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轴向二极场MWECR-CVD系统等离子体特性的实验研究
被引量:
7
1
作者
叶超
宁兆元
甘肇强
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期43-48,共6页
本实验设计了永磁非对称轴向二极场MWECR-CVD系统,并对系统的等离子体特性进行了研究,获得了等离子体空间分布的图像以及气压对等离子体参数的影响。
关键词
轴向二极场
ECD
等离子体
空间分布
CVD
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职称材料
反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗
被引量:
8
2
作者
赵登涛
朱炎
狄国庆
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第4期300-303,共4页
在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3~ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的...
在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3~ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。
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关键词
反应射频磁控溅射
介电损耗
氧化铝薄膜
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职称材料
反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性
被引量:
7
3
作者
赵登涛
狄国庆
朱炎
《材料科学与工程》
CSCD
2000年第3期80-83,共4页
在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
关键词
反应射频磁控溅射
介电性质
非晶
氧化铝薄膜
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职称材料
Pb_(1-x) La_xTiO_3薄膜的制备及特性研究
被引量:
1
4
作者
郑分刚
朱卫东
+2 位作者
沈明荣
甘肇强
葛水兵
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期124-125,131,共3页
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/StO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在600℃ 下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(1...
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/StO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在600℃ 下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度和随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。
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关键词
溶胶-凝胶
PLT薄膜
制备
铁电薄膜
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职称材料
Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电特性研究
5
作者
朱卫东
郑分刚
+2 位作者
沈明荣
甘肇强
葛水兵
《材料科学与工程》
CSCD
2000年第3期84-86,共3页
用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PL...
用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PLT薄膜有典型的电滞回线。在 x<0 .2 (摩尔比 )的范围内 ,PLT薄膜相对介电常数则随着 La的增加而增加。
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关键词
溶胶-凝胶
PLT薄膜
铁电薄膜
介电特性
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职称材料
微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜
被引量:
9
6
作者
程珊华
宁兆元
+3 位作者
薛青
金宗明
高伟建
李育峰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1995年第5期405-408,共4页
发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于...
发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于100Ω/□的ITO膜。
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关键词
ITO膜
微波
ECR等离子体
真空蒸发
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职称材料
题名
轴向二极场MWECR-CVD系统等离子体特性的实验研究
被引量:
7
1
作者
叶超
宁兆元
甘肇强
机构
苏州大学物理系薄膜材料实验室
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期43-48,共6页
文摘
本实验设计了永磁非对称轴向二极场MWECR-CVD系统,并对系统的等离子体特性进行了研究,获得了等离子体空间分布的图像以及气压对等离子体参数的影响。
关键词
轴向二极场
ECD
等离子体
空间分布
CVD
Keywords
Permanent magnet axial two pole field ECR plasma Spatial profile Pressure effect.
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗
被引量:
8
2
作者
赵登涛
朱炎
狄国庆
机构
苏州大学物理系薄膜材料实验室
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第4期300-303,共4页
文摘
在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3~ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。
关键词
反应射频磁控溅射
介电损耗
氧化铝薄膜
Keywords
Reactive RF magnetron sputtering,Deposition rate,Dielectric loss,Frequency
分类号
O614.31 [理学—无机化学]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性
被引量:
7
3
作者
赵登涛
狄国庆
朱炎
机构
苏州大学物理系薄膜材料实验室
出处
《材料科学与工程》
CSCD
2000年第3期80-83,共4页
文摘
在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
关键词
反应射频磁控溅射
介电性质
非晶
氧化铝薄膜
Keywords
Reactive RF magnetron sputtering
dielectric characteristics
amorphous
alumina film.
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Pb_(1-x) La_xTiO_3薄膜的制备及特性研究
被引量:
1
4
作者
郑分刚
朱卫东
沈明荣
甘肇强
葛水兵
机构
苏州大学物理系薄膜材料实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期124-125,131,共3页
文摘
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/StO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在600℃ 下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度和随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。
关键词
溶胶-凝胶
PLT薄膜
制备
铁电薄膜
Keywords
Dielectric properties of solids
Doping (additives)
Ferroelectricity
Lanthanum
Sol
gels
Thin films
分类号
O484 [理学—固体物理]
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电特性研究
5
作者
朱卫东
郑分刚
沈明荣
甘肇强
葛水兵
机构
苏州大学物理系薄膜材料实验室
出处
《材料科学与工程》
CSCD
2000年第3期84-86,共3页
文摘
用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PLT薄膜有典型的电滞回线。在 x<0 .2 (摩尔比 )的范围内 ,PLT薄膜相对介电常数则随着 La的增加而增加。
关键词
溶胶-凝胶
PLT薄膜
铁电薄膜
介电特性
Keywords
Sol\|gel
PLT thin film
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜
被引量:
9
6
作者
程珊华
宁兆元
薛青
金宗明
高伟建
李育峰
机构
苏州大学物理系薄膜材料实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1995年第5期405-408,共4页
基金
江苏省科委
教委自然科学基金
文摘
发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于100Ω/□的ITO膜。
关键词
ITO膜
微波
ECR等离子体
真空蒸发
Keywords
ITO Film,microwave ECR Plasma,Vacuum Deposition
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
轴向二极场MWECR-CVD系统等离子体特性的实验研究
叶超
宁兆元
甘肇强
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
1995
7
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职称材料
2
反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗
赵登涛
朱炎
狄国庆
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000
8
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职称材料
3
反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性
赵登涛
狄国庆
朱炎
《材料科学与工程》
CSCD
2000
7
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职称材料
4
Pb_(1-x) La_xTiO_3薄膜的制备及特性研究
郑分刚
朱卫东
沈明荣
甘肇强
葛水兵
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电特性研究
朱卫东
郑分刚
沈明荣
甘肇强
葛水兵
《材料科学与工程》
CSCD
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
6
微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜
程珊华
宁兆元
薛青
金宗明
高伟建
李育峰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1995
9
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职称材料
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