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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
1
作者
廖明月
何敏
+2 位作者
陈平
张巧明
雷衍连
《发光学报》
北大核心
2025年第7期1262-1270,共9页
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空...
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空穴注入层,绿色CdSe/ZnS量子点作为发光层,结合不同空穴传输层(Hole transport layer,简写为HTL),如PVK和Poly-TPD,通过溶液加工工艺制备了绿色QLED器件,并对比分析了交流驱动与直流驱动下器件的光电性能。研究发现,CuSCN与PVK之间的能级势垒导致界面电荷束缚,降低了器件性能;而引入poly-TPD后,由于其更高的空穴迁移率和更浅的HOMO能级,有效减少了界面电荷束缚,显著提高了器件的发光亮度和电流效率,最大发光亮度和最大电流效率分别为132 075 cd/m^(2)和15.6 cd/A。本研究揭示了CuSCN/HTL界面电荷束缚对QLED性能的影响机制,为无机CuSCN在高效溶液加工QLED中的应用提供了理论支持和实践指导。
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关键词
硫氰酸亚铜
量子点发光二极管
空穴注入层
束缚电荷
交流驱动
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职称材料
题名
基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
1
作者
廖明月
何敏
陈平
张巧明
雷衍连
机构
西南大学物理科学与技术学院微纳结构与光电子学重庆市重点实验室
出处
《发光学报》
北大核心
2025年第7期1262-1270,共9页
基金
重庆市自然科学基金(CSTB2024NSCQ-QCXMX0056,2023NSCQ-MSX0888)
重庆市留学回国人员创新支持计划(cx2024035)。
文摘
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空穴注入层,绿色CdSe/ZnS量子点作为发光层,结合不同空穴传输层(Hole transport layer,简写为HTL),如PVK和Poly-TPD,通过溶液加工工艺制备了绿色QLED器件,并对比分析了交流驱动与直流驱动下器件的光电性能。研究发现,CuSCN与PVK之间的能级势垒导致界面电荷束缚,降低了器件性能;而引入poly-TPD后,由于其更高的空穴迁移率和更浅的HOMO能级,有效减少了界面电荷束缚,显著提高了器件的发光亮度和电流效率,最大发光亮度和最大电流效率分别为132 075 cd/m^(2)和15.6 cd/A。本研究揭示了CuSCN/HTL界面电荷束缚对QLED性能的影响机制,为无机CuSCN在高效溶液加工QLED中的应用提供了理论支持和实践指导。
关键词
硫氰酸亚铜
量子点发光二极管
空穴注入层
束缚电荷
交流驱动
Keywords
copper thiocyanate(CuSCN)
quantum dot light-emitting diodes(QLEDs)
hole injection
trapped charge
alternating current
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
廖明月
何敏
陈平
张巧明
雷衍连
《发光学报》
北大核心
2025
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