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微光刻相移掩模技术研究被引量：3: 1; 作者冯伯儒孙国良 +3 位作者沈锋阙珑陈宝钦崔铮《光电工程》 CAS CSCD 1996年第S1期1-11,共11页; 本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的... 展开更多; 关键词投影光刻相移掩模高分辨率计算机模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

校正激光直写邻近效应的快速方法被引量：2: 2; 作者杜惊雷郭永康 +4 位作者黄奇忠粟敬钦高福华邱传凯崔铮《光电工程》 CAS CSCD 1998年第6期51-54,共4页; 针对激光直写中的邻近效应的特点，提出通过直写曝光数据预补偿进行光学邻近效应校正的快速、有效方法，并获得了满意的实验结果。; 关键词激光直写邻近效应激光光刻; 在线阅读下载PDF 职称材料

用CHF_3/Ar为工作气体刻蚀融石英被引量：2: 3; 作者周明宝崔铮 Prewett D P 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1999年第2期67-72,共6页; 报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，... 展开更多; 关键词石英反应离子刻蚀氩气氟利昂衍射光学元件; 在线阅读下载PDF 职称材料

光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系: 4; 作者石瑞英杜开瑛 +3 位作者郭永康姚军张怡霄崔铮《光电工程》 CAS CSCD 1998年第6期55-59,共5页; 依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。; 关键词投影光刻掩模光学效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

用光致抗蚀剂作牺性层材料制作可动微机械: 5; 作者周明宝崔铮《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1998年第5期74-78,共5页; 报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。... 展开更多; 关键词光致抗蚀剂牺牲层可动微机械微机械工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar: 6; 作者周明宝崔铮 D.Prewett 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期64-69,81,共7页; 报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术，研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，... 展开更多; 关键词石英离子腐蚀多层位相结构混合气体.; 在线阅读下载PDF 职称材料

用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械: 7; 作者崔铮 D.Prewett 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期71-75,共5页; 报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数减到最少。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接... 展开更多; 关键词光致抗蚀剂损耗层微机械光刻工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微光刻相移掩模技术研究被引量：3: 1; 作者冯伯儒孙国良沈锋阙珑陈宝钦崔铮; 机构中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室中国科学院微电子中心英国卢瑟福国家实验室微结构中心; 出处《光电工程》 CAS CSCD 1996年第S1期1-11,共11页; 基金中国国家自然科学基金资助项目编号为 6 92 76 0 1; 文摘本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率。; 关键词投影光刻相移掩模高分辨率计算机模拟; Keywords Projection lithography,Phase shifting mask,High resolution,Computer simulation.; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名校正激光直写邻近效应的快速方法被引量：2: 2; 作者杜惊雷郭永康黄奇忠粟敬钦高福华邱传凯崔铮; 机构四川大学物理系中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室英国卢瑟福国家实验室; 出处《光电工程》 CAS CSCD 1998年第6期51-54,共4页; 基金国家自然科学基金中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室资助; 文摘针对激光直写中的邻近效应的特点，提出通过直写曝光数据预补偿进行光学邻近效应校正的快速、有效方法，并获得了满意的实验结果。; 关键词激光直写邻近效应激光光刻; Keywords Laser direct write,Proximity effect,Exposure,Laser photoetching; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] TN249 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用CHF_3/Ar为工作气体刻蚀融石英被引量：2: 3; 作者周明宝崔铮 Prewett D P; 机构中国科学院光电技术研究所英国卢瑟福国家实验室微结构中心; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1999年第2期67-72,共6页; 文摘报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率范围在１２０～１６０Ｗ，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｃｍ（１ｃｍ３／ｍｉｎｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ／ｍｉｎｕｔｅ）和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１３～１９Ｐａ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。; 关键词石英反应离子刻蚀氩气氟利昂衍射光学元件; Keywords Fused quartz,Reactive ion etching,Multilevel phase structures; 分类号 TH740.6 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系: 4; 作者石瑞英杜开瑛郭永康姚军张怡霄崔铮; 机构四川大学物理系英国卢瑟福国家实验室; 出处《光电工程》 CAS CSCD 1998年第6期55-59,共5页; 基金国家自然科学基金中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室资助; 文摘依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。; 关键词投影光刻掩模光学效应; Keywords Projection lithography,Masks, Optical effects.; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用光致抗蚀剂作牺性层材料制作可动微机械: 5; 作者周明宝崔铮; 机构中国科学院光电技术研究所英国卢瑟福国家实验室微结构中心; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1998年第5期74-78,共5页; 文摘报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。; 关键词光致抗蚀剂牺牲层可动微机械微机械工艺; Keywords Photoresist,Sacrificial layers,Movable micromechnical structures; 分类号 TH－39 [机械工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar: 6; 作者周明宝崔铮 D.Prewett; 机构中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室英国卢瑟福国家实验室微结构中心; 出处《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期64-69,81,共7页; 文摘报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术，研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在１２０～１６０Ｗ范围，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｍ和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１００～１４０ｍＴｏｒ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。; 关键词石英离子腐蚀多层位相结构混合气体.; Keywords Quartz,Ion etching,Multilevel phase structures,Mixed gases.; 分类号 TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械: 7; 作者崔铮 D.Prewett; 机构中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室英国卢瑟福国家实验室微结构中心; 出处《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期71-75,共5页; 文摘报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数减到最少。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。; 关键词光致抗蚀剂损耗层微机械光刻工艺; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微光刻相移掩模技术研究	冯伯儒孙国良沈锋阙珑陈宝钦崔铮	《光电工程》 CAS CSCD	1996	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	校正激光直写邻近效应的快速方法	杜惊雷郭永康黄奇忠粟敬钦高福华邱传凯崔铮	《光电工程》 CAS CSCD	1998	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	用CHF_3/Ar为工作气体刻蚀融石英	周明宝崔铮 Prewett D P	《光学精密工程》 EI CAS CSCD	1999	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系	石瑞英杜开瑛郭永康姚军张怡霄崔铮	《光电工程》 CAS CSCD	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用光致抗蚀剂作牺性层材料制作可动微机械	周明宝崔铮	《光学精密工程》 EI CAS CSCD	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar	周明宝崔铮 D.Prewett	《光电工程》 CAS CSCD	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械	崔铮 D.Prewett	《光电工程》 CAS CSCD	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料