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无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性
被引量：
3
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作者
宋福英
《红外与激光技术》
CSCD
1995年第5期43-46,56,共5页
采用无ＧａＡｓ缓冲层，低温＋常规的方法在Ｇ８Ａｓ（１００）衬底上进行了ＩｎＳｂ薄膜的分子束外延（ＭＢＥ）生长，测试了样品的双晶Ｘ射线衍射半峰宽（ＦＷＨＭ），电学霍尔（Ｈａｌｌ）特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不...
采用无ＧａＡｓ缓冲层，低温＋常规的方法在Ｇ８Ａｓ（１００）衬底上进行了ＩｎＳｂ薄膜的分子束外延（ＭＢＥ）生长，测试了样品的双晶Ｘ射线衍射半峰宽（ＦＷＨＭ），电学霍尔（Ｈａｌｌ）特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长０．５μｍＧａＡｓ缓冲层，同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品，这可缩短材料的生长周期，降低生产成本，对将来器件的批量制作有一定的意义。
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关键词
红外焦平面
缓冲层
迁移率
分子束外延
锑化铟
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职称材料
题名
无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性
被引量：
3
1
作者
宋福英
机构
航天工业总公司第三研究院八三五八研究所
出处
《红外与激光技术》
CSCD
1995年第5期43-46,56,共5页
文摘
采用无ＧａＡｓ缓冲层，低温＋常规的方法在Ｇ８Ａｓ（１００）衬底上进行了ＩｎＳｂ薄膜的分子束外延（ＭＢＥ）生长，测试了样品的双晶Ｘ射线衍射半峰宽（ＦＷＨＭ），电学霍尔（Ｈａｌｌ）特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长０．５μｍＧａＡｓ缓冲层，同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品，这可缩短材料的生长周期，降低生产成本，对将来器件的批量制作有一定的意义。
关键词
红外焦平面
缓冲层
迁移率
分子束外延
锑化铟
Keywords
Infrared focal plane Buffer layer Mobility Electrical Hall property
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性
宋福英
《红外与激光技术》
CSCD
1995
3
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