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Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究 被引量：12
1
作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期43-47,共5页
本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管（ＤＨＢＴ）异质结势垒效应（ＨＢＥ），研究发现，集电结（ＢＣ）处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。在低温下ＨＢＥ... 本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管（ＤＨＢＴ）异质结势垒效应（ＨＢＥ），研究发现，集电结（ＢＣ）处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。在低温下ＨＢＥ比常温下更严重地退化器件参数；基于以上研究结果，我们指出了减弱ＨＢＥ的有效方法，本研究结果对设计开发Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，尤其对设计开发低温工作的微波功率Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ是非常重要的。 展开更多
关键词 应变层 势垒 异质结 双极晶体管 锗化硅
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