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溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质被引量：4: 1; 作者王季魁沈明荣 +1 位作者方亮甘肇强《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-233,237,共4页; 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.02... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶法钛酸锶铅多层膜介电性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究被引量：2: 2; 作者贺洁辛煜 +2 位作者叶超宁兆元孙钢《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2010-2013,共4页; 非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a... 展开更多; 关键词微波电子回旋共振等离子体非晶碳化硅红外光谱介电常数; 在线阅读下载PDF 职称材料

电容耦合的抑制对感应耦合放电等离子体的影响: 3; 作者辛煜宁兆元 +1 位作者狄小莲虞一青《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期439-443,共5页; 感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。... 展开更多; 关键词感应耦合等离子体等离子体射频电位法拉第屏蔽电容耦合; 在线阅读下载PDF 职称材料

电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：6: 4; 作者杨静沈明荣方亮《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期234-237,共4页; 通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品... 展开更多; 关键词 CACU3TI4O12 巨介电性质功函数肖特基势垒; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同激发频率下小型感应耦合等离子体特性研究被引量：1: 5; 作者高璇辛煜 +1 位作者黄晓江宁兆元《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期504-508,共5页; 等离子体小型化后往往会产生一些独特的等离子体性质。本文采用朗谬尔探针和高分辨率发射光谱技术对不同激发频率下产生的小型感应耦合等离子体进行了测量,选用的三种频率为13.56MHz,27.12MHz和40.68MHz。朗谬尔探针的实验结果表明,随... 展开更多; 关键词微感应耦合等离子体朗谬尔探针发射光谱离子密度电子温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

交叉型天线感应耦合等离子体源放电特性及均匀性被引量：2: 6; 作者卢春山辛煜 +1 位作者孙刚孙恺《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期174-178,共5页; 本文介绍了一种交叉型天线射频感应耦合等离子体源,射频天线穿过交叉排列的石英管内置于真空腔体中。本文运用朗谬尔探针方法诊断了放电等离子体的参量及其均匀性,运用发射光谱技术进行了Ar谱线[4s’(1/2)0-4p’(1/2)]的发光强度的表征... 展开更多; 关键词感应耦合等离子体天线朗谬尔探针发射光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质被引量：4: 1; 作者王季魁沈明荣方亮甘肇强; 机构苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-233,237,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(10204016); 文摘采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029。在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜。发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027)。研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高。与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响。; 关键词溶胶-凝胶法钛酸锶铅多层膜介电性质; Keywords sol-gel process lead strontium titanate multilayered films dielectric properties; 分类号 O484.42 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究被引量：2: 2; 作者贺洁辛煜叶超宁兆元孙钢; 机构苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2010-2013,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(10575074 10305008); 文摘非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si1-xCx∶H)。薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的发射光谱监测,而薄膜的结构与性能则由傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱等来表征。结果表明,在等离子体发射光谱中H、CH谱线强度随CH4流量的增加而增强,而SiH谱线强度则呈现相反的变化趋势。红外结构表明随着气体流量比R的增加,薄膜由富硅态向富碳态转变,薄膜结构的转变是薄膜光学带隙及其介电常数变化的根本原因。; 关键词微波电子回旋共振等离子体非晶碳化硅红外光谱介电常数; Keywords ECRCVD a-Six C1-x： H FTIR dielectric constant; 分类号 O53 [理学—等离子体物理] TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电容耦合的抑制对感应耦合放电等离子体的影响: 3; 作者辛煜宁兆元狄小莲虞一青; 机构苏州大学物理科学与技术学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期439-443,共5页; 基金国家自然科学基金的资助(No.10305008); 文摘感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。结果表明,屏蔽板的使用不仅极大地降低了干扰等离子体参量测量的等离子体射频电位,而且也降低了线圈中的放电电流和等离子体中的轴向微分磁场信号强度,但Ar等离子体的发射光谱表明,法拉第屏蔽的采用对等离子体功率吸收的影响不大。对测量信号中出现的高次谐波行为也做了定性的讨论。; 关键词感应耦合等离子体等离子体射频电位法拉第屏蔽电容耦合; Keywords ICP, Plasma rf potential, Faraday shield, Capacitive coupling; 分类号 O53 [理学—等离子体物理] TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：6: 4; 作者杨静沈明荣方亮; 机构苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期234-237,共4页; 基金国家自然科学青年基金资助项目(10204016); 文摘通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品表面呈现绝缘态,此时不同功函数电极以及不同电极制备方法对其介电性质几乎没有影响,说明CC-TO的巨介电常数是由孪晶界或半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡电容(IBLC)所引起。但当样品在高温氮气中后处理后,样品表面电阻率明显下降,以较大功函数的金属作为电极的样品,其介电常数有了明显的提高,而以功函数小的金属作为电极的样品,其介电常数变化不大。从而进一步说明当CCTO样品表面处于半导态,表面电极效应也是CCTO巨介电常数来源之一。; 关键词 CACU3TI4O12 巨介电性质功函数肖特基势垒; Keywords CaCu3Ti4O12 giant dielectric constant work function Schottky barrier; 分类号 O482.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同激发频率下小型感应耦合等离子体特性研究被引量：1: 5; 作者高璇辛煜黄晓江宁兆元; 机构苏州大学物理科学与技术学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期504-508,共5页; 基金国家自然科学基金项目资助(No.10775103); 文摘等离子体小型化后往往会产生一些独特的等离子体性质。本文采用朗谬尔探针和高分辨率发射光谱技术对不同激发频率下产生的小型感应耦合等离子体进行了测量,选用的三种频率为13.56MHz,27.12MHz和40.68MHz。朗谬尔探针的实验结果表明,随着射频输入功率的增加以及激发频率的上升均会导致等离子体功率吸收的增强,从而导致了离子密度增大和电子温度下降。利用了气体追踪法测量感应放电中的气体温度,可以发现,由于电子诱导加热的作用,气体温度随气压和输入功率的增加而增加,射频频率的提高也有助于等离子体气体温度的上升。; 关键词微感应耦合等离子体朗谬尔探针发射光谱离子密度电子温度; Keywords Miniaturizde inductively coupled plasma, Langmuir Probe, Optical emission spectroscopy, Ion density, Electron temperature; 分类号 O539 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名交叉型天线感应耦合等离子体源放电特性及均匀性被引量：2: 6; 作者卢春山辛煜孙刚孙恺; 机构苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期174-178,共5页; 基金国家自然科学基金资助(No.10305008); 文摘本文介绍了一种交叉型天线射频感应耦合等离子体源,射频天线穿过交叉排列的石英管内置于真空腔体中。本文运用朗谬尔探针方法诊断了放电等离子体的参量及其均匀性,运用发射光谱技术进行了Ar谱线[4s’(1/2)0-4p’(1/2)]的发光强度的表征,并使用自制的Rogowski线圈测量了天线中的射频电流变化。结果表明,等离子体放电随着射频输入功率的增加存在着E模式向H模式的转变,H模式放电时发光强度及射频电流明显增大。电子温度随气压的增大而降低,几乎不受功率的影响。该等离子体源所产生的等离子体密度较高,等离子体均匀性在中心±60 mm区域内优于90%。; 关键词感应耦合等离子体天线朗谬尔探针发射光谱; Keywords Inductively coupled plasma Antenna Langmuir probe Optical emission spectroscopy（OES）; 分类号 O539 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质	王季魁沈明荣方亮甘肇强	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究	贺洁辛煜叶超宁兆元孙钢	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	电容耦合的抑制对感应耦合放电等离子体的影响	辛煜宁兆元狄小莲虞一青	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响	杨静沈明荣方亮	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	不同激发频率下小型感应耦合等离子体特性研究	高璇辛煜黄晓江宁兆元	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	交叉型天线感应耦合等离子体源放电特性及均匀性	卢春山辛煜孙刚孙恺	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料