期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
被引量：
1
1
作者
韩名君
柯导明
+2 位作者
王保童
王敏
徐春夏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2237-2241,共5页
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小...
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
展开更多
关键词
金属氧化物半导体场效应管
电势解析模型
栅氧化层
空间电荷区
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
被引量：
1
1
作者
韩名君
柯导明
王保童
王敏
徐春夏
机构
安徽大学
电子信息
工程
学院
芜湖职业技术学院电子信息系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2237-2241,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61076086)
高等学校博士学科点专项科研基金(No.20103401110008)
文摘
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
关键词
金属氧化物半导体场效应管
电势解析模型
栅氧化层
空间电荷区
Keywords
metal-oxide-semiconductor field effect transistor （MOSFET）
potential analytical model
gate oxide layer
space charge region
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
韩名君
柯导明
王保童
王敏
徐春夏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
