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亚微米光刻与刻蚀工艺研究被引量：2: 1; 作者余山章定康黄敞《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期22-25,共4页; 采用三层胶光刻工艺及以ＳＦ＿６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工艺，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。; 关键词微电子技术光刻刻蚀工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚微米自对准硅化钛CMOS工艺被引量：1: 2; 作者余山章定康黄敞《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期78-79,86,共3页; 本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。; 关键词集成电路硅化钛 CMOS工艺亚微米; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	亚微米光刻与刻蚀工艺研究	余山章定康黄敞	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1994	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	亚微米自对准硅化钛CMOS工艺	余山章定康黄敞	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料

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