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原子层沉积钌/氧化铝复合纳米薄膜的制备与电阻调控: 1; 作者廉卓禧朱香平 +1 位作者王丹李相鑫《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期173-180,共8页; 目的针对目前微通道板(MCP)导电层电阻可调范围窄、性能稳定性差等问题,提出一种新的MCP导电层的制备方法。方法应用原子层沉积(ALD)工艺在硅片上沉积不同厚度的Al_(2)O_(3)和Ru薄膜,以获得较优的纳米薄膜制备工艺参数,应用扫描电子显微... 展开更多; 关键词微通道板原子层沉积导电层钌氧化铝体电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

热原子层沉积钛掺杂氧化镓薄膜的光学性能被引量：1: 2; 作者李存钰朱香平 +2 位作者赵卫李继超胡景鹏《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期118-127,共10页; 在250℃的低温下,以三甲基镓、四(二甲氨基)钛为前躯体源,O_(3)为反应气体,采用热原子层沉积制备了Ti掺杂Ga_(2)O_(3)(TGO)薄膜。Ga_(2)O_(3)和TiO_(2)的生长速率分别为0.037 nm/cycle和0.08 nm/cycle,TGO薄膜厚度低于理论计算值。X射... 展开更多; 关键词氧化镓薄膜 Ti掺杂Ga_(2)O_(3)薄膜热原子层沉积折射率光学带隙; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FPGA的低照度EBCOMS图像噪声处理算法被引量：1: 3; 作者曹益朱香平 +2 位作者张笑墨赵卫马俊《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期259-273,共15页; 针对器件研发过程中因材料和工艺技术等不完善导致夜视图像中存在复杂噪声的问题,以及对比传统图像处理的软件平台算法的实时性低、成本高等特性,分析了中国科学院西安光机所自主研发的低照度EBCMOS成像特点,并基于现Xilinx-FPGA设计了... 展开更多; 关键词低照度EBCMOS 图像降噪 FPGA 中值滤波高斯滤波; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于微通道板导电层的TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜的制备研究被引量：1: 4; 作者李继超朱香平 +3 位作者李相鑫胡景鹏李存钰赵卫《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期128-136,共9页; 基于原子层沉积技术提出了一种TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜作为微通道板导电层材料。根据微通道板的规格参数以及体电阻要求,推导出微通道板导电层薄膜的方块电阻范围为1.73×10^(13)~5.20×10^(13)Ω/□;研究了TiO_(2)... 展开更多; 关键词原子层沉积微通道板二氧化钛氧化铝导电层; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化硼复合陶瓷表面二次电子发射抑制被引量：1: 5; 作者姚璐欧阳林杰 +3 位作者王丹陈继新贺永宁徐亚男《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期3848-3855,共8页; 二次电子产额δ是影响霍尔推进器鞘层的关键参数之一。为了降低推进器通道壁面常用材料BN−SiO_(2)复合陶瓷的表面δ,通过激光刻蚀工艺和表面镀层技术对表面δ进行了调控。使用脉冲红外光纤激光器在材料表面构造微阵列结构,使用激光扫描... 展开更多; 关键词氮化硼二次电子发射霍尔推进器激光刻蚀氮化钛; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原子层沉积钌/氧化铝复合纳米薄膜的制备与电阻调控: 1; 作者廉卓禧朱香平王丹李相鑫; 机构西安交通大学微电子学院西安中科原子精密制造科技有限公司中国科学院西安光学精密机械研究所西安市微纳电子与系统集成重点实验室; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期173-180,共8页; 基金国家自然科学基金(62101425) 陕西省重点研发计划(2021LLRH-03) +1 种基金中国科学院重点部署项目(ZDRW-XH-2021-6)。; 文摘目的针对目前微通道板(MCP)导电层电阻可调范围窄、性能稳定性差等问题,提出一种新的MCP导电层的制备方法。方法应用原子层沉积(ALD)工艺在硅片上沉积不同厚度的Al_(2)O_(3)和Ru薄膜,以获得较优的纳米薄膜制备工艺参数,应用扫描电子显微镜(SEM)得到薄膜的截面厚度及成膜质量,应用能量色散X射线光谱(EDS)表征了薄膜的元素组成。基于获得的优选工艺参数,在MCP基板上应用ALD工艺交替沉积Al_(2)O_(3)和Ru 2种材料,并且改变Ru与Al_(2)O_(3)的ALD循环比例,制备了一系列Ru/Al_(2)O_(3)复合纳米薄膜作为MCP导电层。对制备的一系列MCP导电层进行体电阻测试,并在不同偏压下进行体电阻稳定性测试。结果由SEM与EDS结果可知,利用ALD制备的Al_(2)O_(3)和Ru纳米薄膜成膜特性良好,且薄膜沉积速率稳定。对于镀覆于MCP内表面的Ru/Al_(2)O_(3)导电层,体电阻测试结果显示,随着复合薄膜中Ru的ALD循环次数增加,MCP体电阻明显降低,适用于MCP导电层制备的工艺参数为:Ru的ALD循环数为28~40,Al_(2)O_(3)的ALD循环数为10。在导电层制备过程中延长吹扫时间并在烘烤后随炉冷却,MCP导电层体电阻在不同偏压下具有良好的稳定性。结论利用ALD制备Ru/Al_(2)O_(3)复合纳米薄膜作为MCP导电层,实现了体电阻从几至几百兆欧的调控,工艺优化后的导电层体电阻具有良好的稳定性,对扩展导电层可选材料范围,提升MCP器件性能具有工程应用价值。; 关键词微通道板原子层沉积导电层钌氧化铝体电阻; Keywords microchannel plate atomic layer deposition conduction layer Ru Al_(2)O_(3) bulk resistance; 分类号 TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热原子层沉积钛掺杂氧化镓薄膜的光学性能被引量：1: 2; 作者李存钰朱香平赵卫李继超胡景鹏; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院大学西安中科原子精密制造科技有限公司; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期118-127,共10页; 基金国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(No.52127817) 中国科学院重大科研仪器设备研制项目(No.ZDKYYQ20220007) +1 种基金中国科学院科研仪器设备研制项目,陕西省“两链”融合重点专项(No.2021LLRH‒03)。; 文摘在250℃的低温下,以三甲基镓、四(二甲氨基)钛为前躯体源,O_(3)为反应气体,采用热原子层沉积制备了Ti掺杂Ga_(2)O_(3)(TGO)薄膜。Ga_(2)O_(3)和TiO_(2)的生长速率分别为0.037 nm/cycle和0.08 nm/cycle,TGO薄膜厚度低于理论计算值。X射线光电子能谱仪测试结果表明膜中Ti浓度随Ga_(2)O_(3)/TiO_(2)循环比减少而增加,O 1s、Ga 2p和Ti 2p的峰位置向较低的结合能移动,这是因为Ti原子取代了Ga原子的某些位点引起了结合能降低,表明Ti元素成功掺杂到Ga_(2)O_(3)薄膜中。TiO_(2)和Ga_(2)O_(3)的芯能级光谱分析表明薄膜中存有Ti^(4+)和Ga^(3+)离子。TGO薄膜的O 1s芯能级光谱中Ga-O键随着Ti-O键含量增加而下降,表明TGO薄膜中形成Ga_(2)O_(3)-TiO_(2)复合材料。掠入射X射线衍射图中没有出现衍射峰,表明沉积的Ga_(2)O_(3)和TGO薄膜为非晶态。原子力显微镜观察到薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为0.377 nm,这得益于原子层沉积逐层生长的优势。TGO薄膜在可见光区表现出较高的透明度,对紫外光强烈吸收。随着Ti掺杂浓度的增加,TGO薄膜的折射率由于化学变化从1.75增加到1.99,紫外光区消光系数增大引起透过率减小,吸收边缘出现了红移,光学带隙从4.9 eV减小到4.3 eV。分光光度法和X射线光电子能谱法测定薄膜光学带隙所得的结果一致。; 关键词氧化镓薄膜 Ti掺杂Ga_(2)O_(3)薄膜热原子层沉积折射率光学带隙; Keywords Gallium oxide thin film Ti-doped Ga_(2)O_(3)thin films Thermal atomic layer deposition Refractive index Optical band gap; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FPGA的低照度EBCOMS图像噪声处理算法被引量：1: 3; 作者曹益朱香平张笑墨赵卫马俊; 机构中国科学院大学西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院大学西安中科原子精密制造科技有限公司; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期259-273,共15页; 基金国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(No.52127817) 中国科学院重大科研仪器设备研制项目(No.ZDKYYQ20220007) +2 种基金科技重大专项(No.KJZD20231023100501003)。; 文摘针对器件研发过程中因材料和工艺技术等不完善导致夜视图像中存在复杂噪声的问题,以及对比传统图像处理的软件平台算法的实时性低、成本高等特性,分析了中国科学院西安光机所自主研发的低照度EBCMOS成像特点,并基于现Xilinx-FPGA设计了一种多阶段脉冲噪声抑制和边缘增强算法,专门针对EBCMOS在低照度条件下采集的图像中存在泊松噪声、椒盐噪声和散粒噪声等混合噪声等问题。实验结果表明,所提算法相比于中值滤波和高斯滤波峰值信噪比分别提高了11.37%和26.64%。与基于高端处理器软件平台相比,该算法处理一帧图像的速度提升了约20倍,可降低成本和实现实时有效处理夜视噪声图像的目的,还可以为实现穿戴夜视设备的集成化和轻量化提供技术支撑。; 关键词低照度EBCMOS 图像降噪 FPGA 中值滤波高斯滤波; Keywords Low-light EBCMOS Image denoising FPGA Median filtering Gaussian filtering; 分类号 TN15 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于微通道板导电层的TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜的制备研究被引量：1: 4; 作者李继超朱香平李相鑫胡景鹏李存钰赵卫; 机构中国科学院西安光学精密研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院大学西安中科原子精密制造科技有限公司; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期128-136,共9页; 基金国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(No.52127817) 中国科学院重大科研仪器设备研制项目(No.ZDKYYQ20220007) +2 种基金陕西省重点研发计划项目(No.2021LLRH‒03)。; 文摘基于原子层沉积技术提出了一种TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜作为微通道板导电层材料。根据微通道板的规格参数以及体电阻要求,推导出微通道板导电层薄膜的方块电阻范围为1.73×10^(13)~5.20×10^(13)Ω/□;研究了TiO_(2)循环百分比与TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜方块电阻之间的关系,发现当TiO_(2)循环百分比在30.27%~37.06%时复合薄膜电阻率满足微通道板导电层要求;设计制备了20 nm的Al_(2)O_(3)过渡层以及100 nm的TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜,测量厚度约为122 nm,且薄膜表面平整光滑,实现了微通道板微孔内壁TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜导电层的制备。在1000 V测试电压下,其体电阻为212.81 MΩ,增益为18357,表明TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜作为微通道板导电层具有可行性。; 关键词原子层沉积微通道板二氧化钛氧化铝导电层; Keywords Atomic layer deposition Microchannel plate TiO_(2) Al_(2)O_(3) Conductive layer; 分类号 TN15 [电子电信—物理电子学] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化硼复合陶瓷表面二次电子发射抑制被引量：1: 5; 作者姚璐欧阳林杰王丹陈继新贺永宁徐亚男; 机构西安交通大学微电子学院西安中科原子精密制造科技有限公司中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心上海推进技术研究所上海空间发动机工程技术研究中心; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期3848-3855,共8页; 基金国家自然科学基金(62101425) 陕西省重点研发计划(2021LLRH-03) +2 种基金上海市科学技术委员会(17DZ2280800)。; 文摘二次电子产额δ是影响霍尔推进器鞘层的关键参数之一。为了降低推进器通道壁面常用材料BN−SiO_(2)复合陶瓷的表面δ,通过激光刻蚀工艺和表面镀层技术对表面δ进行了调控。使用脉冲红外光纤激光器在材料表面构造微阵列结构,使用激光扫描显微镜对表面结构表征,表面δ测试方法采用收集极法。δ测试结果表明:激光功率10 W且扫描周期50时,样品表面形成的周期性微阵列结构δ抑制效果较为理想,两种不同质量配比的复合陶瓷表面δ峰值分别由2.62和2.38降低至1.55和1.46。使用磁控溅射在上述微结构表面沉积一层TiN薄膜,δ得到进一步抑制。使用扫描电子显微镜对薄膜表面表征,表面颗粒呈现三棱锥结构。结果表明:溅射功率100 W且时长90 min时,TiN膜厚约为246 nm,镀覆该厚度TiN薄膜的两组微结构样品δ峰值分别由1.55和1.46降低至0.82和0.76,相比原始表面大幅降低。该研究通过表面刻蚀和薄膜沉积工艺,大幅降低了BN−SiO_(2)复合陶瓷表面的δ,研究工作对于特定工作场景中开展低δ表面处理工艺研究具有工程应用价值。; 关键词氮化硼二次电子发射霍尔推进器激光刻蚀氮化钛; Keywords boron nitride secondary electron emission Hall thruster laser etching titanium nitride; 分类号 V439.2 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程] O462.2 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	原子层沉积钌/氧化铝复合纳米薄膜的制备与电阻调控	廉卓禧朱香平王丹李相鑫	《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	热原子层沉积钛掺杂氧化镓薄膜的光学性能	李存钰朱香平赵卫李继超胡景鹏	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于FPGA的低照度EBCOMS图像噪声处理算法	曹益朱香平张笑墨赵卫马俊	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	应用于微通道板导电层的TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜的制备研究	李继超朱香平李相鑫胡景鹏李存钰赵卫	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氮化硼复合陶瓷表面二次电子发射抑制	姚璐欧阳林杰王丹陈继新贺永宁徐亚男	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料