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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
1
作者
康怡
刘东
+2 位作者
卢山
鲁啸龙
胡夏融
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n...
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。
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关键词
横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
Si/4H-SiC异质结
n^(+)埋层
L型场板
功率品质因数
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职称材料
题名
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
1
作者
康怡
刘东
卢山
鲁啸龙
胡夏融
机构
西南交通大学
电气
工程
学院
西南交通大学集成电路科学与工程学院
西华
大学
理
学院
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期134-140,共7页
基金
四川省科技计划项目(2021YFQ0051)。
文摘
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。
关键词
横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
Si/4H-SiC异质结
n^(+)埋层
L型场板
功率品质因数
Keywords
lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor(LDMOS)
Si/4H-SiC heterojunction
n^(+)buried layer
L-shaped field plate
power figure of merit
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
康怡
刘东
卢山
鲁啸龙
胡夏融
《半导体技术》
北大核心
2025
0
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