检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

共找到8篇文章

< 1 >

每页显示 20 50 100

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

显示方式：

文摘详细列表

相关度排序被引量排序时效性排序

失效分析是提高元器件可靠性的关键工作——纪念航空航天部半导体器件失效分析中心成立四周年被引量：1: 1; 作者郑鹏洲《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第10期1-2,共2页; 本文强调失效分析工作在元器件可靠性工作中的重要作用.及对合理配置失效分析机构提出了一些建议.; 关键词电子器件可靠性失效分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件失效分析数据库: 2; 作者刘建朝《质量与可靠性》 1989年第2期18-20,共3页; 一、引言随着微电子技术的发展,半导体器件已进入超大规模集成电路(VLSI)和高可靠性时代。而半导体器件可靠性的提高则强烈地依赖于半导体器件的失效分析工作。所谓失效分析就是对失效器件采用电测量和物理、冶金以及化学方面的许多先... 展开更多; 关键词半导体器件失效分析器件可靠性失效模式控制管理系统统计报表可靠性水平功能框图主菜单失效机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件的静电放电损伤及防护(上): 3; 作者邓永孝《质量与可靠性》 1989年第4期36-38,48,共4页; 一、静电放电(ESD)的损伤模型半导体器件在生产、封装、传递、试验、运输、整机调试及现场运行时,都可能因静电放电(ESD)损伤而失效,对MOS电路尤其如此。随着高分子材料的广泛应用,半导体器件在生产、使用环境中绝缘材料日益增多,所... 展开更多; 关键词半导体器件静电放电损伤器件模型损伤模型高分子材料肖特基保护电路微电路介质击穿公共端; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件的静电放电损伤及防护(下): 4; 作者邓永孝《质量与可靠性》 1989年第5期31-34,共4页; 本文主要介绍了为防止半导体器件静电损伤,在设计上所采取的几种保护电路,以及在制造、测试、试验、传递、包装、运输、使用等各个环节中防止产生静电的措施。; 关键词静电放电损伤半导体器件保护电路保护网络寄生电容反向击穿沟道长度印制板泄放静电能; 在线阅读下载PDF 职称材料

失效分析与经济效益被引量：1: 5; 作者郑鹏洲《质量与可靠性》 1991年第4期28-29,共2页; 搞好失效分析会带来巨大经济效益。本文试从我中心几年来的部分分析实例说明:质量工作中重要一环——失效分析和信息反馈对提高产品质量的重大作用,从而获得巨大的经济效益。元器件失效,坏了就扔掉。顺理成章。; 关键词企业质量管理失效分析经济效益质量分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件的静电损伤及防护: 6; 作者邓永孝《航天工艺》 1993年第6期28-31,共4页; 静电放电(ESD)损伤失效是半导体器件的重要失效原因。从静电产生、静电放电ESD损伤模型、抗静电能力分类、ESD的失效模式、使用中的防静电损伤措施等二方面予以介绍。其目的是为用户提供防静电损伤的科学依据。; 关键词静电放电静电损伤半导体器件; 原文传递

对数正态分布及其应用被引量：1: 7; 作者薄兰邵《质量与可靠性》 1990年第5期33-36,共4页; 本文研究了截尾数据对数正态分布参数和恒定应力加速寿命试验中参数的解析估计方法以及可靠性特征量估计。对同一失效数据的对数正态分布参数的GLUE和MLE估计进行了比较。为寿命和加速寿命试验提供了统计分析方法和应用结果。; 关键词对数正分布半导体器件试验; 在线阅读下载PDF 职称材料

筛选时间的确定: 8; 作者薄兰邵《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期72-77,共6页; 本文研究在威布尔分布下筛选时间的点估计和置信上限估计,分别包括图估计和数值估计。推导了为确定筛选时间的置信上限而建立的方程式。确定了IC高温动态老化的筛选时间。为制定筛选技术条件和确定整机老练时间提供理论依据。; 关键词筛选时间点估计区间估计; 在线阅读下载PDF 职称材料

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

上一页 1 下一页到第页

使用帮助返回顶部