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反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列
1
作者
李浩
付志兵
+3 位作者
王红斌
易勇
黄维
张继成
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期94-97,104,共5页
采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO_2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增...
采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO_2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增加,PS微球的会被逐渐刻蚀掉,石墨烯也会在这个过程中随着被刻蚀。将残留的PS微球杂质去掉后,会在SiO_2/Si基底上呈现出排列规整的石墨烯纳米盘阵列。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱对石墨烯纳米盘及其形成过程进行表征和分析,为后续制备高质量石墨烯纳米带、石墨烯纳米点、石墨烯纳米盘提供参考。
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关键词
石墨烯
化学气相沉积
PS微球
反应离子刻蚀
石墨烯纳米盘阵列
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职称材料
题名
反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列
1
作者
李浩
付志兵
王红斌
易勇
黄维
张继成
机构
西南科技大学无机非金属材料国家重点实验室
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期94-97,104,共5页
基金
国家自然科学基金(11404304)
国家重点科学仪器和设备开发项目(2014YQ090709)
中国工程物理研究院科学技术发展基金(2015B0302003)
文摘
采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO_2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增加,PS微球的会被逐渐刻蚀掉,石墨烯也会在这个过程中随着被刻蚀。将残留的PS微球杂质去掉后,会在SiO_2/Si基底上呈现出排列规整的石墨烯纳米盘阵列。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱对石墨烯纳米盘及其形成过程进行表征和分析,为后续制备高质量石墨烯纳米带、石墨烯纳米点、石墨烯纳米盘提供参考。
关键词
石墨烯
化学气相沉积
PS微球
反应离子刻蚀
石墨烯纳米盘阵列
Keywords
graphene
CVD
PS microsphere
reactive ion etching
graphene nanodisk arry
分类号
TM242 [一般工业技术—材料科学与工程]
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题名
作者
出处
发文年
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1
反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列
李浩
付志兵
王红斌
易勇
黄维
张继成
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
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