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轴向二极场MWECR-CVD系统等离子体特性的实验研究 被引量:7
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作者 叶超 宁兆元 甘肇强 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期43-48,共6页
本实验设计了永磁非对称轴向二极场MWECR-CVD系统,并对系统的等离子体特性进行了研究,获得了等离子体空间分布的图像以及气压对等离子体参数的影响。
关键词 轴向二极场 ECD 等离子体 空间分布 CVD
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反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗 被引量:8
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作者 赵登涛 朱炎 狄国庆 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期300-303,共4页
在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3~ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的... 在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3~ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。 展开更多
关键词 反应射频磁控溅射 介电损耗 氧化铝薄膜
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反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性 被引量:7
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作者 赵登涛 狄国庆 朱炎 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期80-83,共4页
在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
关键词 反应射频磁控溅射 介电性质 非晶 氧化铝薄膜
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Pb_(1-x) La_xTiO_3薄膜的制备及特性研究 被引量:1
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作者 郑分刚 朱卫东 +2 位作者 沈明荣 甘肇强 葛水兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期124-125,131,共3页
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/StO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在600℃ 下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(1... 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/StO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在600℃ 下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度和随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 PLT薄膜 制备 铁电薄膜
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Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电特性研究
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作者 朱卫东 郑分刚 +2 位作者 沈明荣 甘肇强 葛水兵 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期84-86,共3页
用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PL... 用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PLT薄膜有典型的电滞回线。在 x<0 .2 (摩尔比 )的范围内 ,PLT薄膜相对介电常数则随着 La的增加而增加。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 PLT薄膜 铁电薄膜 介电特性
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微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜 被引量:9
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作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 薛青 金宗明 高伟建 李育峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第5期405-408,共4页
发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于... 发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于100Ω/□的ITO膜。 展开更多
关键词 ITO膜 微波 ECR等离子体 真空蒸发
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