健康医学微电子学的研究进展——基于ISSCC 2011的综论 被引量：1

1

作者 李文石 《中国集成电路》 2011年第10期17-24,共8页

2011年国际固态电路会议(ISSCC)的主题是为了健康生活的电子学。基于ISSCC2011的报道素材,编译与提炼健康医学微电子学的研究成就与进展趋势,再现3个大会技术报告主旨思想与技术突破要点,摘要1个专家圆桌专题研讨的焦点与亮点,复习与总... 2011年国际固态电路会议(ISSCC)的主题是为了健康生活的电子学。基于ISSCC2011的报道素材,编译与提炼健康医学微电子学的研究成就与进展趋势,再现3个大会技术报告主旨思想与技术突破要点,摘要1个专家圆桌专题研讨的焦点与亮点,复习与总结ISSCC2011的技术趋势,最后浓缩结论,强调理念,亮出基尔比原理,附录介绍2012年ISSCC的主题。 展开更多

关键词 ISSCC 健康医学微电子学 基尔比原理

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苏州三星半导体封装工艺及产品可靠性保障体系

2

作者 许华平 王明湘 《电子与封装》 2005年第8期41-46,共6页

本文首先介绍苏州三星半导体的产品发展趋势和品质保障体系,着重阐述了四个关键封装工艺中的重要特性的管理方法和注意事项。然后介绍了产品可靠性实验的几个主要实验项目的实验目的、实验条件和要求。最后介绍了一些有关最新的无铅产... 本文首先介绍苏州三星半导体的产品发展趋势和品质保障体系,着重阐述了四个关键封装工艺中的重要特性的管理方法和注意事项。然后介绍了产品可靠性实验的几个主要实验项目的实验目的、实验条件和要求。最后介绍了一些有关最新的无铅产品的可靠性保证方面的内容。 展开更多

关键词 封装工艺 可靠性 无铅化

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基于阿姆达尔定律和兰特法则计算多核架构的加速比 被引量：11

3

作者 李文石 姚宗宝 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期230-234,共5页

在评价多核CPU加速比已知模型的基础上,基于第一性计算原理融合理解阿姆达尔定律和兰特法则,提出描述多核CPU加速比的一个新模型.研究方法是从传统的阿姆达尔定律切入,论述的逻辑顺序分别基于约束固定任务,固定时间,存储器和互连复杂性... 在评价多核CPU加速比已知模型的基础上,基于第一性计算原理融合理解阿姆达尔定律和兰特法则,提出描述多核CPU加速比的一个新模型.研究方法是从传统的阿姆达尔定律切入,论述的逻辑顺序分别基于约束固定任务,固定时间,存储器和互连复杂性;兼顾了举例论述同构多核的NoC带宽性质和最大温度特性.计算表明:基于固定时间模型与存储器模型预测多核的加速能力,容易得到估计结果的乐观上限;我们提出的基于兰特法则的模型计算结果,在并行比例较大时稍小于但接近前述模型估计值,而比固定任务模型的保守结果要好;NoC带宽和最大温度的结果提示,多(同构)核CPU期盼相对高的并行度架构. 展开更多

关键词 多核处理器 阿姆达尔定律 加速比 兰特法则 第一性原理 带宽 温度

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MEMS的研究现状及其进展 被引量：3

4

作者 马强 李文石 朱臻 《中国集成电路》 2004年第10期57-61,21,共6页

本文从MEMS有关的材料、加工工艺、设计方法、仿真模拟、封装和可靠性等方面,阐释MEMS的研究现状,概论MEMS相关技术的发展趋势。

关键词 MEMS 器件 微机电系统 封装技术 参数提取 综合工具 电子数据表格 研究现状

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基于DSP算法的正向设计方法学概论 被引量：1

5

作者 李文石 曹勇 鲍信茹 《中国集成电路》 2006年第4期31-34,共4页

基于DSP算法的正向设计方法学为系统芯片设计师提供重要的学术素养。本文结合图表概论正向设计方法学中的数学变换思想,一是DSP算法变换,二是相应的ULSI架构变换。研究结论是作为技术核心的DSP-ULSI最佳映射,贡献首先来自DSP算法变换,... 基于DSP算法的正向设计方法学为系统芯片设计师提供重要的学术素养。本文结合图表概论正向设计方法学中的数学变换思想,一是DSP算法变换,二是相应的ULSI架构变换。研究结论是作为技术核心的DSP-ULSI最佳映射,贡献首先来自DSP算法变换,其次来自ULSI架构变换,此间始终构造把握评价函数。 展开更多

关键词 DSP算法 设计方法学 正向 概论 ULSI 算法变换 系统芯片 数学变换 评价函数 设计师

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基于布拉格反射膜提高红光LED的外量子效率计算 被引量：1

6

作者 李文石 刘晶 刘文姝 《中国集成电路》 2010年第5期58-62,共5页

固体照明的核心是LED。LED发光的明亮度演进规律已经被建模为海兹定律。驱动海兹定律的主要技术力量包括外量子效率和能耗。对比量化分析了经典的提高LED外量子效率的布拉格反射膜方法。

关键词 LED 海兹定律 外量子效率 布拉格反射膜 计算

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自动评分测谎SOC实现的算法研究 被引量：1

7

作者 李文石 曹勇 《中国集成电路》 2004年第2期66-67,共2页

为探索SOC化的测谎自动评分系统,本文综论美国测谎技术的自动评分算法研究成果,简介国内包括我们的相应工作,讨论SOC化创新的技术生长点。

关键词 自动评分测谎技术 SOC 算法研究 创新 特征量选择 算法评介

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测谎学研究百年进程:趋向SOC 被引量：4

8

作者 李文石 《中国集成电路》 2003年第55期39-43,共5页

为探索 SOC 化的测谎自动评分系统,本文综论世界测谎技术的百年进程,涵盖测谎概念、原理、简史、指标和效度,简介我们的脑核磁共振研究工作,展望测谎技术趋向 SOC 的前景。

关键词 测谎学 SOC 测谎自动评分系统 工作原理 脑核磁共振

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固态电路设计的未来:融合与健康——2004年～2008年ISSCC论文统计预见 被引量：1

9

作者 李文石 《中国集成电路》 2007年第9期8-18,35,共12页

针对集成电路设计技术的前瞻预测问题,主要信息源采用2004年￣2007年度的IEEE国际固态电路会议技术论文集,分析基本统计数据,总结当前技术成果,提炼新兴发展趋势,综合国际级设计专家的技术预测,最后,应用图解与公式建模,预见集成电路设... 针对集成电路设计技术的前瞻预测问题,主要信息源采用2004年￣2007年度的IEEE国际固态电路会议技术论文集,分析基本统计数据,总结当前技术成果,提炼新兴发展趋势,综合国际级设计专家的技术预测,最后,应用图解与公式建模,预见集成电路设计技术的未来方向。 展开更多

关键词 集成电路 设计 统计 预测

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三维集成技术的发展研究

10

作者 李文石 马强 李波 《中国集成电路》 2004年第9期34-38,共5页

阐释3D集成技术的发明创意,分析2D-IC互连瓶颈的挑战,例示3D-IC的优点,详论3D集成工艺技术的发展,简介3D集成设计技术,研究结论是3D集成将壮大为新世纪迎接SOC挑战的主流技术。

关键词 发展研究 集成技术 挑战 瓶颈 创意 IC SOC 互连 集成工艺 流技术

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基于三种方法比较串行与流水线乘法器的功耗

11

作者 姚宗宝 沙亚兵 李文石 《中国集成电路》 2011年第4期40-43,共4页

乘法器是科学计算的重要硬件内核。为验证两种结构乘法器(串行、流水线)的功耗差异,分别采用三种功耗分析技术,包括QuartusⅡ自带功耗分析工具PowerPlay Power Analyzer Tool、Altera提供的FPGA估算实际功耗的经验公式,以及Synopsys的... 乘法器是科学计算的重要硬件内核。为验证两种结构乘法器(串行、流水线)的功耗差异,分别采用三种功耗分析技术,包括QuartusⅡ自带功耗分析工具PowerPlay Power Analyzer Tool、Altera提供的FPGA估算实际功耗的经验公式,以及Synopsys的综合工具DC,结果表明,在可比较即计算位宽相同、所加工作频率相等的前提下,流水线乘法器的时延仅为串行乘法器的38.5%(因为前者强调了并行),消耗的硬件资源为后者的2.76倍。利用QuartusⅡ自带功耗分析功能得到的结果不明显,而经验公式估算法和DC工具法都得出串行与流水线乘法器功耗之比为0.36。 展开更多

关键词 乘法器 功耗 仿真 估算

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ATE的技术演进规律及多点测试的成本分析

12

作者 李文石 刘晶 《中国集成电路》 2010年第10期60-65,共6页

经由专用发展而成通用的ATE的新趋势之一是并行测试。并行系统的设计原理揭示自阿姆达尔定律。依据ITRS-2009对比2005年的ATE基础数据,计算分析了多点ATE测试的成本优势。

关键词 ATE 演进规律 阿姆达尔定律 并行测试 成本分析

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吉迪斯院士论生物医学工程学

13

作者 李文石 王兰 《教育家》 2003年第10期15-17,共3页

关键词 吉迪斯 生物医学工程学 教学研究思想 科技史

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集成电路核心技术自主创新进程预测(上)

14

作者 李文石 《中国集成电路》 2007年第12期11-18,共8页

世界IC、整机和服务价值链的放大比例为1:7:10,高端整机产品中的硅含量已经大于40%。中国IC设计产业布局的燕子模型内含四个三角,闻芯而动,技术是根,人才是本,创新是魂。创新包括技术及管理创新。IC设计业的规律概括为牧本浪潮、设计原... 世界IC、整机和服务价值链的放大比例为1:7:10,高端整机产品中的硅含量已经大于40%。中国IC设计产业布局的燕子模型内含四个三角,闻芯而动,技术是根,人才是本,创新是魂。创新包括技术及管理创新。IC设计业的规律概括为牧本浪潮、设计原则、研发费用和技术寿命。存在波动和涨落的因素主要指向IC总类别(通用或专用)、系统芯片正向设计、设计师与工具及IP成本,还有核心技术持续创新竞争力。核心技术瓶颈的统计包括设计难点、专利软肋、驱动疲软和模型分析。所积累的矛盾焦点主要包括EDA工具综合能力与工艺进步的失配、专利栅栏阈值低、整机驱动能力弱,还有就是,研发策略未重视差异化和高投入。创新进程预测源于国际2005ITRS分析、中国IC行业预测、中国未来20年技术预见和发明创新理论。创新案例分析重点总结美国Intel、中国中星微、华大和复旦微电子。其代表性的理念是:只有偏执狂才能生存,集成创新,最早做早做大,从应用端出发才能真正掌握芯片设计潮流。苏州芯片设计的未来崇尚遵循规律,加强统计分析预见,倡导发展健康医学芯片设计,理解基于DSP-ULSI的正向设计方法学,聚焦系统芯片设计师的培养。 展开更多

关键词 集成电路 核心技术 自主创新 产业瓶颈 苏州特色 产业预测 政策建议.

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集成电路核心技术自主创新进程预测(下)

15

作者 李文石 《中国集成电路》 2008年第1期27-37,共11页

世界IC、整机和服务价值链的放大比例为1:7:10,高端整机产品中的硅含量已经大于40%。中国IC设计产业布局的燕子模型内含四个三角,闻芯而动,技术是根,人才是本,创新是魂。创新包括技术及管理创新。IC设计业的规律概括为牧本浪潮、设计原... 世界IC、整机和服务价值链的放大比例为1:7:10,高端整机产品中的硅含量已经大于40%。中国IC设计产业布局的燕子模型内含四个三角,闻芯而动,技术是根,人才是本,创新是魂。创新包括技术及管理创新。IC设计业的规律概括为牧本浪潮、设计原则、研发费用和技术寿命。存在波动和涨落的因素主要指向IC总类别(通用或专用)、系统芯片正向设计、设计师与工具及IP成本,还有核心技术持续创新竞争力。核心技术瓶颈的统计包括设计难点、专利软肋、驱动疲软和模型分析。所积累的矛盾焦点主要包括EDA工具综合能力与工艺进步的失配、专利栅栏阈值低、整机驱动能力弱,还有就是,研发策略未重视差异化和高投入。创新进程预测源于国际2005ITRS分析、中国IC行业预测、中国未来20年技术预见和发明创新理论。创新案例分析重点总结美国Intel、中国中星微、华大和复旦微电子。其代表性的理念是:只有偏执狂才能生存,集成创新,最早做早做大,从应用端出发才能真正掌握芯片设计潮流。苏州芯片设计的未来崇尚遵循规律,加强统计分析预见,倡导发展健康医学芯片设计,理解基于DSP-ULSI的正向设计方法学,聚焦系统芯片设计师的培养。 展开更多

关键词 集成电路 核心技术 自主创新 产业瓶颈 苏州特色 产业预测 政策建议

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一种快速设计反激开关电源主电路的新方法 被引量：3

16

作者 张杰 李文石 《电子器件》 CAS 2009年第3期604-607,共4页

提出了一种设计50W以上反激开关电源主电路的实用有效方法——临界条件法,该方法将变压器的设计归结为在最大输入电压(230V)条件下确定初级侧电感,在最小输入电压(90V)条件下验证设计参数的正确性,优点是既可简化设计过程,又可避免因传... 提出了一种设计50W以上反激开关电源主电路的实用有效方法——临界条件法,该方法将变压器的设计归结为在最大输入电压(230V)条件下确定初级侧电感,在最小输入电压(90V)条件下验证设计参数的正确性,优点是既可简化设计过程,又可避免因传统确定初级电感(最小输入电压和满载条件)需要估计纹波因数所带来的误差。成功地设计了一款90～264V输入19V输出的反激开关电源,采用PSIM6.0工具仿真该电源系统,结果显示反激变换器的输出电压纹波最大为±19.35mV,输出电压精度为±0.10%,实测已实现系统板的结果显示,输出电压纹波较之仿真结果偏小约±3.50mV。 展开更多

关键词 反激开关电源 变压器 快速设计 PSIM仿真 测试

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影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究 被引量：1

17

作者 邢洁 王明湘 何健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期349-353,共5页

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整... 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。 展开更多

关键词 静电放电 荷电器件放电模型 测试探针 LRC模型

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一种低压高线性CMOS模拟乘法器设计 被引量：2

18

作者 陆晓俊 李富华 《现代电子技术》 2011年第2期139-141,144,共4页

提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路,该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0.18μm CMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1.8 V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性... 提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路,该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0.18μm CMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1.8 V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性输入范围达到±0.3 V,-3 dB带宽可达到1 GHz,而且与先前低电压乘法器电路相比,在同样的功耗和电源电压下,具有更好的线性度。 展开更多

关键词 CMOS模拟乘法器 低压 高线性 减法电路

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三维集成电路的性能计算 被引量：2

19

作者 李波 李文石 周江 《中国集成电路》 2005年第2期52-55,共4页

基于2003ITRS、热阻经验公式、Elmore时延模型和三维集成电路互连模型,本文估算分析单栅SOI-CMOS三维集成电路的热阻θ,简介分析功耗延迟积PDP的计算结果,估算分析阈值电压的工艺容差6б。应用VC++链接Matlab,计算研究发现:主要源于垂... 基于2003ITRS、热阻经验公式、Elmore时延模型和三维集成电路互连模型,本文估算分析单栅SOI-CMOS三维集成电路的热阻θ,简介分析功耗延迟积PDP的计算结果,估算分析阈值电压的工艺容差6б。应用VC++链接Matlab,计算研究发现:主要源于垂直互连的贡献,针对90nm-45nm技术代,选取器件层m为4-8时,存在负载为N门m层的单栅SOI-CMOS与非门三维电路的热阻梯度和功耗延迟积各自的最优值。随着技术一代一代地发展,芯片热阻和阈值电压的工艺容差成为极大的工艺挑战。 展开更多

关键词 三维集成电路 性能计算 热阻 阈值电压 功耗延迟积

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三维集成电路测试进展 被引量：3

20

作者 宋佳佳 李文石 《中国集成电路》 2013年第10期63-69,86,共8页

从小柳光正教授1978年堆叠的两只MOS电容DRAM的三维结构出发,到2010年半导体业界提出了Cu-TSV工艺方法,演进出一部三维集成微纳电子学。本文梳理近6年内的3D-IC测试的一次文献,重点分析了键合前测试、键合中测试和键合后测试。尝试从不... 从小柳光正教授1978年堆叠的两只MOS电容DRAM的三维结构出发,到2010年半导体业界提出了Cu-TSV工艺方法,演进出一部三维集成微纳电子学。本文梳理近6年内的3D-IC测试的一次文献,重点分析了键合前测试、键合中测试和键合后测试。尝试从不同的角度,例如内建自测试、探头技术、串扰、短路与开路检测,以及基于成本优化的温升与应力检测,讨论3D-IC测试所遇到的难题及其解决方法。未来的3D-IC测试技术看好小组数超微探针技术、DfX技术和自适应测试,测试的优化方向必将考虑"成本与功耗折中权重下的良率"新模型。 展开更多

关键词 三维集成电路 硅通孔 测试

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