低温氧等离子体对有机薄膜改性的研究 被引量：3

1

作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 葛水兵 徐冬梅 张可达 张雪梅 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期96-98,共3页

在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。... 在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。但是４种薄膜经等离子体处理后其亲水性变化的程度并不相同，按照接触角减小的程度来排序依次为聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂。这意味着，等离子体辐照有机薄膜对其亲水性改善的效果依赖于薄膜本身的表面结构。 展开更多

关键词 有机高分子膜 等离子体 表面改性 薄膜 低湿氧

在线阅读 下载PDF 职称材料

TiN/NbN纳米多层薄膜的交变应力场和超硬效应 被引量：6

2

作者 赖倩茜 虞晓江 +2 位作者 戴嘉维 李戈扬 宁兆元 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期313-316,共4页

为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构... 为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 。 展开更多

关键词 纳米多层薄膜 超硬效应 TiN/NbN超晶格薄膜 调制结构 超硬度 交变应力场 氮化钛 氮化铌

在线阅读 下载PDF 职称材料

低掺铝TiN薄膜的XPS，XRD分析研究 被引量：1

3

作者 辛煜 宁兆元 +2 位作者 金宗明 薛青 范叔平 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第4期377-380,共4页

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果... 本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。 展开更多

关键词 薄膜 择优取向 XPS XRD 钛铝薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究 被引量：5

4

作者 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期403-404,共2页

采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都... 采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低 。 展开更多

关键词 铁电薄膜 钛酸镧铅 溶胶-凝胶法 铁电性能 介电性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光

5

作者 石旺舟 欧阳艳东 +1 位作者 吴雪梅 姚伟国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期71-74,共4页

采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立... 采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50～ 4 0 0nm、50 0～ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。 展开更多

关键词 非晶硅基薄膜 荧光 PECVD SiDx:H SiOxNy:H 发光材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究

6

作者 辛煜 范叔平 +2 位作者 吴建新 金宗明 杨礼富 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期351-354,共4页

以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该... 以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。 展开更多

关键词 多弧离子法 高速钢 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜 被引量：3

7

作者 陈修勇 辛煜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期163-168,共6页

利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片... 利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小。红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子。同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移。薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因。 展开更多

关键词 微波电子回旋共振等离子体 非晶碳化硅 红外光谱 光学带隙

在线阅读 下载PDF 职称材料

偏压对多弧离子镀TiN膜层的影响 被引量：7

8

作者 辛煜 范叔平 +3 位作者 宁兆元 杨礼富 薛青 金宗明 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第1期8-10,共3页

主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏... 主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏压下钛滴趋于细化。划痕试验表明:在150～200V偏压下膜层的临界载荷最佳。 展开更多

关键词 多弧离子镀 喷镀 氮化钛 离子镀 镀膜 偏压

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究 被引量：22

9

作者 葛水兵 程珊华 宁兆元 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期77-79,共3页

利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从... 利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :掺杂比从0 .75%增至 1 .5%过程中 ,膜的载流子浓度、透光率 (在波长大于 50 0 nm的范围 )和光隙能相应增大。在氧分压强为 0 Pa(不充氧 )、掺杂比为 1 .5%左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 1 0 -4 Ω cm,且在可见光区其透光率超过了 90 %。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 ZnO膜 掺杂比 铝 掺杂 透明导电膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米多层膜中立方AlN外延生长的HRTEM观察 被引量：5

10

作者 田家万 劳技军 +2 位作者 虞晓江 李戈扬 宁兆元 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期633-634,共2页

关键词 纳米多层膜 AIN 外延生长 HRTEM 高分辨电子显微镜 立方相 氮化铝

在线阅读 下载PDF 职称材料

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能的影响 被引量：2

11

作者 程珊华 宁兆元 +1 位作者 葛水兵 蒋紫松 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期117-120,共4页

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程... 使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５００Ｃ附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。试验中还研究了加热退火对膜性能的影响。结果表明：后处理（加热退火）的效果与成膜时的基片温度有密切关系。在低基片温度下沉积的膜经过后处理其透光率得到较大改善但电阻率有所上升，在高基片温度下沉积的膜经过后处理其导电和透光性能都变差。存在一个适中的基片温度区，在该温度下采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法可以不必进行后处理，直接沉积出性能良好的ＩＴＯ透明导电膜。 展开更多

关键词 反应蒸发沉积 ITO膜 基片温度 薄膜 光学性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究 被引量：1

12

作者 葛水兵 程珊华 +1 位作者 宁兆元 沈明荣 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2000年第2期86-88,共3页

利用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜 .通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透射比和电阻率的影响 .结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况 .从... 利用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜 .通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透射比和电阻率的影响 .结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况 .从电学分析看出 :掺杂比从 0 .75 %增至 1.5 %过程中 ,膜的载流子浓度、透射比 (在波长大于 5 0 0nm的范围 )和光隙能相应增大 .在氧分压强为 0Pa、掺杂比为 1.5 %左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 10 -4 Ω·cm ,且在可见光区其透射比超过了 90 % . 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 掺杂比 氧分压 ZnO:Al膜 性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

聚乙烯醇和海藻酸钠膜的接触角与表面电阻率关联性的研究

13

作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 葛水兵 徐冬梅 张可达 张雪梅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期212-214,共3页

利用直流辉光氧等离子体对聚乙烯醇、海藻酸钠等有机高分子膜作表面改性处理，其亲水性和电阻等性能有了很大改变。发现膜与水的接触角和表面电阻率这两种性能经等离子体处理后呈现类同的变化规律。

关键词 气化薄膜 等离子体 表面改性 聚乙烯醇 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响 被引量：9

14

作者 葛水兵 程珊华 +4 位作者 宁兆元 沈明荣 甘肇强 周咏东 褚君浩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期82-83,共2页

利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。... 利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 ZnO膜 基片温度 氧分压强

全文增补中