期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
被引量：
9
1
作者
韩跃斌
蒲勇
施建新
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第7期1300-1308,共9页
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体...
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。
展开更多
关键词
碳化硅
外延生长设备
化学气相沉积
外延生长机理
反应室
第三代半导体
宽禁带半导体
在线阅读
下载PDF
职称材料
高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究
被引量：
2
2
作者
韩跃斌
蒲勇
+1 位作者
施建新
闫鸿磊
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期918-924,共7页
采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向4°的n型4H-SiC衬底上进行了同质外延生长,在设定的工艺条件下,外延膜生长速率达到40.44μm/h,厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别达到1.37%和2.79%。AFM表征结果显...
采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向4°的n型4H-SiC衬底上进行了同质外延生长,在设定的工艺条件下,外延膜生长速率达到40.44μm/h,厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别达到1.37%和2.79%。AFM表征结果显示表面均方根粗糙度为0.11 nm;Leica显微镜观察显示外延膜表面光滑,生长缺陷密度很低,没有宏观台阶结构;Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征。综合分析表明,本实验使用国产的高速旋转垂直热壁CVD设备,在较高的外延生长速率下,获得了具有高厚度均匀性和高掺杂浓度均匀性的高质量4H-SiC外延膜,对目前碳化硅外延产业的发展和半导体设备的国产替代具有良好的指导作用。
展开更多
关键词
碳化硅
外延
化学气相沉积
CVD设备
厚度均匀性
掺杂浓度均匀性
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
被引量：
9
1
作者
韩跃斌
蒲勇
施建新
机构
材料科学姑苏实验室
芯
三
代
半导体
科技
(
苏州
)
有限公司
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第7期1300-1308,共9页
基金
材料科学姑苏实验室定向攻关类项目(G2110)。
文摘
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。
关键词
碳化硅
外延生长设备
化学气相沉积
外延生长机理
反应室
第三代半导体
宽禁带半导体
Keywords
silicon carbide
epitaxy equipment
chemical vapor deposition
epitaxy mechanism
reactor chamber
3rd generation semiconductor
wide bandgap semiconductor
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TQ163.4 [化学工程—高温制品工业]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究
被引量：
2
2
作者
韩跃斌
蒲勇
施建新
闫鸿磊
机构
芯
三
代
半导体
科技
(
苏州
)
有限公司
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期918-924,共7页
基金
江苏省重大科技成果转化项目(BA2022082)。
文摘
采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向4°的n型4H-SiC衬底上进行了同质外延生长,在设定的工艺条件下,外延膜生长速率达到40.44μm/h,厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别达到1.37%和2.79%。AFM表征结果显示表面均方根粗糙度为0.11 nm;Leica显微镜观察显示外延膜表面光滑,生长缺陷密度很低,没有宏观台阶结构;Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征。综合分析表明,本实验使用国产的高速旋转垂直热壁CVD设备,在较高的外延生长速率下,获得了具有高厚度均匀性和高掺杂浓度均匀性的高质量4H-SiC外延膜,对目前碳化硅外延产业的发展和半导体设备的国产替代具有良好的指导作用。
关键词
碳化硅
外延
化学气相沉积
CVD设备
厚度均匀性
掺杂浓度均匀性
Keywords
SiC
epitaxy
chemical vapor deposition
CVD equipment
thickness uniformity
doping concentration uniformity
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TQ050.5 [化学工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
韩跃斌
蒲勇
施建新
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究
韩跃斌
蒲勇
施建新
闫鸿磊
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
