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C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究
1
作者
辛煜
范叔平
+2 位作者
吴建新
金宗明
杨礼富
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第5期351-354,共4页
以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该...
以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。
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关键词
多弧离子法
高速钢
薄膜
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职称材料
ZnO薄膜的磁电光性质研究进展
被引量：
1
2
作者
陈爱军
吴雪梅
诸葛兰剑
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第F05期314-316,320,共4页
ZnO薄膜是一种具有优良性质的材料,如光电、p-n结特性等,并有多种制备方法,其性质取决于不同的掺杂组分。概述了ZnO薄膜的制备方法、晶格特性、光电特性、p-n结特性及其磁性掺杂。
关键词
ZNO薄膜
性质
制备
P-N结
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职称材料
题名
C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究
1
作者
辛煜
范叔平
吴建新
金宗明
杨礼富
机构
苏州大学
薄膜材料实验室
中国科技
大学
结构
中心
苏州大学分析与测试中心
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第5期351-354,共4页
文摘
以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。
关键词
多弧离子法
高速钢
薄膜
分类号
TG142.45 [金属学及工艺—金属材料]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
ZnO薄膜的磁电光性质研究进展
被引量：
1
2
作者
陈爱军
吴雪梅
诸葛兰剑
机构
苏州大学
物理系
苏州大学分析与测试中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第F05期314-316,320,共4页
基金
国家自然科学基金(编号:10275047
10575073)
江苏省高校自然科学基金(编号:03KJB140116)
文摘
ZnO薄膜是一种具有优良性质的材料,如光电、p-n结特性等,并有多种制备方法,其性质取决于不同的掺杂组分。概述了ZnO薄膜的制备方法、晶格特性、光电特性、p-n结特性及其磁性掺杂。
关键词
ZNO薄膜
性质
制备
P-N结
Keywords
ZnO thin films, properties, preparation methods, p-n junction
分类号
O73 [理学—晶体学]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究
辛煜
范叔平
吴建新
金宗明
杨礼富
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
2
ZnO薄膜的磁电光性质研究进展
陈爱军
吴雪梅
诸葛兰剑
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
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