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低温烧结NaBi(WO_(4))_(2)陶瓷的介电性能
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作者 张甦 杨秋红 李启笛 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1923-1930,共8页
采用固相合成法制备了NaBi(WO_(4))_(2)(NBW)陶瓷,研究了NBW陶瓷的相结构、形貌、烧结特性和微波介电性能。NBW陶瓷在625~800℃烧结1~4 h能够致密化。X射线衍射表明在625~800℃烧结2 h的NBW陶瓷均为四方晶系白钨矿结构的单相陶瓷。随着... 采用固相合成法制备了NaBi(WO_(4))_(2)(NBW)陶瓷,研究了NBW陶瓷的相结构、形貌、烧结特性和微波介电性能。NBW陶瓷在625~800℃烧结1~4 h能够致密化。X射线衍射表明在625~800℃烧结2 h的NBW陶瓷均为四方晶系白钨矿结构的单相陶瓷。随着烧结温度的提高,NBW陶瓷的介电常数、品质因数(Qf值)先增加后降低,谐振频率温度系数逐渐降低。经650℃烧结2 h获得的NBW陶瓷的介电常数为14.36,Qf值为16503 GHz,谐振频率温度系数为-1.055×10^(-5)℃^(-1)。NBW陶瓷与银共烧反应生成Ag_(2)W_(2)O_7相,而与Au、Al共烧具备化学兼容性。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 NaBi(WO_(4))_(2)陶瓷 介电性能 微波介质陶瓷
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