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一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究
1
作者
卞新海
陈文兰
+2 位作者
王京
王寅生
高怀
《科技创新与应用》
2012年第06Z期5-6,共2页
本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问...
本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问题。仿真和测试结果表明,当最高基本频率同为1.20GHz时,全集成单片微波混沌电路比现有技术的频谱带宽扩展了23%,达到DC-4.30GHz,输出电压摆幅也提升15%。
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关键词
混沌
Colpitts电路
砷化镓
基本频率
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职称材料
LDMOSFET电热耦合解析模型
2
作者
孙晓红
戴文华
+2 位作者
严唯敏
陈强
高怀
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期370-376,424,共8页
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该...
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。
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关键词
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
解析模型
晶体管模型
封装模型
热模型
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职称材料
题名
一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究
1
作者
卞新海
陈文兰
王京
王寅生
高怀
机构
东南大学
苏州
研究院高
频
高
功率
器件
与集成
技术
研究
中心
苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心
东南大学国家ASIC系统工程
中心
出处
《科技创新与应用》
2012年第06Z期5-6,共2页
基金
江苏省科技支撑计划工业部分重点项目(BE2010129)
文摘
本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问题。仿真和测试结果表明,当最高基本频率同为1.20GHz时,全集成单片微波混沌电路比现有技术的频谱带宽扩展了23%,达到DC-4.30GHz,输出电压摆幅也提升15%。
关键词
混沌
Colpitts电路
砷化镓
基本频率
分类号
TN015 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
LDMOSFET电热耦合解析模型
2
作者
孙晓红
戴文华
严唯敏
陈强
高怀
机构
东南大学国家ASIC系统工程
中心
Infineon Technologies North America Corp
苏州
大学应用
技术
学院机电工程系
Department of Electronic System
苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期370-376,424,共8页
文摘
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。
关键词
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
解析模型
晶体管模型
封装模型
热模型
Keywords
LDMOSFET
analytical model
transistor model
package model
thermal model
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究
卞新海
陈文兰
王京
王寅生
高怀
《科技创新与应用》
2012
0
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职称材料
2
LDMOSFET电热耦合解析模型
孙晓红
戴文华
严唯敏
陈强
高怀
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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