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铁基超导体SmOFeAs磁性的理论研究 被引量:1
1
作者 潘敏 黄整 +1 位作者 程翠华 赵勇 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期850-854,共5页
为了从理论上研究新型5d过渡元素掺杂及压力诱导铁基超导体产生的超导电性,采用密度泛函理论自旋广义梯度近似方法(SGGA+U)计算分析了SmOFeAs的结构及Ir在Fe位上掺杂对体系电子结构和磁性质的影响.结果表明:铁基超导体SmOFeAs体系中Fe-3... 为了从理论上研究新型5d过渡元素掺杂及压力诱导铁基超导体产生的超导电性,采用密度泛函理论自旋广义梯度近似方法(SGGA+U)计算分析了SmOFeAs的结构及Ir在Fe位上掺杂对体系电子结构和磁性质的影响.结果表明:铁基超导体SmOFeAs体系中Fe-3d电子的库仑势约为4 eV;物理外压和化学掺杂均可抑制SmOFeAs的反铁磁自旋密度波,使体系的磁有序度降低,与实验结果一致;Ir掺杂的SmOFe1-xIrxAs体系从反铁磁自旋密度波逐渐过渡为无磁性态,且超导态与反铁磁态共存并出现在磁性量子临界点附近. 展开更多
关键词 SmOFeAs SmOFe1-xIrxAs 电子结构 磁性质
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基于第一性原理的新型铁基超导材料AFeAs电子结构和磁结构的研究
2
作者 麻焕锋 赵世华 潘敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期131-134,共4页
基于密度泛函理论(DFT),采用线性增强平面波展式结合改进的局域轨道(APW+lo)方法,计算分析了新型铁基超导材料LiFeAs和NaFeAs的电子结构、能量和磁结构。通过系统磁性质的计算表明,系统磁矩和原子磁矩与晶体的晶格结构有着直接关系,这... 基于密度泛函理论(DFT),采用线性增强平面波展式结合改进的局域轨道(APW+lo)方法,计算分析了新型铁基超导材料LiFeAs和NaFeAs的电子结构、能量和磁结构。通过系统磁性质的计算表明,系统磁矩和原子磁矩与晶体的晶格结构有着直接关系,这与实验中发现的超导温度压制效应直接相关。计算得到了与材料物性直接相关的电子能带和电子态密度。 展开更多
关键词 LIFEAS NaFeAs 密度泛函理论 能带 态密度
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AZO薄膜制备工艺及其性能研究 被引量:21
3
作者 黄稳 余洲 +4 位作者 张勇 刘连 黄涛 闫勇 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期35-39,共5页
综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展... 综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。 展开更多
关键词 AZO 结构特性 光电特性
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TiO_2纳米管阵列在太阳能电池中应用的研究进展 被引量:4
4
作者 杨峰 蔡芳共 +1 位作者 柯川 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期50-52,共3页
综述了TiO2-NTAs太阳能电池的最新进展,分析了TiO2-NTAs太阳能电池的特点,并展望了TiO2-NTAs太阳能电池的研究方向。
关键词 TIO2纳米管阵列 染料敏化太阳能电池 量子点敏化太阳能电池
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金属间化合物YFe_(12-x)M_x(M=V,Cr)的结构和磁性研究 被引量:2
5
作者 麻焕锋 赵世华 +3 位作者 杨利娜 郭瑞芳 杜雪莲 潘敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期127-130,138,共5页
采用线性缀加平面波展式结合改进的局域轨道方法(APW+lo),基于密度泛函理论(DFT),优化、计算和分析了Y、Fe、V、Cr和YFe12-xMx(M=V、Cr;x=0~5)体系的结构和能量。系统的总磁矩和原子磁矩的计算表明,YFe12-xMx的磁矩主要来源于Fe,但是随... 采用线性缀加平面波展式结合改进的局域轨道方法(APW+lo),基于密度泛函理论(DFT),优化、计算和分析了Y、Fe、V、Cr和YFe12-xMx(M=V、Cr;x=0~5)体系的结构和能量。系统的总磁矩和原子磁矩的计算表明,YFe12-xMx的磁矩主要来源于Fe,但是随着M浓度的增加而减小,这是因为M的加入不仅会降低体系中Fe的浓度,而且还将影响Fe之间相互作用导致Fe磁矩下降。利用计算获得的系统总的电子态密度和Fe的电子态密度对计算结果进行了分析。 展开更多
关键词 YFe12-xMx密度泛函理论 磁矩 电子态密度
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单畴钇钡铜氧块材高Q值谐振腔研究
6
作者 沈旭明 王家素 +1 位作者 宋宏海 郑郡 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期81-84,共4页
 在对高Q值的微波谐振腔的研究中,尤其是对低温超导谐振腔(超导铌腔)的研究取得了很大的进展,生产加工技术也日趋成熟,而用高温超导材料来制备高Q值的谐振腔还不成熟。从高温超导体的表面电阻,生成方法,物质的微观结构等方面进行分析,...  在对高Q值的微波谐振腔的研究中,尤其是对低温超导谐振腔(超导铌腔)的研究取得了很大的进展,生产加工技术也日趋成熟,而用高温超导材料来制备高Q值的谐振腔还不成熟。从高温超导体的表面电阻,生成方法,物质的微观结构等方面进行分析,实验中,通过一个端面用单畴YBCO块材代替无氧铜,在50K时谐振腔Q值就增加到原来的5倍,在20K时全部用单畴YBCO谐振腔,Q值有望达到铜腔的70倍,谐振腔的性能有明显的提高。 展开更多
关键词 高温超导 微波谐振腔 微波表面电阻
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染料敏化太阳能电池封装工艺的研究进展 被引量:1
7
作者 黎颖 杨峰 +1 位作者 程翠华 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第13期142-147,共6页
染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized solar cells,DSSC)作为第3代太阳能电池而受到广泛关注,但使用寿命短一直是制约DSSC进入实用阶段的主要因素之一。液态电解质的DSSC往往因为电解质挥发或渗漏而失效,因此封装工艺成为保障此类DSSC性... 染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized solar cells,DSSC)作为第3代太阳能电池而受到广泛关注,但使用寿命短一直是制约DSSC进入实用阶段的主要因素之一。液态电解质的DSSC往往因为电解质挥发或渗漏而失效,因此封装工艺成为保障此类DSSC性能稳定和持久的重要手段。将DSSC相关技术中的封装环节独立出来,简述了近几年来DSSC封装工艺的进展。主要对小面积DSSC、大面积DSSC模块(包括柔性DSSC、可填充DSSC)和管状DSSC的封装材料和流程以及几种DSSC的性能特点进行阐述,对封装技术的发展方向以及应用提出了一些看法。 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 封装 封装材料
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CIGS电池、靶材及单靶溅射工艺研究进展
8
作者 王丹 余洲 +6 位作者 冀亚欣 闫勇 欧玉峰 晏传鹏 刘连 张勇 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期128-132,153,共6页
综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度... 综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响。 展开更多
关键词 CIGS电池 粉末冶金 单靶溅射 光电性能
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活性炭二次活化对其电化学容量的影响(英文) 被引量:18
9
作者 江奇 赵晓峰 +2 位作者 黄彬 杜冰 赵勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第4期757-761,共5页
为进一步提高作为电化学超级电容器电极材料活性炭的电化学容量,采用KOH作为二次活性剂,将所得活性炭进行二次化学活化处理,从而得到二次活化活性炭.将原始活性炭材料与二次活化活性炭材料都分别经过系列处理,组装成电化学超级电容器进... 为进一步提高作为电化学超级电容器电极材料活性炭的电化学容量,采用KOH作为二次活性剂,将所得活性炭进行二次化学活化处理,从而得到二次活化活性炭.将原始活性炭材料与二次活化活性炭材料都分别经过系列处理,组装成电化学超级电容器进行电化学性能测试.测试结果表明,二次活化活性炭材料的电化学容量达到145.0F·g-1(有机电解液),远远大于原活性炭材料的容量(45.0F·g-1).为研究二次活化活性炭材料电化学容量大幅提高的原因,将这两种材料分别进行微观结构数据测试,包括比表面积、N2吸脱附等温曲线和孔径分布.研究结果表明,二次活化处理大大增加了二次活化活性炭材料在孔径为2-3nm的中孔分布,从而证实对于有机电解液,电极材料在2-3nm的中孔对其电化学容量的提高具有重要意义. 展开更多
关键词 活性炭 二次活化 电化学超级电容器 电化学容量
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有限域聚合法制备碳纳米管-聚苯胺复合材料及其电化学性能 被引量:9
10
作者 江奇 张倩 +2 位作者 杜冰 赵晓峰 赵勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1719-1723,共5页
通过有限域聚合法将聚苯胺(PANI)均匀地生长在碳纳米管(CNTs)表面,得到CNTs-PANI纳米复合材料.通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品的形貌及成分进行表征.将得到的复合材料组装成电化学超级... 通过有限域聚合法将聚苯胺(PANI)均匀地生长在碳纳米管(CNTs)表面,得到CNTs-PANI纳米复合材料.通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品的形貌及成分进行表征.将得到的复合材料组装成电化学超级电容器,进行电化学的循环伏安和恒流充放电测试.结果显示,运用此有限域聚合法所制备的复合材料中PANI可以非常均匀地包裹在CNTs表面,复合材料的比容量可以达到117.7F·g-1(有机电解液),远远高于所用纯碳纳米管(25.0F·g-1)和纯聚苯胺(65.0F·g-1)的比容量,从而表明有限域聚合法是一良好的纳米复合材料的制备方法. 展开更多
关键词 有限域聚合法 纳米复合 电化学性能 超级电容器
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基于静电吸附作用制备PPy/CNTs复合材料 被引量:12
11
作者 杜冰 江奇 +3 位作者 赵晓峰 林孙忠 幕佩珊 赵勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第3期513-518,共6页
通过添加十二烷基苯磺酸钠(SDBS),在碳纳米管(CNTs)表面引入具有静电吸附作用的基团,使吡咯单体附着于CNTs表面,然后发生化学原位聚合,得到了由片状聚吡咯(PPy)包覆CNTs所构成的PPy/CNTs复合材料,开辟了一条易于工业化生产制备PPy/CNTs... 通过添加十二烷基苯磺酸钠(SDBS),在碳纳米管(CNTs)表面引入具有静电吸附作用的基团,使吡咯单体附着于CNTs表面,然后发生化学原位聚合,得到了由片状聚吡咯(PPy)包覆CNTs所构成的PPy/CNTs复合材料,开辟了一条易于工业化生产制备PPy/CNTs复合材料的途径.所得材料和CNTs借助傅立叶变换红外光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等设备进行了成分和形貌的表征;并将所得材料组装成电化学超级电容器,进行了电化学性能测试.研究结果表明,加入SDBS后,吡咯单体能很好地吸附于CNTs表面;CNTs的应用细化了PPy的颗粒,改善了PPy的导电性能和机械性能,使PPy/CNTs复合材料呈现出多孔状;其电化学容量达到101.1 F.g-1(有机电解液),是同样制备条件下所得纯PPy电化学容量(19.0 F.g-1)的5倍多,约是所用纯CNTs电化学容量(25.0 F.g-1)的4倍. 展开更多
关键词 PPy/CNTs复合材料 静电吸附作用 电化学超级电容器 电化学性能
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基于FPGA的高速运动目标单光幕测速系统设计 被引量:9
12
作者 马学林 严仲明 +3 位作者 董亮 廖文婷 李海涛 王豫 《现代电子技术》 2009年第12期1-3,共3页
在对高速运动物体的速度量进行测量时,双光幕平均速度测量法是目前应用较为广泛的测量物体速度的方法,但是在此方法中可能存在由于两路信号传输时间不一致和双光幕无法绝对平行而产生的误差,从而直接或间接地影响测量结果的精度。提出... 在对高速运动物体的速度量进行测量时,双光幕平均速度测量法是目前应用较为广泛的测量物体速度的方法,但是在此方法中可能存在由于两路信号传输时间不一致和双光幕无法绝对平行而产生的误差,从而直接或间接地影响测量结果的精度。提出一种使用单光幕对运动物体速度进行测量的方法,避免了上述误差的产生,节约成本且实现简单,理论上可以达到更高的精度。基于FPGA的速度测量系统设计,以QuartusⅡ为软件平台,采用模块化设计并通过数码管驱动电路动态显示最终结果。具有外围电路少,集成度高,可靠性强等特点。 展开更多
关键词 速度测量 单光幕 FPGA 精度分析
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Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质 被引量:2
13
作者 董亮 王豫 +2 位作者 李德柱 李统业 严仲明 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期963-967,共5页
在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长... 在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92. 展开更多
关键词 CE掺杂 WO3薄膜 磁控溅射 显微结构 电学性质
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关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法 被引量:1
14
作者 肖广大 李海涛 +3 位作者 马学林 严仲明 董亮 王豫 《现代电子技术》 2009年第20期17-19,共3页
IGBT以其输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套... IGBT以其输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套高精度的IGBT导通延迟时间的测量系统,所测时间间隔通过液晶显示器直接读取,是一套较为理想的测量方案。 展开更多
关键词 IGBT TDC—GP2 导通延迟时间 测量
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以Co-Mo/MgO为催化剂制备小管径碳纳米管
15
作者 江奇 邹永良 赵勇 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期540-543,共4页
用柠檬酸络合法制备催化剂Co-Mo/MgO,以CH4为碳源,采用催化化学气相淀积法制备小管径碳纳米管.通过调整反应气氛和温度,优化反应条件.所得碳纳米管形貌分别用透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜表征.研究结果表明,当反应温度为950℃,... 用柠檬酸络合法制备催化剂Co-Mo/MgO,以CH4为碳源,采用催化化学气相淀积法制备小管径碳纳米管.通过调整反应气氛和温度,优化反应条件.所得碳纳米管形貌分别用透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜表征.研究结果表明,当反应温度为950℃,H2,N2和CH4的流量分别为200,200和50 mL/min时,可以获得管径约为10 nm的小管径碳纳米管,产率达110%以上. 展开更多
关键词 碳纳米管 催化剂 Co—Mo 产率 优化
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溅射气氛对RF反应磁控溅射制备ZnO薄膜微结构及光致发光特性的影响 被引量:5
16
作者 祐卫国 张勇 +3 位作者 李璟 杨峰 CHENG C H 赵勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期503-508,共6页
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有... 用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;溅射压强P=0.6Pa,氩氧比Ar/O2=20/5.5sccm时,(002)晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大,(O02)XRD峰半峰全宽(FWHM)最小,光致发光紫外峰强度最强。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光
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直流电电化学沉积镍制备原位生长碳纳米管化学修饰电极 被引量:3
17
作者 何正文 江奇 +4 位作者 杨荣 亓鹏 赵斐 袁华 赵勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1214-1218,共5页
利用直流电电化学沉积法将生长碳纳米管(CNT)的催化剂镍均匀地附着在石墨电极(GE)表面,再通过化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME).电化学沉积的金属镍和所制备的修饰电极分别用光学显微镜、扫描电子显微镜(... 利用直流电电化学沉积法将生长碳纳米管(CNT)的催化剂镍均匀地附着在石墨电极(GE)表面,再通过化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME).电化学沉积的金属镍和所制备的修饰电极分别用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDX)进行表征,所得修饰电极的电化学性能用[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-溶液进行表征.结果表明:经直流电电化学沉积,可以在石墨电极表面沉积一层致密的金属镍,能生长出管径均匀的碳纳米管,所制得的修饰电极具有良好的电化学响应灵敏性和准确性,可在电化学检测领域发挥重要的应用. 展开更多
关键词 电化学沉积 碳纳米管化学修饰电极 原位生长
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Cu_(2-x)S纳米管的制备及其表面光电性质
18
作者 廖鑫 杨峰 +1 位作者 蒲明华 赵勇 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期127-131,共5页
为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光... 为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光电性质及光伏响应随电场变化的规律.结果表明:合成的Cu2-xS纳米管外径为325-675 nm,管壁厚为70-125 nm,长度为10-20μm;在300-800 nm紫外可见光谱范围内,存在两个吸收区域,场诱导表面光电压谱表明所制备的样品为n-型半导体. 展开更多
关键词 Cu2-xS纳米管 水热法 场诱导表面光电压谱
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