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Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究
被引量：
2
1
作者
岳瑞峰
王佑祥
+1 位作者
陈春华
徐传骧
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期233-238,共6页
采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。...
采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。结果表明，在Mo／Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有MoO2生成。延长退火时间，过渡层变化不大。
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关键词
界面
质谱
SIMS
钼
薄膜
半导体
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职称材料
题名
Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究
被引量：
2
1
作者
岳瑞峰
王佑祥
陈春华
徐传骧
机构
中国科学院表面物理国家重点实验室
西安交通大学电器绝缘研究所
出处
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期233-238,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。结果表明，在Mo／Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有MoO2生成。延长退火时间，过渡层变化不大。
关键词
界面
质谱
SIMS
钼
薄膜
半导体
Keywords
Mo/α-Al_2O_3 Interface, Secondary ion mass spectrometry, Depth profiling
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究
岳瑞峰
王佑祥
陈春华
徐传骧
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
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参考文献
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