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题名快恢复二极管技术综述
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作者
王学良
钱敏
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机构
苏州城市学院光学与电子信息工程学院
上海先进半导体制造有限公司
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出处
《河南科技》
2022年第12期36-41,共6页
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基金
江苏省高校自然科学基金(19KJD510006)。
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文摘
本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点,并从阳极发射效率控制技术(如PIN、LLD、SSD、SPEED、MPS等)出发,介绍各类快恢复二极管技术的历史演变及其结构的研究进展。同时,对比分析了另一种快恢复二极管的重要技术——高压钝化技术,如SIPOS技术及PI技术。然后介绍国内外快恢复二极管在各类电力电子领域的应用现状。最后阐释了快恢复二极管技术面临的技术挑战和未来发展趋势。
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关键词
快恢复二极管
寿命控制
阳极发射
高压钝化
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Keywords
fast recovery diode
lifetime control
anode emitting
high voltage passivation
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分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体发明史回眸及其创新驱动力探讨
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作者
王学良
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机构
苏州城市学院光学与电子信息工程学院
上海先进半导体制造有限公司
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出处
《河南科技》
2022年第18期37-41,共5页
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基金
江苏省高校自然科学基金(19KJD510006)。
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文摘
本研究回顾了近150年的半导体理论及技术发明史,根据半导体发明史的特征,可将其划分为3个发明历史阶段,即半导体早期发明史、半导体中期发明史和半导体现代发明史,并对半导体发明史中的创新驱动模式进行探讨,接着阐述三大发明创新模式及其对半导体科技发明创新的影响。
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关键词
发明
半导体发明创新史
创新驱动模式
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Keywords
invention
invention history of semiconductor
innovation driving model
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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