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低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究
被引量：
1
1
作者
李远洁
江凯
刘子龙
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期1-5,18,共6页
在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明:当增加底栅结构a...
在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120∶20时,获得了4.8×10~5的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2V/dec,饱和迁移率达到11cm^2/(V·s)。沟道层氧气流量为2cm^3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×10~3的开关电流比。
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关键词
薄膜晶体管
非晶铟镓锌氧化物
输运特性
磁控溅射沉积
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职称材料
题名
低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究
被引量：
1
1
作者
李远洁
江凯
刘子龙
机构
西安交通大学
电子与信息
工程
学院
西安交通大学固态照明工程研究中心
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期1-5,18,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(10904121)
陕西省自然科学基金资助项目(2015JM6281)
教育部回国留学人员启动基金资助项目(10回国基金11)
文摘
在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120∶20时,获得了4.8×10~5的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2V/dec,饱和迁移率达到11cm^2/(V·s)。沟道层氧气流量为2cm^3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×10~3的开关电流比。
关键词
薄膜晶体管
非晶铟镓锌氧化物
输运特性
磁控溅射沉积
Keywords
thin film transistors
amorphous indium gallium zinc oxide
transport properties
magnetron sputtering deposition
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究
李远洁
江凯
刘子龙
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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