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压力梯度CVI工艺制备2D炭/炭复合材料的弯曲断裂行为 被引量:18
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作者 薛辉 李贺军 +2 位作者 侯向辉 李克智 韩红梅 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第4期289-292,共4页
 采用三点弯曲方法测试了压力梯度化学气相浸渗法(CVI)工艺制备的2D炭 炭复合材料的性能,借助于扫描电镜研究了断口和界面形貌,分析了密度和纤维基体界面对材料力学性能的影响。结果表明,随试样密度增加,2D炭 炭复合材料的断裂模式从...  采用三点弯曲方法测试了压力梯度化学气相浸渗法(CVI)工艺制备的2D炭 炭复合材料的性能,借助于扫描电镜研究了断口和界面形貌,分析了密度和纤维基体界面对材料力学性能的影响。结果表明,随试样密度增加,2D炭 炭复合材料的断裂模式从剪切断裂、层间分离向拉伸断裂转变。材料密度对弯曲强度和模量影响很大,但对弯曲挠度基本没有影响。揭示了影响2D炭 炭复合材料弯曲挠度的关键因素是纤维与热解炭基体界面的结合情况。 展开更多
关键词 炭/炭复合材料 化学气相浸渗 弯曲性能 压力梯度 弯曲挠度
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次镜三杆与筒体复合支撑结构轻量化设计
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作者 廖军刚 杨云云 +4 位作者 魏鑫 陈旭 吴亚明 卜石 张毅 《航天返回与遥感》 CSCD 北大核心 2022年第5期102-108,共7页
文章在空间相机次镜三杆和筒体复合支撑结构设计中,引入了拓扑优化设计方法,通过仿真确立了传力路线,在规定的设计空间内实现了结构的轻量化;结合材料成型工艺,完成了次镜支撑结构的设计和仿真分析,并根据设计方案制备了质量约7.62kg的... 文章在空间相机次镜三杆和筒体复合支撑结构设计中,引入了拓扑优化设计方法,通过仿真确立了传力路线,在规定的设计空间内实现了结构的轻量化;结合材料成型工艺,完成了次镜支撑结构的设计和仿真分析,并根据设计方案制备了质量约7.62kg的实际结构产品;对该产品进行了测试,测得频率为176.03Hz,满足产品设计的轻量化指标要求以及频率性能要求。文章提出的设计方法对于同轴光学系统中次镜支撑结构的轻量化设计具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 次镜 支撑结构 结构拓扑 模态分析 空间相机
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碳化硅表面氢气吸附机理研究 被引量:1
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作者 尹博闻 曾庆丰 +6 位作者 关康 王璐 刘建涛 刘永胜 董宁 张相华 彭诚 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第1期22-28,共7页
在CVD沉积SiC过程中,载气体H_(2)与沉积SiC基体表面的反应影响沉积速率和沉积产物品质,因此研究这些微观反应机理具有十分重要的科学意义和工程价值.本文基于第一性原理研究了H_(2)在3C-SiC(111)(硅原子暴露面)和3C-SiC■(碳原子暴露面... 在CVD沉积SiC过程中,载气体H_(2)与沉积SiC基体表面的反应影响沉积速率和沉积产物品质,因此研究这些微观反应机理具有十分重要的科学意义和工程价值.本文基于第一性原理研究了H_(2)在3C-SiC(111)(硅原子暴露面)和3C-SiC■(碳原子暴露面)面的吸附位置、吸附能、电子结构和覆盖率等吸附情况.发现H_(2)倾向于吸附在3C-SiC(111)面,H原子的最稳定吸附位为OT位(顶位)且属于化学吸附.H_(2)在吸附时会自发解离为两个H原子,以双顶位形式吸附在两个相邻的Si原子上.该过程中基体表面Si原子的电子向H偏移,此时两者的主要相互作用源于Si原子的p轨道和H的s轨道的重叠杂化.通过计算氢气在表面的覆盖率,发现吸附能随着覆盖率的增大而增大,在低H覆盖率(θ_(H)≤4/9 ML)下,H原子之间存在着较强的吸引力,随着H覆盖率的增加(θ_(H)>4/9 ML),H原子之间排斥力逐渐增大,吸附能增加趋缓,整体结构更加稳定. 展开更多
关键词 第一性原理 SIC H_(2) 覆盖率 吸附能
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冷冻干燥法制备高气孔率、低介电的Si3N4陶瓷 被引量:4
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作者 孙肖坤 孙孟勇 +1 位作者 刘小冲 赵娟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期25-31,共7页
采用冷冻干燥法制备具有低介电、定向双峰孔径分布的多孔Si 3N 4陶瓷,并利用Zeta电位、流变仪研究分散剂种类、含量及pH值对浆料的影响。结果表明:当分散剂为聚丙烯酸铵(NH 4-PAA)且其含量为0.8%(质量分数),浆料pH值在10左右时浆料的分... 采用冷冻干燥法制备具有低介电、定向双峰孔径分布的多孔Si 3N 4陶瓷,并利用Zeta电位、流变仪研究分散剂种类、含量及pH值对浆料的影响。结果表明:当分散剂为聚丙烯酸铵(NH 4-PAA)且其含量为0.8%(质量分数),浆料pH值在10左右时浆料的分散效果最好。利用压汞仪、XRD、SEM与矢量网络分析仪研究了粘结剂含量与固相含量对多孔陶瓷微观结构与性能的影响。结果表明:随着粘结剂含量与固相含量的增加,陶瓷的气孔率下降,力学性能增强。当固相含量由15%(体积分数)增加至40%(体积分数)时,气孔率由82.9%降低至40.6%,抗弯强度由(1.2±0.2)MPa增加到(94.7±5)MPa,抗压强度由(2.1±0.5)MPa增加到(314±8)MPa,介电常数由1.5增加至3.7(12.4~18 GHz波段内)。通过冷冻干燥法制备的多孔Si 3N 4陶瓷在过滤、催化剂载体、透波材料等领域具有更广阔的应用。 展开更多
关键词 冷冻干燥法 多孔Si 3N 4陶瓷 低介电 高气孔率
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一硼化铪的晶体结构预测与构效关系基因
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作者 魏晓婷 曾庆丰 +1 位作者 张琪 冯钦颢 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第3期427-435,共9页
利用基于进化算法的晶体结构预测软件USPEX,并结合第一性原理方法对HfB的稳定晶体结构进行全局搜索。在基态条件下,新发现2个HfB晶体结构(空间群:P6m2和R3m)。其中,P6m2结构比已报道的Hf B晶体结构(空间群:Pnma、Cmcm、I41/amd和Fm3m)... 利用基于进化算法的晶体结构预测软件USPEX,并结合第一性原理方法对HfB的稳定晶体结构进行全局搜索。在基态条件下,新发现2个HfB晶体结构(空间群:P6m2和R3m)。其中,P6m2结构比已报道的Hf B晶体结构(空间群:Pnma、Cmcm、I41/amd和Fm3m)具有最低的基态能量。这些结构中,B原子分别以二维类石墨烯(P6m2和R3m结构),zig-zag链(Pnma、Cmcm和41/amd结构)和孤立原子(Fm3m结构)3种形式存在,从而导致它们具有显著的化学键合特征、高温稳定性和强韧特性差异。 展开更多
关键词 材料基因组 晶体结构预测 第一性原理 一硼化铪 高温稳定性
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