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La_2O_3掺杂对BZT20陶瓷介电性能的影响 被引量:1
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作者 李远亮 马雪刚 +1 位作者 徐祥红 曲远方 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期12-15,共4页
以BaCO3、ZrO2和TiO2等为原料,La2O3为掺杂剂,采用固相合成法制得了BaZr0.2Ti0.8O3(BZT20)介质瓷,研究了La2O3的掺杂量对体系介电性能的影响。结果表明:La2O3的掺杂能抑制试样晶粒尺寸的生长。在La2O3掺杂起始阶段,La3+进入A位位置,导... 以BaCO3、ZrO2和TiO2等为原料,La2O3为掺杂剂,采用固相合成法制得了BaZr0.2Ti0.8O3(BZT20)介质瓷,研究了La2O3的掺杂量对体系介电性能的影响。结果表明:La2O3的掺杂能抑制试样晶粒尺寸的生长。在La2O3掺杂起始阶段,La3+进入A位位置,导致试样介电常数和损耗均增大,之后随La2O3掺杂量的增加,部分La3+进入B位位置,介电常数和介电损耗降低。结果也表明La2O3的掺杂能使试样居里温度移向高温方向。 展开更多
关键词 陶瓷 掺杂 微观形貌 介电性能
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