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双原子分子离子XY^+部分电子态完全振动能谱的精确研究 被引量：4
1
作者 刘一丁 孙卫国 任维义 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期634-640,共7页
关于双原子分子离子XY+的完全振动能谱,目前还没有实验和理论的数据报道。本文首次应用代数方法AM(Algebraic Method),获得了BeH+-X1Σ+态,CO+-X2Σ+态,F2+-X2Πg态,O2+-A2Πu态和Li2+-X2Σg+态的精确振动光谱常数和完全振动能谱,解决... 关于双原子分子离子XY+的完全振动能谱,目前还没有实验和理论的数据报道。本文首次应用代数方法AM(Algebraic Method),获得了BeH+-X1Σ+态,CO+-X2Σ+态,F2+-X2Πg态,O2+-A2Πu态和Li2+-X2Σg+态的精确振动光谱常数和完全振动能谱,解决了实验方法和精确量子力学理论方法难以获得双原子分子离子XY+的包含最高振动能级在内的所有高阶振动能级的精确数值这一问题。所有研究结果表明:由部分较低的实验精确振动能级,可用AM产生双原子分子离子XY+的精确振动光谱常数和包含全部激发态的完全振动能谱;所得的AM振动能谱比其他理论方法得到的结果更好。 展开更多
关键词 双原子分子离子 振动能谱 代数方法 电子态
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强电荷屏蔽下的电子俘获率 被引量：2
2
作者 罗志全 刘门全 +1 位作者 林理彬 彭秋和 《天文学报》 CSCD 北大核心 2005年第3期253-257,共5页
分析了电荷屏蔽对超新星前身星环境下的电子俘获反应的影响,分析中强电荷屏蔽势能采用了最近人们利用线性响应理论给出的结果,对核素56Co,56Fe,56Mn电子俘获率的分析计算表明,在低温高密情形下,电荷屏蔽对电子俘获反应的影响较先前的分... 分析了电荷屏蔽对超新星前身星环境下的电子俘获反应的影响,分析中强电荷屏蔽势能采用了最近人们利用线性响应理论给出的结果,对核素56Co,56Fe,56Mn电子俘获率的分析计算表明,在低温高密情形下,电荷屏蔽对电子俘获反应的影响较先前的分析的影响程度略小,但电荷屏蔽对电子俘获反应的影响仍然显著. 展开更多
关键词 核合成 超新星 普通 电荷屏蔽 电子俘获
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Cu^(2+)∶C_8N_(14)O_6Zn的局域结构、吸收光谱和电子顺磁共振谱的研究 被引量：1
3
作者 彭松山 陈太红 谌家军 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期725-729,共5页
在晶体场理论的基础上,本文采用半自洽3d轨道模型和3d9电子组态在畸变晶场中的g因子和超精细结构常数A的三阶微扰计算公式,建立了Cu2+∶C8N14O6Zn局域结构与吸收光谱、EPR谱之间的定量关系,统一解释了Cu2+∶C8N14O6Zn晶体的吸收光谱和EP... 在晶体场理论的基础上,本文采用半自洽3d轨道模型和3d9电子组态在畸变晶场中的g因子和超精细结构常数A的三阶微扰计算公式,建立了Cu2+∶C8N14O6Zn局域结构与吸收光谱、EPR谱之间的定量关系,统一解释了Cu2+∶C8N14O6Zn晶体的吸收光谱和EPR谱,理论结果与实验观测值相符合。 展开更多
关键词 晶体场 电子顺磁共振谱(EPR) 吸收光谱 Cu^2+:C8N14O6Zn
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恒星内部核素^(56)Fe、^(56)Co、^(56)Ni和^(56)Mn电子俘获过程中微子能量损失高斯修正 被引量：1
4
作者 刘晶晶 罗志全 《天文学报》 CSCD 北大核心 2010年第2期144-150,共7页
采用高斯修正法,研究了核素^(56)Fe、^(56)Co、^(56)Ni和^(56)Mn电子俘获过程中微子能量损失.结果表明:对核素的Gamow-Teller(G-T)共振跃迁能级分布的高斯修正使中微子能量损失率增加.在低能跃迁电子俘获过程为主导地位的反应中,高斯修... 采用高斯修正法,研究了核素^(56)Fe、^(56)Co、^(56)Ni和^(56)Mn电子俘获过程中微子能量损失.结果表明:对核素的Gamow-Teller(G-T)共振跃迁能级分布的高斯修正使中微子能量损失率增加.在低能跃迁电子俘获过程为主导地位的反应中,高斯修正对中微子能量损失的影响很小,而对高能G-T共振跃迁为主要的电子俘获过程的中微子能量损失的影响将大大增加.如核素^(56)Fe在密度ρ_7=100(ρ_7以10~7 mol·cm^(-3)为单位),高斯函数半宽度△=14.3,18.3,22.3 Mev时,修正差异大约达2个数量级,核素^(56)Ni在△=6.3,18.3Mev差异分别达60%和40%. 展开更多
关键词 恒星 演化 恒星 内部 中微子
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磁星外壳层核素的电子俘获的研究
5
作者 曹彪 杜军 《天文学报》 CSCD 北大核心 2014年第4期273-278,共6页
利用朗道能级量子化近似和核壳层模型,研究了超强磁场对^(53,54,55)Fe的电子俘获的影响.结果表明在超强磁场下的电子俘获率比在弱场近似下的电子俘获率增加了约2个数量级.在弱场近似和磁场为B=4.414×10^(15)Gs条件下计算了每个核... 利用朗道能级量子化近似和核壳层模型,研究了超强磁场对^(53,54,55)Fe的电子俘获的影响.结果表明在超强磁场下的电子俘获率比在弱场近似下的电子俘获率增加了约2个数量级.在弱场近似和磁场为B=4.414×10^(15)Gs条件下计算了每个核素的电子丰度变化率和总的电子丰度变化率,它们一般相差3个量级以上.这些结论对将来的磁星演化的研究起到重要的作用. 展开更多
关键词 恒星 磁星 恒星 演化 恒星 磁场 恒星 内部 方法 数值
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基于B/S体系结构的油田固井信息系统设计开发 被引量：2
6
作者 邹庆轩 李建 周永宏 《现代电子技术》 2006年第7期85-87,共3页
讨论了数据库应用系统的C/S和B/S这两种实现模型的特点及Web数据库的应用技术,基于B/S体系结构的数据库应用系统能够很好地解决在油田建立信息系统面临的地理位置分散、访问便捷及限定访问权限等问题,还具有界面统一、软件开发维护简单... 讨论了数据库应用系统的C/S和B/S这两种实现模型的特点及Web数据库的应用技术,基于B/S体系结构的数据库应用系统能够很好地解决在油田建立信息系统面临的地理位置分散、访问便捷及限定访问权限等问题,还具有界面统一、软件开发维护简单及操作简洁等优点。然后着重介绍了油田固井信息系统的系统设计和数据库设计。最后应用ASP技术实现了一个油田固井信息系统。 展开更多
关键词 B/S C/S WEB数据库 ASP
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溅射功率对Mo薄膜微结构和性能的影响 被引量：11
7
作者 廖国 何智兵 +4 位作者 陈太红 许华 李俊 谌加军 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2386-2390,共5页
实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐... 实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1～17.9nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40W时达到最大值(2.383GPa),后随溅射功率的增大有所减小。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 溅射功率 表面形貌 X射线衍射
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膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响 被引量：9
8
作者 林华平 吴卫东 +9 位作者 何智兵 许华 李俊 王锋 李盛印 张宝玲 宋萍 江玲 谌家军 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期413-418,共6页
采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50,100,200,400,600 nm的Nb薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究,并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密,均方根粗糙度达到0.1 nm量级。X射... 采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50,100,200,400,600 nm的Nb薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究,并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密,均方根粗糙度达到0.1 nm量级。X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、晶粒尺寸和应力情况。分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc),在(110)晶面方向存在明显的择优取向,且随着薄膜厚度增大而增强。Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大,在200 nm时达到最大值(为1.0151 GPa),后随薄膜厚度的增大有所减小。 展开更多
关键词 ICF靶 直流磁控溅射 Nb膜 择优取向 体心立方
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溅射功率对碳化硼薄膜组分与力学性能的影响 被引量：7
9
作者 张玲 何智兵 +2 位作者 李俊 许华 谌家军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2317-2323,共7页
采用射频磁控溅射技术,在不同溅射功率条件下制备了碳化硼薄膜,并用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对碳化硼薄膜的组分进行了定量表征,分析了功率变化对碳化硼组分的影响。利用纳米压入仪通过连续刚度法(CSM)对... 采用射频磁控溅射技术,在不同溅射功率条件下制备了碳化硼薄膜,并用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对碳化硼薄膜的组分进行了定量表征,分析了功率变化对碳化硼组分的影响。利用纳米压入仪通过连续刚度法(CSM)对碳化硼薄膜的硬度和模量等力学性能进行了分析。研究表明:随着功率的增大,硼与碳更易结合形成B—C键,在功率增大到250 W时,B—C键明显增多;在250 W时,硼与碳的原子分数比出现了最大值5.66;碳化硼薄膜的硬度与模量都随功率的增大呈现出先增大后减小的趋势,且在250W时均出现了最大值,分别为28.22GPa和314.62GPa。 展开更多
关键词 碳化硼薄膜 X射线光电子能谱 力学性能 磁控溅射 溅射功率
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晶体(NH_4)_2C_4H_4O_6∶VO^(2+)的EPR参量及局域结构的研究 被引量：8
10
作者 冯文林 谌家军 +2 位作者 邓丽城 吴慧聪 高山泉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1368-1371,共4页
采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中络离子[VO(H2O)5]2+的键长为R//≈0.130nm,R⊥≈0.195nm;在(NH4)... 采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中络离子[VO(H2O)5]2+的键长为R//≈0.130nm,R⊥≈0.195nm;在(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中,局域结构沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量的理论计算与实验测量数据符合很好。 展开更多
关键词 电子顺磁共振(EPR)谱 局域结构 叠加模型 双旋-轨耦合参量模型 (NH4)2C4H4O6(DDAT):VO^2+
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菱体型相位延迟器对入射角灵敏性的研究 被引量：9
11
作者 李国良 宋连科 +2 位作者 郝殿中 周文平 范开敏 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期157-158,162,共3页
为了清楚地了解菱体型消色差λ/4相位延迟器对入射角i变化的灵敏性随折射率n变化的规律,利用全反射相变公式详细推导出器件对入射角i变化的灵敏性与折射率n的关系式,并做出了理论曲线。可见,随着折射率n的增加,器件对入射角i的变化更加... 为了清楚地了解菱体型消色差λ/4相位延迟器对入射角i变化的灵敏性随折射率n变化的规律,利用全反射相变公式详细推导出器件对入射角i变化的灵敏性与折射率n的关系式,并做出了理论曲线。可见,随着折射率n的增加,器件对入射角i的变化更加灵敏。结果表明,设计器件时应尽量避免选择高折射率材料。在分析相位延迟量的测量误差时,这个应用也是很有价值的。 展开更多
关键词 光学器件 消色差 全反射 折射率
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Ni(IO_3)_2·2H_2O晶体的局部结构、吸收光谱和漫反射光谱的研究 被引量：5
12
作者 陈太红 肖顺文 +2 位作者 陈元莉 余飞 曾体贤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1377-1381,共5页
采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和点电荷模型,利用完全对角化方法,建立了D4h对称晶体场中晶体的局部结构与光谱之间的定量关系,统一解释了Ni(IO3)2.2H2O晶体的局部结构、吸收光谱和漫反射光谱的实验值,预测了Ni(IO3)2.2H2O晶体的光谱... 采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和点电荷模型,利用完全对角化方法,建立了D4h对称晶体场中晶体的局部结构与光谱之间的定量关系,统一解释了Ni(IO3)2.2H2O晶体的局部结构、吸收光谱和漫反射光谱的实验值,预测了Ni(IO3)2.2H2O晶体的光谱精细结构和电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D和顺磁g因子)。所得理论结果与实验值符合得很好。 展开更多
关键词 Ni(IO3)2·2H2O 晶体场和配位场 局部结构 吸收光谱 漫反射光谱 光谱精细结构 电子顺磁共振(EPR)谱
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Z扫描技术及其在材料学中的应用 被引量：6
13
作者 詹勇军 王锋 +4 位作者 白黎 张素银 唐永健 吴卫东 谌家军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期99-102,共4页
以材料非线性光学性质的测试为基础,介绍了原始Z扫描技术的基本原理与数据处理;重点论述了双色时间分辨Z扫描技术的理论,并分析了它在材料光学非线性效应测试中展现的优越性以及应该注意的关键问题。根据Z扫描技术理论和实验的最新研究... 以材料非线性光学性质的测试为基础,介绍了原始Z扫描技术的基本原理与数据处理;重点论述了双色时间分辨Z扫描技术的理论,并分析了它在材料光学非线性效应测试中展现的优越性以及应该注意的关键问题。根据Z扫描技术理论和实验的最新研究成果,总结了Z扫描技术的两条发展思路,即:CCD相机代替能量或功率计进行信号的采集和多种改进方法应用于实验测试。 展开更多
关键词 Z扫描技术 非线性光学效应 双色时间分辨Z扫描技术 CCD相机
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CdSe晶体倍频光学参数及元件加工研究 被引量：5
14
作者 曾体贤 赵北君 +3 位作者 朱世富 何知宇 陈宝军 卢大洲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1068-1072,共5页
对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究。根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5～10.0μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通... 对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究。根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5～10.0μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法。结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数deff为d15sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数deff恒等于0,无倍频输出。根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件,尺寸达9.5mm×9.5mm×18mm。 展开更多
关键词 CdSe晶体 相位匹配 单晶定向 元件加工
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工作气压对磁控溅射Mo膜的影响 被引量：4
15
作者 廖国 王冰 +9 位作者 张玲 牛忠彩 张志娇 何智兵 杨晓峰 李俊 许华 陈太红 曾体贤 谌家军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期82-84,93,共4页
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;M... 采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 工作气压 沉积速率 表面形貌
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晶体CsMgCl_3:Ni^(2+)的局部结构、光谱和EPR谱的理论研究 被引量：8
16
作者 陈太红 任维仪 冯文林 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期545-550,共6页
本文采用半自洽场(semi-SCF)自由Ni2+的3d轨道波函数、点电荷—偶极子模型和Ni2+-6X-(X=F,Cl,Br,I)络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振(EPR)谱,确定了CsMgCl3:N... 本文采用半自洽场(semi-SCF)自由Ni2+的3d轨道波函数、点电荷—偶极子模型和Ni2+-6X-(X=F,Cl,Br,I)络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振(EPR)谱,确定了CsMgCl3:Ni2+晶体的局部结构参数,统一解释了CsMgCl3:Ni2+晶体的吸收光谱和EPR谱。此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题。理论计算结果与实验值符合得很好。 展开更多
关键词 晶体场和配位场 光谱 EPR 局部结构 完全对角化 高阶微扰
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银纳米粒子修饰三维碳纳米管阵列SERS实验 被引量：4
17
作者 张晓蕾 张洁 +2 位作者 范拓 任文杰 赖春红 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2444-2448,共5页
为了使表面增强拉曼散射(SERS)基底的三维聚焦体积内包含更多的'热点',能吸附更多探针分子和金属纳米颗粒,以便获得更强的拉曼光谱信号,提出了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构作为SERS基底,并对其进行了实验... 为了使表面增强拉曼散射(SERS)基底的三维聚焦体积内包含更多的'热点',能吸附更多探针分子和金属纳米颗粒,以便获得更强的拉曼光谱信号,提出了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构作为SERS基底,并对其进行了实验研究。利用化学气相沉积(CVD)方法制备了垂直排列的碳纳米管阵列;采用磁控溅射镀膜方法先在碳纳米管阵列上形成一层银膜,再通过设置不同的高温退火温度,使不同粒径的银纳米粒子沉积在垂直有序排列碳纳米管阵列的表面和外壁。SEM结果表明:在有序碳纳米管阵列的表面和外壁都均匀地负载了大量银纳米粒子,并且银纳米颗粒的粒径、形貌及颗粒间的间距随退火温度的不同而不同。采用罗丹明6G(R6G)分子作为探针分子,拉曼实验结果表明:R6G浓度越高,拉曼强度越强,但是R6G浓度的增加与拉曼强度增强并不呈线性变化;退火温度为450℃,银纳米颗粒平均粒径在100~120nm左右,退火温度为400℃,银纳米颗粒平均粒径在70nm左右,退火温度为450℃的拉曼信号强度优于退火温度400和350℃。 展开更多
关键词 表面增强拉曼散射 碳纳米管阵列 银纳米粒子 磁控溅射
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NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究 被引量：3
18
作者 詹勇军 吴卫东 +3 位作者 王锋 白黎 唐永建 谌家军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期633-637,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%)。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(PLD) NaF薄膜 ICF靶 面心立方结构 反应激活能
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单路反馈射频功放预失真线性化方法 被引量：7
19
作者 詹鹏 秦开宇 蔡顺燕 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第8期2023-2027,共5页
该文基于记忆多项式模型,提出一种采用单路反馈的射频功放预失真线性化新方法,只需用正交解调后的IQ信号中的一路,就可完成对预失真器模型参数的获取。该方法可消除使用正交解调器所带来的增益和相位不平衡问题,且节省了一路反馈采样电... 该文基于记忆多项式模型,提出一种采用单路反馈的射频功放预失真线性化新方法,只需用正交解调后的IQ信号中的一路,就可完成对预失真器模型参数的获取。该方法可消除使用正交解调器所带来的增益和相位不平衡问题,且节省了一路反馈采样电路,在降低成本、简化设计的同时还能提高预失真线性化的性能。仿真和物理实验结果表明,该文提出的方法是正确的,能达到比较好的线性化效果。 展开更多
关键词 功率放大器 非线性 记忆多项式 预失真
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动车组数字设备的弓网电弧电磁干扰分析 被引量：10
20
作者 唐正明 章三妹 朱峰 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2014年第9期980-985,共6页
弓网离线电弧是典型的电磁暂态现象,其引起的电磁发射,会对车载数字设备产生干扰,严重时可引发控制设备的误动作而危及运输安全。为探究有效的干扰抑制措施,提出了将轨道沿线测试与车内测试相结合,并将测试结果引入分析模型的电磁干扰... 弓网离线电弧是典型的电磁暂态现象,其引起的电磁发射,会对车载数字设备产生干扰,严重时可引发控制设备的误动作而危及运输安全。为探究有效的干扰抑制措施,提出了将轨道沿线测试与车内测试相结合,并将测试结果引入分析模型的电磁干扰分析方法。该方法首先通过沿线定点测试掌握噪声信号特性,然后通过车内实测获取干扰峰值场强,并结合异模干扰模型,计算得出受害设备端口的干扰电平。最后,根据测试结果和理论分析,给出了最严酷干扰时(150 MHz),干扰电平的幅值分布特性,一定程度上有助于干扰抑制措施的建立。 展开更多
关键词 弓网电弧 测试 数字设备 干扰电平
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