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n型双面TOPCon太阳电池钝化技术
被引量：
5
1
作者
于波
史金超
+3 位作者
李锋
庞龙
刘克铭
于威
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第5期368-373,共6页
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了...
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。
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关键词
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池
选择性钝化接触
隧穿氧化层
多晶硅
双面太阳电池
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职称材料
PEALD制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能
被引量：
2
2
作者
于波
史金超
+4 位作者
李锋
王红芳
陈俊玉
刘克铭
于威
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期370-375,共6页
对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温...
对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al_(2)O_(3)薄膜工艺。研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al_(2)O_(3)钝化的最优效果,并且分析了Al_(2)O_(3)薄膜的化学态和形成机理。利用其Al_(2)O_(3)薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了8 mV,电池的平均光电转换效率达到了23.30%。
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关键词
隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池
表面复合速率
钝化
退火
Al_(2)O_(3)
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职称材料
题名
n型双面TOPCon太阳电池钝化技术
被引量：
5
1
作者
于波
史金超
李锋
庞龙
刘克铭
于威
机构
河北大学物理科学
与技术
学院
英利
能源
(
中国
)
有限公司
光
伏
材料与
技术
国家
重点
实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第5期368-373,共6页
文摘
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。
关键词
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池
选择性钝化接触
隧穿氧化层
多晶硅
双面太阳电池
Keywords
tunneling oxide passivation contact(TOPCon)solar cell
selective passivated contact
tunneling oxide layer
poly Si
bifacial solar cell
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
PEALD制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能
被引量：
2
2
作者
于波
史金超
李锋
王红芳
陈俊玉
刘克铭
于威
机构
河北大学物理科学
与技术
学院
英利
能源
(
中国
)
有限公司
光
伏
材料与
技术
国家
重点
实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期370-375,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2018YFB1500500)
科技研发平台建设专项资助项目(199676184H)
新能源产业技术创新专项资助项目(20314303D)。
文摘
对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al_(2)O_(3)薄膜工艺。研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al_(2)O_(3)钝化的最优效果,并且分析了Al_(2)O_(3)薄膜的化学态和形成机理。利用其Al_(2)O_(3)薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了8 mV,电池的平均光电转换效率达到了23.30%。
关键词
隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池
表面复合速率
钝化
退火
Al_(2)O_(3)
Keywords
tunnel oxide passivated contact(TOPCon)solar cell
surface recombination rate
passivation
annealing
Al_(2)O_(3)
分类号
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n型双面TOPCon太阳电池钝化技术
于波
史金超
李锋
庞龙
刘克铭
于威
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
5
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职称材料
2
PEALD制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能
于波
史金超
李锋
王红芳
陈俊玉
刘克铭
于威
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
2
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职称材料
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