使用溴化乙锭(Ethidium bromide,EtBr)诱导方法构建线粒体数目减少支气管上皮细胞(Human bronchia epithelia with mitochondrial DNA knock-down,ρ?HBE)模型并进行长期氡照射,用克隆形成法测定氡照射后HBE细胞的增殖能力,用流式细胞...使用溴化乙锭(Ethidium bromide,EtBr)诱导方法构建线粒体数目减少支气管上皮细胞(Human bronchia epithelia with mitochondrial DNA knock-down,ρ?HBE)模型并进行长期氡照射,用克隆形成法测定氡照射后HBE细胞的增殖能力,用流式细胞仪进行细胞凋亡和线粒体膜电位的检测。结果发现,氡照射后,与线粒体DNA数量正常的HBE细胞(ρ+HBE)相比较,ρ?HBE细胞存活分数明显增高,虽然早期凋亡率明显低于正常细胞,但是总凋亡率增加,同时线粒体膜电位也显著降低。结果提示,氡照射后引起的线粒体减少HBE细胞增殖能力提高与总凋亡率的减少有关,并且与线粒体膜电位的变化相关。展开更多
文摘使用溴化乙锭(Ethidium bromide,EtBr)诱导方法构建线粒体数目减少支气管上皮细胞(Human bronchia epithelia with mitochondrial DNA knock-down,ρ?HBE)模型并进行长期氡照射,用克隆形成法测定氡照射后HBE细胞的增殖能力,用流式细胞仪进行细胞凋亡和线粒体膜电位的检测。结果发现,氡照射后,与线粒体DNA数量正常的HBE细胞(ρ+HBE)相比较,ρ?HBE细胞存活分数明显增高,虽然早期凋亡率明显低于正常细胞,但是总凋亡率增加,同时线粒体膜电位也显著降低。结果提示,氡照射后引起的线粒体减少HBE细胞增殖能力提高与总凋亡率的减少有关,并且与线粒体膜电位的变化相关。
