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题名铜基封装材料的研究进展
被引量：20
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作者
蔡辉
王亚平
宋晓平
丁秉钧
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机构
西安交通大学理学院非平衡物质结构及量子调控教育部重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第15期24-28,共5页
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基金
国家自然科学基金(50871078)
教育部新世纪优秀人才项目资助项目
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文摘
具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料。综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题。指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向。
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关键词
铜基复合材料
电子封装
碳化硅
硅
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Keywords
copper matrix composites, electronic packaging, silicon carbide, silicon
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
TG139.6
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名Ag修饰对Mg基贮氢合金电化学性能的影响
被引量：1
- 2
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作者
武红彬
吴东昌
梁工英
郭永利
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机构
西安交通大学理学院
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出处
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期23-27,共5页
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基金
高等学校博士学科点专项科研基金(20090201110043)
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文摘
针对熔体快淬法制备的非晶Mg65Ni27La8合金利用置换沉积的方法在非晶合金表面沉积金属Ag,以期改善合金电极的循环性能。修饰后的合金电极最大放电比容量虽然略低于修饰前的合金电极(590 mAh/g),但是都显示了较好循环稳定性。当Ag/Mg的摩尔比为1/5时,合金电极最大放电容量为551 mAh/g,且合金经过20个充放电循环后放电比容量保持率仍达69%;线性极化曲线显示其交换电流密度为353 mA/g;表面修饰后的合金颗粒之间的接触阻抗和合金表面的电荷传输阻抗均有不同程度的降低,分别由修饰前的0.91Ω和3.15Ω降低到0.33Ω和0.85Ω。
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关键词
金属材料
氢存储
表面修饰
银
电化学性能
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Keywords
metallic materials
hydrogen storage
surface modification
Ag
electrochemical performance
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分类号
TG139
[一般工业技术—材料科学与工程]
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