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三相SPWM混合调制Boost集成式光伏逆变器
被引量：
3
1
作者
尹铭
秦岭
+4 位作者
胡茂
罗松
王亚芳
周磊
段冰莹
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2020年第7期2691-2700,共10页
相比于传统两级式光伏发电系统,三相Boost集成式光伏逆变器具有结构简单、成本低、集成度高、可实现单级能量变换等优点。现有的三相电压源型逆变器SPWM调制策略均可直接应用于Boost集成式升压逆变器。然而,其直流母线电压随着调制比M...
相比于传统两级式光伏发电系统,三相Boost集成式光伏逆变器具有结构简单、成本低、集成度高、可实现单级能量变换等优点。现有的三相电压源型逆变器SPWM调制策略均可直接应用于Boost集成式升压逆变器。然而,其直流母线电压随着调制比M而大范围变化,导致开关管承受较大的电压应力;更重要的是,由于占空比呈正弦规律变化,升压电感电流含有很大的低频纹波分量,导致电流应力和通态损耗严重增加。为此,基于叠加原理,提出了三相SPWM混合调制策略。其可实现集成式逆变器直流母线电压与逆变输出电压/电流的解耦控制,降低器件电压应力;升压电感在每个开关周期内的充电时间恒定为DTs,从而从理论上彻底消除了其电流的低频脉动。通过一台1.4k W/10k Hz的原理样机,对三相SPWM混合调制Boost集成式逆变器的可行性进行了实验验证。
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关键词
三相逆变器
单级
光伏
SPWM混合调制
BOOST
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职称材料
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
被引量：
3
2
作者
钱洪途
朱永生
+3 位作者
邓光敏
刘雯
陈敦军
裴轶
《电源学报》
CSCD
北大核心
2019年第3期38-43,共6页
为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,...
为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2 μA,在源漏电压400 V时输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别为1 500 pF、32 pF和12 pF,动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240~320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机,在200~1 000 W负载范围内效率明显高于Si器件,最高效率超过95%。
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关键词
氮化镓
高电子迁移率晶体管
级联结构
无线电能传输
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职称材料
题名
三相SPWM混合调制Boost集成式光伏逆变器
被引量：
3
1
作者
尹铭
秦岭
胡茂
罗松
王亚芳
周磊
段冰莹
机构
南通大学电气工程学院
苏州捷芯威半导体有限公司
南京矽力杰
半导体
技术
有限公司
出处
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2020年第7期2691-2700,共10页
文摘
相比于传统两级式光伏发电系统,三相Boost集成式光伏逆变器具有结构简单、成本低、集成度高、可实现单级能量变换等优点。现有的三相电压源型逆变器SPWM调制策略均可直接应用于Boost集成式升压逆变器。然而,其直流母线电压随着调制比M而大范围变化,导致开关管承受较大的电压应力;更重要的是,由于占空比呈正弦规律变化,升压电感电流含有很大的低频纹波分量,导致电流应力和通态损耗严重增加。为此,基于叠加原理,提出了三相SPWM混合调制策略。其可实现集成式逆变器直流母线电压与逆变输出电压/电流的解耦控制,降低器件电压应力;升压电感在每个开关周期内的充电时间恒定为DTs,从而从理论上彻底消除了其电流的低频脉动。通过一台1.4k W/10k Hz的原理样机,对三相SPWM混合调制Boost集成式逆变器的可行性进行了实验验证。
关键词
三相逆变器
单级
光伏
SPWM混合调制
BOOST
Keywords
three-phase inverter
single-stage
photovoltaic
SPWM hybrid modulation
Boost
分类号
TM721 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
被引量：
3
2
作者
钱洪途
朱永生
邓光敏
刘雯
陈敦军
裴轶
机构
南京大学电子科学与工程学院
苏州
能讯高能
半导体
有限公司
苏州捷芯威半导体有限公司
西交利物浦大学电气与电子工程系
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2019年第3期38-43,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402900)~~
文摘
为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2 μA,在源漏电压400 V时输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别为1 500 pF、32 pF和12 pF,动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240~320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机,在200~1 000 W负载范围内效率明显高于Si器件,最高效率超过95%。
关键词
氮化镓
高电子迁移率晶体管
级联结构
无线电能传输
Keywords
gallium nitride(GaN)
high electron mobility transistor(HEMT)
cascode structure
wireless power transmission
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三相SPWM混合调制Boost集成式光伏逆变器
尹铭
秦岭
胡茂
罗松
王亚芳
周磊
段冰莹
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2020
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
钱洪途
朱永生
邓光敏
刘雯
陈敦军
裴轶
《电源学报》
CSCD
北大核心
2019
3
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职称材料
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