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双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型: 1; 作者金世荣罗晋生徐仲英《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期333-339,共7页; 提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同.; 关键词共振隧穿双量子阱 PL TRPL F-P模型电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程: 2; 作者金世荣罗晋生 +5 位作者褚君浩徐仲英袁之良罗昌平许继宗郑宝真《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期237-240,共4页; 利用时间分辨光谱技术，在１１～９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用．; 关键词子带间弛豫应变层量子阱铟镓砷激子; 在线阅读下载PDF 职称材料

VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析: 3; 作者刘晓梅胡蓉香 +1 位作者罗晋生李中江《电子科学学刊》 EI CSCD 1991年第6期618-624,共7页; 本文编制了功率MOSFET二维稳态分析软件TDSPM程序基于漂移扩散模型,特别考虑了功率器件高压工作状态下的速场特性和强场产生机制,因此可以对器件各工作区(包括击穿区)进行模拟。用全耦合法求解联立方程,用截断法修正迭代结果,大大改善... 展开更多; 关键词 MOS器件场效应晶体管数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型	金世荣罗晋生徐仲英	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1994	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程	金世荣罗晋生褚君浩徐仲英袁之良罗昌平许继宗郑宝真	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1995	在线阅读下载PDF 职称材料
3	VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析	刘晓梅胡蓉香罗晋生李中江	《电子科学学刊》 EI CSCD	1991	在线阅读下载PDF 职称材料