pA量级质子束流测量系统 被引量：5

1

作者 贺朝会 耿斌 +4 位作者 陈晓华 张前美 杨海亮 李国政 刘恩科 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期40-42,4,共4页

研制的质子束流测量系统，本底电流仅为１０－ １４Ａ 量级，可测最大电流达ｍ Ａ 量级。在质子单粒子效应实验中，测得了ｐＡ 量级的质子束流及其随时间变化的关系，为半导体器件单粒子翻转截面的计算提供了必需的数据。

关键词 法拉第探测器 静电计 质子束流测量系统

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北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析 被引量：3

2

作者 贺朝会 李国政 刘恩科 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期175-181,共7页

首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。... 首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明：选取重核做靶可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额（ｄ２ＹｄＥｄΩ）可达１．６６×１０－３ｓ－１·ｓｒ－１·ｅＶ－１。可以用ＢＥＰＣ次级束中的质子做翻转截面比较大（σ＝１０－８ｃｍ２）的半导体器件的单粒子效应实验研究。 展开更多

关键词 质子 单粒子效应 正负电子对撞机 次级束模拟

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钼阴极表面电子流的HRTFEM观察

3

作者 窦菊英 陈尔纲 +1 位作者 杨德清 朱长纯 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期619-620,共2页

关键词 钼阴极 表面电子流 HRTFEM

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FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究 被引量：4

4

作者 贺朝会 陈晓华 +5 位作者 李国政 刘恩科 王燕萍 姬林 耿斌 杨海亮 《核电子学与探测技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期115-119,153,共6页

给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错... 给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错误 ;当中子注量达到一定值时 ,开始出现错误。随着中子注量的增加 ,错误数增加 ,直到所有“0”变为“1”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误 ,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下 ,不加电的器件无错误 ,而加电的器件都出现错误 。 展开更多

关键词 FLASH ROM 14MeV 中子辐照实验

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6H-SiC JFET高温解析模型 被引量：2

5

作者 张玉明 张义门 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期117-119,138,共4页

本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6HSiCJEFT性能（包括亚阈区）的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出... 本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6HSiCJEFT性能（包括亚阈区）的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出电导、温度决定的模型参数等效应载流子的计算考虑了SiC中杂质能级特点，采用两级电离模型，模拟了典型结构器件的高温特性。 展开更多

关键词 碳化硅 场效应晶体管 模型 高温

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Si_(1-x)Ge_x/Si Y-分支波长信号分离器 被引量：1

6

作者 李宝军 李国正 刘恩科 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期251-255,共5页

利用Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的等离子体色散效应，对１．３μｍ和１．５５μｍ光通信波长的Ｓｉ基Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器进行了理论分析，设计了结构参数和电学参数，并分析了其分支特性．

关键词 SI1-XGEX 光波导 波长信号分离器

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关于合成立方氮化硼触媒材料的研究 被引量：4

7

作者 于丽娟 《西安建筑科技大学学报（自然科学版）》 EI CSCD 1998年第1期86-88,共3页

参考国内外的有关工作，进一步研究了合成立方氮化硼（以下简称ｃＢＮ）的触媒材料Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的制备方法，通过改进工艺得到了高纯相Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４（９５％），证明了该触媒对合成ｃＢＮ有良好作用，通过对Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的常、高... 参考国内外的有关工作，进一步研究了合成立方氮化硼（以下简称ｃＢＮ）的触媒材料Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的制备方法，通过改进工艺得到了高纯相Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４（９５％），证明了该触媒对合成ｃＢＮ有良好作用，通过对Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的常、高压相的Ｘ射线谱的分析表明，对合成ｃＢＮ起作用的是Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的高压相而不是常压相． 展开更多

关键词 催化剂 合成 立方氮化硼 高温高压

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SO_2气体传感器的新进展 被引量：8

8

作者 魏培永 韩建强 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期1-3,共3页

主要介绍了国内外当前SO2 气体传感器的研究现状及其发展趋势 ,并着重介绍了声表面波 (SAW )SO2

关键词 气体传感器 声表面波 二氧化硫

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AlGaAs/GaAs HBT能量输运模型

9

作者 张玉明 张义门 罗晋生 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期341-344,共4页

在弛豫时间近似条件下，由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型．分析了能量（动量）方程中的各个物理量，考虑了不同能谷散射对能量弛豫时间影响，计入了电子能量中的漂移动能，同时考虑了异质结能带... 在弛豫时间近似条件下，由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型．分析了能量（动量）方程中的各个物理量，考虑了不同能谷散射对能量弛豫时间影响，计入了电子能量中的漂移动能，同时考虑了异质结能带的各种效应．使用牛顿法同时求解一维稳态方程组，分析了典型结构的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件工作物理图像． 展开更多

关键词 流体动力学 输运模型 双极性 异质结晶体管

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准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法

10

作者 李同合 陈光遂 高捷 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期514-517,共4页

准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特... 准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量... 展开更多

关键词 准静态 C-V测量 半导体 ATF 界面陷阱密度 测量

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单片机和脉宽调制控制的斜坡高压电源的研制

11

作者 陶慧斌 戎华 +1 位作者 李俊峰 张声良 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1999年第10期15-16,19,共3页

提出了静电键合中渐近加压的思想，并研制成功了用单片机控制、以脉宽调制（ＰＷＭ）技术为基础的渐近加压的斜坡高压电源。实践证明，使用该电源进行静电键合能显著改善静电键合的质量，从而大大提高静电键合的合格率。

关键词 静电键合 单片机 脉宽调制 斜坡高压电源 传感器

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GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析

12

作者 孙晓玮 程知群 +2 位作者 夏冠群 罗晋生 林金庭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期128-129,139,共3页

本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．

关键词 MESFET 变容二极管 砷化镓 高频特性

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微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

13

作者 孙晓玮 罗晋生 +2 位作者 周宗闽 曹金荣 林金庭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期6-10,共5页

本文给出了一种利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片（简称ＭＭＩＣ）有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能．文中还给出了单片电路的设计方... 本文给出了一种利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片（简称ＭＭＩＣ）有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能．文中还给出了单片电路的设计方法以及ＣＡＤ模拟结果．最后，加工完成了ＭＭＩＣ有源压控滤波器，整个电路芯片尺寸为０．９×１．８ｍｍ２．实验测试结果表明，文中给出的设计方法正确、有效． 展开更多

关键词 MMIC 砷化镓 MESFET 压控滤波器

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FP-JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响

14

作者 武自录 王行业 罗晋生 《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第1期43-47,共5页

提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响，结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系，场板可减弱击穿电压对注入剂量的敏感性．

关键词 场板 结终端扩展 终端扩展区 击穿电压 注入剂量

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