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4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
1
作者
叶思恩
黄丹阳
+2 位作者
付祥和
赵小龙
贺永宁
《强激光与粒子束》
北大核心
2025年第5期29-35,共7页
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压...
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压的减小而下降,当光电晶体管偏置在3 V下,响应度下降到2.25 A/W。电子束辐照还会影响紫外探测器的开关响应,使响应的总时间变长。结合光电晶体管工作时的电路模型,电子束辐照后引起光产生电流减小、晶体管增益下降和串联电阻增大是引起光电探测器紫外响应性能退化的主要原因。
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关键词
4H-SiC探测器
双极型晶体管
电子束辐照
响应电流
紫外探测
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职称材料
高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备
被引量：
2
2
作者
黄铭水
聂君扬
+8 位作者
刘明洋
李洋
潘魁
邓俐颖
杨天溪
黄忠航
孙捷
严群
郭太良
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1553-1560,共8页
本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldis...
本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。
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关键词
Micro-LED
高分辨率
倒装芯片
刻蚀
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职称材料
题名
4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
1
作者
叶思恩
黄丹阳
付祥和
赵小龙
贺永宁
机构
西安交通大学电子信息学部
西安交通大学
微纳
电子
与系统集成重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
北大核心
2025年第5期29-35,共7页
基金
国家自然科学基金项目(62004158)。
文摘
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压的减小而下降,当光电晶体管偏置在3 V下,响应度下降到2.25 A/W。电子束辐照还会影响紫外探测器的开关响应,使响应的总时间变长。结合光电晶体管工作时的电路模型,电子束辐照后引起光产生电流减小、晶体管增益下降和串联电阻增大是引起光电探测器紫外响应性能退化的主要原因。
关键词
4H-SiC探测器
双极型晶体管
电子束辐照
响应电流
紫外探测
Keywords
4H-SiC detector
bipolar transistor
electron irradiation
response photocurrent
ultraviolet detection
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备
被引量：
2
2
作者
黄铭水
聂君扬
刘明洋
李洋
潘魁
邓俐颖
杨天溪
黄忠航
孙捷
严群
郭太良
机构
福州
大学
物理与
信息
工程学院
中国福建光电
信息
科学与技术创新实验室
晋江市博感
电子
科技有限公司
西安交通大学电子信息学部
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1553-1560,共8页
基金
福建省科技厅项目(No.2021HZ0114,No.2021J01583,No.2021L3004)
中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(No.2021ZZ122,No.2020ZZ110)
国家重点研发计划(No.2021YFB3600104)。
文摘
本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。
关键词
Micro-LED
高分辨率
倒装芯片
刻蚀
Keywords
Micro-LED
high resolution
flip-chip
etch
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
叶思恩
黄丹阳
付祥和
赵小龙
贺永宁
《强激光与粒子束》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备
黄铭水
聂君扬
刘明洋
李洋
潘魁
邓俐颖
杨天溪
黄忠航
孙捷
严群
郭太良
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
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职称材料
已选择
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