在物理气相法的基础上,通过无约束二次气相输运法生长出具有自然显露面的尺寸约为6 mm×7 mm×2 mm CdSe晶体。对生长晶体的结构、成分和形貌进行表征,测试发现:XRD粉末衍射图谱强度高无杂峰,CdSe晶体的3个自然显露面分别是(100...在物理气相法的基础上,通过无约束二次气相输运法生长出具有自然显露面的尺寸约为6 mm×7 mm×2 mm CdSe晶体。对生长晶体的结构、成分和形貌进行表征,测试发现:XRD粉末衍射图谱强度高无杂峰,CdSe晶体的3个自然显露面分别是(100)、(002)和(110)面,回摆曲线半峰宽度较小;ICP-MS结果显示样品中杂质含量有效降低;红外透过率测试结果显示无约束二次气相法生长的CdSe晶体红外透过率高;SEM观测发现其解理面呈阶梯状且台阶方向一致。结果表明,采用无约束二次气相法生长的CdSe晶体结晶质量较好,纯度高,红外透过率高,并根据BFDH模型分析CdSe晶体自然显露面出现的原因。展开更多
基于密度泛函理论,采用平面波赝势和BFGS法计算研究了金红石相MgH_2电子结构性质和线性光学性质。基态下,金红石相MgH_2晶体具有良好的弹性力学稳定性,基本结构参数与实验值及其其他理论值符合得较好。Mulliken电荷分布和集居数分析发现...基于密度泛函理论,采用平面波赝势和BFGS法计算研究了金红石相MgH_2电子结构性质和线性光学性质。基态下,金红石相MgH_2晶体具有良好的弹性力学稳定性,基本结构参数与实验值及其其他理论值符合得较好。Mulliken电荷分布和集居数分析发现:金红石相MgH_2晶体中电荷主要从Mg原子向H原子转移,电荷总数主要来源于Mg2p态电子和H1s态电子,金红石相MgH_2属于共价键和离子键混合型化合物。结合电子性质和频率相关介电函数ε(ω)计算研究了金红石相MgH_2的介电函数、线性吸收系数、复折射率及消光系数、反射率和能量损失谱,结果表明:金红石相MgH_2的主要吸收区间位于紫外光区;24.88~42.35 e V能量区间金红石相MgH_2具有很强的透过性;高频情况下,金红石相MgH_2具有极高的反射率。展开更多
利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域...利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低。展开更多
文摘在物理气相法的基础上,通过无约束二次气相输运法生长出具有自然显露面的尺寸约为6 mm×7 mm×2 mm CdSe晶体。对生长晶体的结构、成分和形貌进行表征,测试发现:XRD粉末衍射图谱强度高无杂峰,CdSe晶体的3个自然显露面分别是(100)、(002)和(110)面,回摆曲线半峰宽度较小;ICP-MS结果显示样品中杂质含量有效降低;红外透过率测试结果显示无约束二次气相法生长的CdSe晶体红外透过率高;SEM观测发现其解理面呈阶梯状且台阶方向一致。结果表明,采用无约束二次气相法生长的CdSe晶体结晶质量较好,纯度高,红外透过率高,并根据BFDH模型分析CdSe晶体自然显露面出现的原因。
文摘基于密度泛函理论,采用平面波赝势和BFGS法计算研究了金红石相MgH_2电子结构性质和线性光学性质。基态下,金红石相MgH_2晶体具有良好的弹性力学稳定性,基本结构参数与实验值及其其他理论值符合得较好。Mulliken电荷分布和集居数分析发现:金红石相MgH_2晶体中电荷主要从Mg原子向H原子转移,电荷总数主要来源于Mg2p态电子和H1s态电子,金红石相MgH_2属于共价键和离子键混合型化合物。结合电子性质和频率相关介电函数ε(ω)计算研究了金红石相MgH_2的介电函数、线性吸收系数、复折射率及消光系数、反射率和能量损失谱,结果表明:金红石相MgH_2的主要吸收区间位于紫外光区;24.88~42.35 e V能量区间金红石相MgH_2具有很强的透过性;高频情况下,金红石相MgH_2具有极高的反射率。
文摘利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低。
