺杂
能带结构
半导体
Keywords
Band structure
Semiconductor doping
Silicon alloys
Strain
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
吴文刚
张万荣
江德生
罗晋生
《电子科学学刊》
CSCD
1996
1
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职称材料
2
P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
吴文刚
江德生
罗晋生
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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