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题名标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件
被引量：3
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作者
李淑萍
张志利
付凯
于国浩
蔡勇
张宝顺
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机构
苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第11期827-832,875,共7页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11404372)
江苏省重点研究与发展计划资助项目(BE2016084)
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文摘
介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6 V移动到增强型器件的+1.9 V。研究了注入剂量对器件性能的影响,研究发现随着注入剂量的不断增加,阈值电压不断地正向移动,但由于存在高能F离子的注入损伤,器件的正向栅极漏电随着注入剂量的增加而不断上升,阈值电压正向移动也趋于饱和。因此,提出采用在AlGaN/GaN异质结表面沉积栅介质充当能量吸收层,降低离子注入过程中的损伤,成功实现了阈值电压为+3.3 V,饱和电流密度约为200 mA/mm,同时具有一个较高的开关比109的增强型金属-绝缘层-半导体HEMT(MIS-HEMT)器件。
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关键词
氮化镓
增强型
高电子迁移率晶体管(HEMT)
离子注入
能量吸收层
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Keywords
GaN
enhancement-mode
high electron mobility transistor （HEMT）
ion implantation
energy-absorbing layer
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名基于DMX512-A的LED视频控制系统
被引量：2
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作者
陆伟国
王宜怀
刘辉
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机构
苏州大学计算机科学与技术学院
苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2017年第19期67-70,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60871086)
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文摘
针对目前市场上ARM+FPGA的LED视频控制系统开发成本高,控制复杂等问题,提出一种基于DMX512-A协议的单芯片LED视频控制系统。系统采用分布式存储技术,使得控制器负载均衡,带载MQX实时操作系统具有高并发性和实时性;采用多链表的内存管理方式,并结合预取和缓存技术大大提高程序执行效率;同时利用以太网实现LED视频的远程更新。本系统将图像处理和信号产生相分离,减少各个控制器的负担,成本低、控制灵活,适用于中小型户外LED视频播放。
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关键词
DMX512-A
LED视频
MQX
内存管理
远程更新
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Keywords
DMX512-A
LED video
MQX
memory management
remote update
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分类号
TN911-34
[电子电信—通信与信息系统]
TP271
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名浅析CAN总线有效数据利用率和传输速度
被引量：1
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作者
朱宇
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机构
苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院
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出处
《信息技术与信息化》
2018年第6期84-86,共3页
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文摘
根据国际标准11898-2,CAN总线运行时的最快速度是1Mbit/s,这个速度是每一位的传播速度,它不能直接反映出CAN总线内有效数据的传输速度,所以不能凭此得到传输有效数据所耗的时间。通过对CAN总线报文的数据帧进行研究,分析计算出了数据帧内有效数据的利用率和传输速度,进一步获得了CAN总线传输数据的等待时间。
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关键词
CAN总线
有效数据利用率
数据帧
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Keywords
CAN bus
effective data ratio
data frame
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分类号
TP273
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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