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基于电致发光的太阳能电池检测方法研究被引量：7: 1; 作者马桂艳张红妹 +1 位作者史金超李翠双《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第3期213-216,共4页; 介绍了运用晶硅太阳能电池电致发光成像法检测分析太阳能电池组件缺陷的方法。基于晶体硅电池的电致发光理论,分析电致发光强度与少数载流子扩散长度、开路电压之间的关系,并对电池组件电致发光图像缺陷进行理论分析和实验验证。研究结... 展开更多; 关键词太阳能电池电致发光扩散长度; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究: 2; 作者宋登元《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期401-406,共6页; ZnO是一种光电性能优异的半导体材料。由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料。由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优... 展开更多; 关键词氧化锌硅溅射光伏异质结太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

高效率晶体硅太阳电池研究及产业化进展被引量：10: 3; 作者宋登元郑小强《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期801-806,811,共7页; 高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业。2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90%的份额,已经成为光伏行业的主流技术,单晶硅太阳电池实验室最高效率已经达到25%,其技术研发... 展开更多; 关键词光伏太阳电池晶体硅背接触异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

淀积温度对ZnO/Si太阳电池结构和开路电压的影响(英文): 4; 作者宋登元王秀香史金超《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第5期286-291,305,共7页; 研究了在两种衬底温度(Tsub)下射频磁控溅射淀积铝掺杂ZnO薄膜对ZnO/Si异质结太阳电池的微结构和开路电压(Voc)的影响。在淀积温度为室温时,ZnO薄膜的光学带隙(Egopt)是3.5 eV,薄膜电阻率为9.51×10-4Ω.cm。当淀积温度提高到250℃... 展开更多; 关键词氧化锌硅磁控溅射异质结界面太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于电致发光的太阳能电池检测方法研究被引量：7: 1; 作者马桂艳张红妹史金超李翠双; 机构英利集团有限公司; 出处《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第3期213-216,共4页; 基金河北省科技研发平台建设专项(199676184H)。; 文摘介绍了运用晶硅太阳能电池电致发光成像法检测分析太阳能电池组件缺陷的方法。基于晶体硅电池的电致发光理论,分析电致发光强度与少数载流子扩散长度、开路电压之间的关系,并对电池组件电致发光图像缺陷进行理论分析和实验验证。研究结果表明:使用合格的电池、在合格的组件制造环节中封装的组件,电池片开路电压的差异会造成组件EL图像的明暗差异。; 关键词太阳能电池电致发光扩散长度; Keywords solar cell electroluminescence diffusion length; 分类号 TM914.4+1 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究: 2; 作者宋登元; 机构英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期401-406,共6页; 基金国家高技术研究发展计划资助项目(863计划)(2012AA050304); 文摘 ZnO是一种光电性能优异的半导体材料。由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料。由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优点,成为太阳电池的重点研究对象。首先综述了铝掺杂ZnO薄膜的晶体结构特性、光学特性和电学特性,随后给出了ZnO/Si异质结太阳电池的量子效率、电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、载流子输运机制、光伏特性及太阳电池的效率进展,最后论述了ZnO/Si异质结太阳电池今后发展方向。; 关键词氧化锌硅溅射光伏异质结太阳电池; Keywords zinc oxide silicon sputtering photovoltaic heterojunction solar cell; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN366 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高效率晶体硅太阳电池研究及产业化进展被引量：10: 3; 作者宋登元郑小强; 机构英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期801-806,811,共7页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA050304); 文摘高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业。2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90%的份额,已经成为光伏行业的主流技术,单晶硅太阳电池实验室最高效率已经达到25%,其技术研发水平和规模化生产能力直接决定着光伏发电平价上网的速度。论述了太阳电池效率的损失机制和提高太阳电池效率方法,介绍了目前实验室效率最高的三种晶体硅太阳电池的结构、特性及效率提升历史,综述了中国产业化高效率低成本晶体硅太阳电池技术的现状,未来高效率晶体硅电池产业化技术将向着使用n型硅衬底、低成本和薄片化方向发展。; 关键词光伏太阳电池晶体硅背接触异质结; Keywords photovoltaic solar cell crystalline silicon back contact heterojunction; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名淀积温度对ZnO/Si太阳电池结构和开路电压的影响(英文): 4; 作者宋登元王秀香史金超; 机构英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第5期286-291,305,共7页; 文摘研究了在两种衬底温度(Tsub)下射频磁控溅射淀积铝掺杂ZnO薄膜对ZnO/Si异质结太阳电池的微结构和开路电压(Voc)的影响。在淀积温度为室温时,ZnO薄膜的光学带隙(Egopt)是3.5 eV,薄膜电阻率为9.51×10-4Ω.cm。当淀积温度提高到250℃时发现Egopt为3.63 eV,薄膜电阻率降低到2.6×10-4Ω.cm。在两种衬底温度下制造了n-ZnO/n-Si异质结太阳电池。准静态开路电压法测量表明,在一个太阳光强(1 000 W/m2)下测量了ZnO/Si异质结太阳电池的开路电压Voc和赝填充因子(p-FF)。发现在室温下淀积的电池的Voc=346 mV、赝填充因子为0.70;而250℃淀积ZnO薄膜的电池的Voc=431 mV、赝填充因子为0.76。太阳电池两二极管模型拟合准静态开路电压法的测量数据表明,Voc的提高是由于太阳电池中载流子复合降低引起的。; 关键词氧化锌硅磁控溅射异质结界面太阳电池; Keywords zinc oxide silicon magnetron sputtering~ heterojunction~ interface~ solar cell; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于电致发光的太阳能电池检测方法研究	马桂艳张红妹史金超李翠双	《光电子技术》 CAS 北大核心	2020	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究	宋登元	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高效率晶体硅太阳电池研究及产业化进展	宋登元郑小强	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	淀积温度对ZnO/Si太阳电池结构和开路电压的影响(英文)	宋登元王秀香史金超	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料