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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
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作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数
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列车电力牵引系统控制与状态监测综述及展望 被引量:3
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作者 丁荣军 宋文胜 麻宸伟 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第17期6973-6990,I0020,共19页
电力牵引系统作为高速列车/电力机车的“心脏”,其持续创新是推动列车技术进步的关键。文中针对列车电力牵引系统的拓扑结构、控制技术、状态监测与故障诊断等方面展开综述。概述两电平电力牵引系统拓扑在我国高速列车的应用现状,分析... 电力牵引系统作为高速列车/电力机车的“心脏”,其持续创新是推动列车技术进步的关键。文中针对列车电力牵引系统的拓扑结构、控制技术、状态监测与故障诊断等方面展开综述。概述两电平电力牵引系统拓扑在我国高速列车的应用现状,分析三电平拓扑的优势及碳化硅器件在牵引变流器的应用前景;回顾单相脉冲整流器传统控制方法,总结大功率牵引电机优化控制与全速域多模式调制策略,并探讨新一代模型预测控制技术的发展趋势;梳理牵引变流器关键部件老化与失效机理,总结牵引电机典型故障模式,并分析牵引系统状态监测与故障诊断技术研究现状。最后,对列车牵引系统拓扑、控制与监测关键技术的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 电力牵引系统 控制技术 状态监测
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