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高分子辅助化学溶液沉积法制备高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层的研究
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作者 张欣 王文涛 +4 位作者 张敏 张勇 张酣 雷鸣 赵勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期1854-1857,共4页
采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整... 采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整致密,无裂纹存在,并具有优异的双轴织构。通过台阶仪测试该BZO缓冲层的膜厚,结果显示膜厚超过250nm。 展开更多
关键词 高分子辅助 化学溶液沉积法 涂层导体 BaZrO3缓冲层
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尖晶石锰酸锂表面包覆改性材料作用机理研究进展 被引量:7
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作者 陈姿 江奇 +3 位作者 李欢 邱家欣 刘青青 卢晓英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期11060-11065,共6页
尖晶石锰酸锂具有优异的安全性、低廉的价格、良好的大电流充放电能力和耐过充放性能以及环境友好等优点,是一种能被广泛应用于锂离子动力电池的正极材料之一。然而,锰酸锂锂离子电池目前仍然存在容量衰减较快以及高温性能较差的问题,... 尖晶石锰酸锂具有优异的安全性、低廉的价格、良好的大电流充放电能力和耐过充放性能以及环境友好等优点,是一种能被广泛应用于锂离子动力电池的正极材料之一。然而,锰酸锂锂离子电池目前仍然存在容量衰减较快以及高温性能较差的问题,这严重制约了其在动力电池方面的应用。为此发展起来的表面包覆改性技术能有效的改善锰酸锂的这些问题。到目前为止,发展出了许多包覆材料,有碳材料、氧化物材料等。就这些包覆材料对锰酸锂材料性能改善的机理来进行分类,详细讨论了表面包覆技术如何来改善锰酸锂的循环性能和高温性能,提出其进一步的发展方向。 展开更多
关键词 尖晶石锰酸锂 正极材料 表面包覆技术 包覆材料 作用机理 综述
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展 被引量:8
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作者 吕莉 张敏 +2 位作者 杨立芹 羊新胜 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期7-12,共6页
拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化... 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 晶体生长 Bi2Se3
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双通TiO2纳米管阵列膜制备及应用研究
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作者 贾永芳 蔡芳共 +2 位作者 鲁双伟 杨峰 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第13期23-29,54,共8页
双通TiO_2纳米管阵列膜的成功制备可有效提高TiO_2纳米管阵列膜的光催化活性,同时还可扩展其在太阳能电池、气体敏感器等方面的应用,具有很强的实际意义。在大量文献调研的基础上,综述了双通TiO_2纳米管阵列膜的阳极氧化制备方法及其在... 双通TiO_2纳米管阵列膜的成功制备可有效提高TiO_2纳米管阵列膜的光催化活性,同时还可扩展其在太阳能电池、气体敏感器等方面的应用,具有很强的实际意义。在大量文献调研的基础上,综述了双通TiO_2纳米管阵列膜的阳极氧化制备方法及其在催化与制氢、氢敏特性、分子过滤等方面的应用进展,并侧重讨论了双通TiO_2纳米管阵列膜的分离机制。最后,对双通TiO_2纳米管阵列膜的后续发展方向和应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 TiO2纳米管阵列膜 双通 分离 制备 应用
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Fe3O4化学修饰电极的制备及其在抗坏血酸中的电化学研究 被引量:3
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作者 段志虹 田朝晖 +3 位作者 宋利君 邓敏 卢晓英 江奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期6139-6143,6149,共6页
为了解抗坏血酸有机酸类去污剂对核电站化学去污的电化学行为,提高其去污效果,通过Nafion溶液的固定作用,将核电站管道中的主要腐蚀产物Fe3O4制作成化学修饰电极.通过三电极体系研究其电化学行为,考察了其扫描速度的影响、溶液浓度的影... 为了解抗坏血酸有机酸类去污剂对核电站化学去污的电化学行为,提高其去污效果,通过Nafion溶液的固定作用,将核电站管道中的主要腐蚀产物Fe3O4制作成化学修饰电极.通过三电极体系研究其电化学行为,考察了其扫描速度的影响、溶液浓度的影响和反应的类型.同时进行了循环伏安曲线、极化曲线和交流阻抗等测试.分析了其电化学行为,得到了一系列电化学数据. 展开更多
关键词 化学去污 四氧化三铁 化学修饰电极 抗坏血酸
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钛箔上生长α-Fe2O3纳米氧化膜及其光电性质研究
6
作者 史占花 王蓉 +5 位作者 蔡芳共 杨峰 贾永芳 黎颖 程翠华 赵勇 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1338-1342,共5页
利用电镀法在钛箔上沉积一层铁镀层,通过热氧化法将铁镀层氧化。利用X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、背散射电子像(BEI)和X射线能量散射谱(EDX)对氧化产物的晶体结构、形貌和组成进行了表征,利用表面光电压谱(SPS)和... 利用电镀法在钛箔上沉积一层铁镀层,通过热氧化法将铁镀层氧化。利用X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、背散射电子像(BEI)和X射线能量散射谱(EDX)对氧化产物的晶体结构、形貌和组成进行了表征,利用表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)研究了氧化产物的表面光电性质,同时测定了氧化产物的I-V特性。结果表明,铁镀层的表面被热氧化后生成了含α-Fe2O3纳米带和纳米片的纳米氧化膜,α-Fe2O3纳米氧化膜在300~600 nm之间出现了一个与带-带跃迁相关的光伏响应,相位谱显示纳米膜呈n型半导体的导电特征。I-V测试表明在AM 1.5G 100 mW.cm-2标准光强作用下,0.23 V(vs.Ag/AgCl)的偏压下能产生的电流密度为0.58 mA.cm-2。 展开更多
关键词 α-Fe2O3纳米氧化膜 α-Fe2O3纳米带 α-Fe2O3纳米片 表面光电压谱
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Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究
7
作者 张敏 魏占涛 羊新胜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1064-1067,共4页
主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,M... 主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。 展开更多
关键词 Bi1.85In0.15Se3 单晶 输运性能 负磁电阻效应
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CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能 被引量:10
8
作者 柯川 蔡芳共 +2 位作者 杨峰 程翠华 赵勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期423-428,共6页
利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流... 利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376~600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300~376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力. 展开更多
关键词 CUS TiO2纳米管异质结阵列 表面光电压谱 相位谱 界面电场 光电化学性能
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直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响 被引量:6
9
作者 黄涛 闫勇 +6 位作者 黄稳 张艳霞 晏传鹏 刘连 张勇 赵勇 余洲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期499-503,共5页
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随... 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。 展开更多
关键词 MO薄膜 直流磁控溅射 电阻率
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退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
10
作者 杨峰 蔡芳共 +2 位作者 柯川 赵勇 程翠华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2581-2585,共5页
采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化... 采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应. 展开更多
关键词 表面光伏 场诱导表面光电压谱 TiO2纳米管/线复合阵列 束缚激子
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PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能 被引量:5
11
作者 廖鑫 杨峰 +2 位作者 蒲明华 赵勇 程翠华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期59-63,共5页
通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表... 通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加. 展开更多
关键词 ZnO纳米片 PbS量子点 量子点敏化太阳能电池
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ZnO/Cu2O异质结中深能级表面光伏特性 被引量:2
12
作者 王蓉 史占花 +5 位作者 蔡芳共 杨峰 贾永芳 黎颖 程翠华 赵勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期768-771,共4页
采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS... 采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS)研究了单一Cu2O与ZnO/Cu2O异质结薄膜的表面光伏性质.结果表明,与单一Cu2O薄膜相比,ZnO/Cu2O异质结薄膜的光伏响应范围拓展到了600~800nm.根据SPS,FISPS和PS的作用原理,拓展部分的光伏响应归因于ZnO/Cu2O异质结中Cu2O层的深能级跃迁,该跃迁在ZnO-Cu2O界面电场(方向由ZnO指向Cu2O)的作用下得到加强,同时深能级跃迁产生的电子-空穴对在ZnO-Cu2O界面电场的作用下得到了有效分离和传输. 展开更多
关键词 ZnO/Cu2O异质结 表面光电压谱 场诱导表面光电压谱 界面电场
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催化剂对碳纳米管及其电化学储能性能的影响
13
作者 蒋雪 江奇 +4 位作者 陈建康 陈姿 邓敏 蔡玉东 卢晓英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期9068-9072,共5页
采用柠檬酸络合法制备出六方晶系结构的LaNiO_3和正交晶系结构的La_2NiO_4 2种催化剂前驱体,运用化学气相沉积法制得2种碳纳米管(CNT)。运用XRD对2种催化剂及其前驱体晶体进行结构分析,运用TEM、孔隙比表面分析仪对2种CNT进行形貌和结... 采用柠檬酸络合法制备出六方晶系结构的LaNiO_3和正交晶系结构的La_2NiO_4 2种催化剂前驱体,运用化学气相沉积法制得2种碳纳米管(CNT)。运用XRD对2种催化剂及其前驱体晶体进行结构分析,运用TEM、孔隙比表面分析仪对2种CNT进行形貌和结构的表征,并将2种CNT分别组装成电化学超级电容器,进行了电化学储能性能测试。研究结果表明,在制备工艺和条件一致的情况下,LaNiO_3与La_2NiO_4在高温下分别还原为具有不同晶面含量的2种金属Ni纳米颗粒催化剂,通过该催化剂都可制备得到CNT,但所得CNT的产率、形貌、孔结构参数以及电化学储能性能都存在较大差异。通过分析得出这样的结论,CNT的产率、形貌和孔结构参数与催化剂有直接的关系,而CNT的形貌和孔结构参数又与其电化学储能性能有直接的关系。 展开更多
关键词 催化剂前驱体 碳纳米管 电化学超级电容器
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高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体SrZrO_3(SZO)缓冲层
14
作者 张欣 王文涛 +4 位作者 张勇 张敏 张酣 雷鸣 赵勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期162-167,共6页
采用高分子辅助的化学溶液沉积法,通过720~800℃之间进行烧结成相,分别在氩气和空气中SrTiO3(STO)单晶基底上沉积得到织构良好的SrZr03(SZO)PbN薄膜,重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响。结果表明:氩气中... 采用高分子辅助的化学溶液沉积法,通过720~800℃之间进行烧结成相,分别在氩气和空气中SrTiO3(STO)单晶基底上沉积得到织构良好的SrZr03(SZO)PbN薄膜,重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响。结果表明:氩气中制得的SZO外延薄膜C轴取向较好,且表面更加平整致密;氩气中770℃制备的SZO薄膜厚度超过230nm。而空气中制得的SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂。在氩气中采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一SZO缓冲层。 展开更多
关键词 涂层导体 SrZrO3缓冲层 化学溶液沉积法 织构
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