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一种R-C-R组合式12位逐次逼近A/D转换器
被引量：
4
1
作者
佟星元
陈杉
+2 位作者
蔡乃琼
朱樟明
杨银堂
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期904-910,共7页
采用一种R-C-R组合式逐次逼近A/D转换方法,基于UMC 90 nm CMOS工艺设计了一种12位1兆赫兹采样频率的逐次逼近型A/D转换器.在电路设计上,通过复用两段式电阻梯结构,有效地降低了系统对电容阵列的匹配性要求.在版图设计方面,采用了特殊的...
采用一种R-C-R组合式逐次逼近A/D转换方法,基于UMC 90 nm CMOS工艺设计了一种12位1兆赫兹采样频率的逐次逼近型A/D转换器.在电路设计上,通过复用两段式电阻梯结构,有效地降低了系统对电容阵列的匹配性要求.在版图设计方面,采用了特殊的电阻梯版图设计方法来减小连接电阻的失配影响,并采用金属叉指电容来提高工艺兼容性以减小工艺成本.在3.3 V模拟电源电压和1.0 V数字电源电压下,测得微分非线性为0.78最低有效位.当采样速率为1兆采样点每秒,输入信号频率为10 kHz时,测得的有效位数为10.3,包括输出驱动在内,功耗不足10 mW.整个转换器的有源面积小于0.31 mm2,符合嵌入式片上系统的应用要求.
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关键词
A/D转换器
逐次逼近
两段式电阻梯
金属叉指电容
低成本
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职称材料
采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计
被引量：
1
2
作者
张立军
吴晨
+1 位作者
王子欧
毛凌锋
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期171-176,共6页
给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的...
给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。
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关键词
静态随机存储器(SRAM)
低功耗
钳位二极管
漏电流
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职称材料
题名
一种R-C-R组合式12位逐次逼近A/D转换器
被引量：
4
1
作者
佟星元
陈杉
蔡乃琼
朱樟明
杨银堂
机构
西安电子
科技
大学微电子技术研究所
苏州秉亮科技有限公司
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期904-910,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(60725415
60971066
+5 种基金
60676009
60776034
60803038)
国家863计划资助项目(2009AA01Z258
2009AA01Z260)
国家重大科技专项资助项目(2009ZX01034-002-001-005)
文摘
采用一种R-C-R组合式逐次逼近A/D转换方法,基于UMC 90 nm CMOS工艺设计了一种12位1兆赫兹采样频率的逐次逼近型A/D转换器.在电路设计上,通过复用两段式电阻梯结构,有效地降低了系统对电容阵列的匹配性要求.在版图设计方面,采用了特殊的电阻梯版图设计方法来减小连接电阻的失配影响,并采用金属叉指电容来提高工艺兼容性以减小工艺成本.在3.3 V模拟电源电压和1.0 V数字电源电压下,测得微分非线性为0.78最低有效位.当采样速率为1兆采样点每秒,输入信号频率为10 kHz时,测得的有效位数为10.3,包括输出驱动在内,功耗不足10 mW.整个转换器的有源面积小于0.31 mm2,符合嵌入式片上系统的应用要求.
关键词
A/D转换器
逐次逼近
两段式电阻梯
金属叉指电容
低成本
Keywords
A/D converter
successive approximation register
two-segment resistor string
metal finger capacitor
low cost
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计
被引量：
1
2
作者
张立军
吴晨
王子欧
毛凌锋
机构
苏州
大学城市轨道交通学院
苏州
苏州秉亮科技有限公司
苏州
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期171-176,共6页
基金
国家自然科学基金(61272105,61076102)资助项目
文摘
给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。
关键词
静态随机存储器(SRAM)
低功耗
钳位二极管
漏电流
Keywords
static random access memory （ SRAM）, low power, clamping diode, leakage current
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种R-C-R组合式12位逐次逼近A/D转换器
佟星元
陈杉
蔡乃琼
朱樟明
杨银堂
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计
张立军
吴晨
王子欧
毛凌锋
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
已选择
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