期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文)
1
作者
田海涛
王禄
+5 位作者
温才
石震武
孙庆灵
高怀举
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期637-642,共6页
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减...
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图。结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。
展开更多
关键词
量子点
二维电子气
应力
分子束外延
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文)
1
作者
田海涛
王禄
温才
石震武
孙庆灵
高怀举
王文新
陈弘
机构
中国科
学院
物理研究所北京凝聚态物理国家
实验室
天津工业
大学
电气工程与自动化
学院
西南科技大学理学院极端条件物质特性实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期637-642,共6页
基金
国家自然科学基金(61106013,11104226)
国家“863”计划(2013AA031903)
国家“973”计划(2010CB327501,2011CB925604)资助项目
文摘
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图。结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。
关键词
量子点
二维电子气
应力
分子束外延
Keywords
Drops
Electron absorption
Electron gas
Epitaxial growth
Hall mobility
Indium arsenide
Modulation
Molecular beam epitaxy
Semiconductor quantum dots
Transmission electron microscopy
Transport properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文)
田海涛
王禄
温才
石震武
孙庆灵
高怀举
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
