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常压双频驱动Ar/CCl_4等离子体射流制备碳薄膜的研究 被引量:1
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作者 张亚东 袁强华 +2 位作者 殷桂琴 王勇 李洋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期89-96,共8页
在大气压下双频Ar/CCl_4等离子体射流的驱动下,固定低频功率,通过改变射频功率在硅基底上制备了非晶态碳薄膜,并且通过程序进行相应的数值模拟计算。结果给出了不同功率下电子与离子的密度、温度、电场、电势、角度分布等参数对碳材料... 在大气压下双频Ar/CCl_4等离子体射流的驱动下,固定低频功率,通过改变射频功率在硅基底上制备了非晶态碳薄膜,并且通过程序进行相应的数值模拟计算。结果给出了不同功率下电子与离子的密度、温度、电场、电势、角度分布等参数对碳材料样品形貌的影响;样品变化趋势的预测及其原因的分析,以及与实验结果的对比。结果表明,对于双频大气压等离子体,射频可以独立控制等离子体的能量和反应强度,可以相对地控制产物。这为制备薄膜材料的形貌提供重要的实验基础。 展开更多
关键词 大气压低温等离子体 双频 碳材料 模拟
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