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题名热处理对STO铁电薄膜微结构的影响
被引量：6
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作者
张勤勇
蒋书文
李言荣
张万里
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机构
西华大学材料系
电子科技大学微电子与固体电子学院
电子科技大学微电子与固体电子学院
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期203-205,共3页
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文摘
系统研究了CFA与RTA两种热处理方式以及热处理温度和时间对STO薄膜微结构的影响.STO薄膜采用脉冲激光沉积法(PLD)制备.采用原子力显微镜(AFM)和XRD分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析.结果表明,在热处理温度650～800℃范围内,相对于CFA、STO薄膜经RTA热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密.两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA与CFA相比薄膜的晶粒较小,两种热处理方法的最大晶粒尺寸都＜120nm.但XRD分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA热处理的结晶转化率较RTA热处理要高.在一定范围内,RTA热处理时间对薄膜晶粒尺寸影响不大,热处理时间越长,晶粒更加完整,表面更加均匀平整,结晶转化率越高.
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关键词
STO
铁电薄膜
晶化
CFA
RTA
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Keywords
Atomic force microscopy
Crystal growth
Crystal microstructure
Crystallization
Pulsed laser deposition
Rapid thermal annealing
X ray diffraction analysis
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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